Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Сеть резисторов

Первая страница /Профессиональная информация /

Силовые МОП-транзисторы Infineon второго поколения CoolSiC™ 8-234mΩ 1200 В в корпусе D²PAK-7L

Силовые МОП-транзисторы Infineon второго поколения CoolSiC™ 8-234mΩ 1200 В в корпусе D²PAK-7L

Источник:этот сайтвремя:2024-07-12количество просмотров:

Аннотация: Второе поколение CoolSiC™ 8-234mΩ 1200VSiCMOSFET компании Infineon в корпусах DPAK-7L обеспечивает значительно улучшенные характеристики для все…

Аннотация: Второе поколение CoolSiC™ 8-234mΩ 1200VSiCMOSFET компании Infineon в корпусах D²PAK-7L обеспечивает значительно улучшенные характеристики для всех типов преобразования энергии. Семейство включает 11 моделей с такими характеристиками, как низкие потери на переключение, высокие рабочие температуры при перегрузках и устойчивость к паразитному включению.


Новое второе поколение CoolSiC™ 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET от Infineon в корпусе D²PAK-7L

QQ图片20240712132822.png

Второе поколение семейства 1200-вольтовых МОП-транзисторов CoolSiC™ G2 в корпусе D²PAK-7L (TO-263-7) опирается на сильные стороны технологии первого поколения и позволяет ускорить оптимизацию затрат на разработку систем с высокой эффективностью, компактным дизайном и надежностью.


Благодаря значительному улучшению ключевых параметров производительности как в режиме жесткого переключения, так и в топологии мягкого переключения, продукты второго поколения подходят для всех распространенных типов преобразования энергии AC-DC, DC-DC и DC-AC.


Особенности продукции:

Чрезвычайно низкие потери при переключении

Рабочая температура при перегрузке до T vj =200°C

Время выдерживания короткого замыкания 2 мкс

Эталонное пороговое напряжение затвора, VGS(th) = 4,2 В

Высокое паразитное сопротивление при включении, возможность отключения затвора при 0 В

Износостойкий диод в корпусе для жесткой коммутации

Технология межсоединений .XT для лучших в своем классе тепловых характеристик


Преимущества продукции:

Самый низкий R DS(on), самая высокая выходная мощность

Лучшая линейка продуктов на рынке, 11 моделей от 8 до 234 мОм

Рабочие температуры при перегрузках до T vj =200°C

Надежные показатели короткого замыкания

Лавинная стойкость


Области применения:

Зарядка электромобилей

Струнные инверторы

On-line ИБП / Промышленные ИБП

Приводы общего назначения (GPD)


Сопутствующие товары:

IMBG120R008M2H

IMBG120R012M2H

IMBG120R017M2H

IMBG120R022M2H

IMBG120R026M2H

IMBG120R040M2H

IMBG120R053M2H

IMBG120R078M2H

IMBG120R116M2H

IMBG120R181M2H

IMBG120R234M2H

компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler