Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

23 июля - Перед лицом обостряющегося климатического кризиса и растущего глобального спроса на энергию правительства и компании по всему миру совместно работают над достижением амбициозных климатических целей, стремясь смягчить воздействие на окружающую среду и обеспечить устойчивое будущее. Ключевое значение для этого имеет переход к электрификации для сокращения выбросов углекислого газа и активное использование возобновляемых источников энергии. Чтобы ускорить прогресс в достижении этой глобальной цели, компания ON (NASDAQ: ON) запустила свое последнее поколение технологической платформы на основе карбида кремния - МОП-транзистор EliteSiC M3e, а также множество новых поколений продукции, запланированных на период до 2030 года.

На этом пути МОП-транзисторы EliteSiC M3e будут играть ключевую роль в ускорении всеобщей электрификации и повышении эффективности внедрения, обеспечивая производительность и надежность электрических систем следующего поколения при более низкой стоимости киловатта. Благодаря возможности работать на более высоких частотах и напряжениях переключения, платформа эффективно снижает потери при преобразовании мощности, что крайне важно для широкого спектра автомобильных и промышленных приложений, таких как силовые агрегаты электромобилей, сваи быстрой зарядки постоянного тока, солнечные инверторы и решения для хранения энергии. Кроме того, МОП-транзисторы EliteSiC M3e будут способствовать переходу к более высокой эффективности и мощности в центрах обработки данных, чтобы удовлетворить растущие в геометрической прогрессии потребности в энергии для устойчивых движков искусственного интеллекта.

Доверенная платформа обеспечивает скачок в эффективности на поколение вперед

Используя уникальные возможности ON Semiconductor в области проектирования и производства, МОП-транзистор EliteSiC M3e значительно снижает потери на проводимость и переключение в надежной и проверенной на практике планарной архитектуре. Платформа способна снизить потери проводимости на 30 %, а потери при переключении - до 50 % по сравнению с предыдущими поколениями [по результатам собственных сравнительных испытаний с МОП-транзисторами EliteSiC M3T]. Продлевая срок службы планарных МОП-транзисторов SiC и используя технологию EliteSiC M3e для обеспечения выдающихся характеристик, компания ON гарантирует надежность и стабильность платформы, что делает ее технологией выбора для критически важных приложений электрификации.

МОП-транзисторы EliteSiC M3e также обеспечивают сверхнизкое сопротивление включения (RSP) и сопротивление короткого замыкания, что очень важно для инверторов главного привода, которые доминируют на рынке SiC. Благодаря использованию передовых дискретных и силовых модулей компании ON, матрица 1200V M3e обеспечивает более высокие фазовые токи по сравнению с предыдущей технологией EliteSiC, что приводит к увеличению выходной мощности примерно на 20 % для инвертора главного привода того же размера. Другими словами, при сохранении той же выходной мощности новая конструкция требует на 20 % меньше SiC-материала, стоит дешевле и позволяет создать более компактную, легкую и надежную систему.

Кроме того, ON предлагает более широкий спектр интеллектуальных технологий питания, включая драйверы затворов, DC-DC-преобразователи, электронные предохранители и многое другое - все они доступны на платформе EliteSiC M3e. Эти сквозные интегрированные технологические комбинации силовых переключателей, драйверов и контроллеров, оптимизированные и совместно разработанные ON Semiconductor, позволяют интегрировать множество передовых функций и снизить общую стоимость системы.

Ускорение развития энергетических технологий будущего

Поскольку в следующем десятилетии ожидается значительный рост мирового спроса на энергию, повышение плотности мощности полупроводников приобретает решающее значение. Компания ON Semiconductor активно следует дорожной карте развития технологии карбида кремния, лидируя в отрасли в области инноваций, начиная с архитектур матриц и заканчивая новыми технологиями упаковки, чтобы и дальше удовлетворять потребности отрасли в повышении плотности мощности.

Каждое новое поколение технологии карбида кремния оптимизирует структуру ячеек для эффективной передачи большего тока на меньшей площади, что приводит к повышению плотности мощности. В сочетании с собственными передовыми технологиями упаковки ON Semiconductor может максимизировать производительность и уменьшить размер упаковки. Применив закон Мура к развитию технологии карбида кремния, ON сможет ускорить реализацию своей дорожной карты, разрабатывая параллельно несколько поколений продуктов, чтобы ускорить выпуск множества новых продуктов EliteSiC к 2030 году.

Обладая многолетним опытом в области силовых полупроводников, мы продолжаем расширять границы наших инженерных и производственных возможностей, чтобы удовлетворить растущие мировые потребности в энергии». «Карбид кремния имеет сильную взаимозависимость между материалами, устройствами и технологиями упаковки, - говорит Мринал Дас, старший директор по техническому маркетингу бизнес-группы ON Power Solutions. Полный контроль над этими важнейшими аспектами позволяет ON Semiconductor лучше понимать процесс проектирования и производства, что ускоряет выход на рынок новых поколений продуктов».

Образцы МОП-транзистора EliteSiC M3e в стандартном для отрасли корпусе TO-247-4L доступны уже сейчас.

О компании onsemi

Компания ONSEMI (Nasdaq: ON) стремится внедрять революционные инновации для лучшего будущего. Ориентируясь на мегатенденции автомобильного и промышленного конечных рынков, компания ускоряет трансформационные инновации в таких сегментах, как функциональная электроника и безопасность автомобилей, устойчивые сети, промышленная автоматизация, 5G и облачная инфраструктура. ON Semiconductor предлагает высокодифференцированный портфель инновационных продуктов, а также технологии интеллектуального питания и интеллектуального зондирования для решения самых сложных мировых задач и лидерства в создании более безопасного, чистого и умного мира.