Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

На днях группа mitsubishi electric electric (10 июня 2024 года) объявила, что с 10 июня будет поставлять низкоэлектрические версии 3.3kV/400A и 3,3 kV/200A (SBD) встроенных модулей SiC-MOSFET для крупных промышленных устройств, включая железнодорожные и электрические системы. С существ в 3,3 кв / 800A модул вмест, назва в чест нов Unifull ™ сер содерж 3 продукт, удовлетворен крупн промышлен оборудован может быт улучш выходн мощност и конвертац мощност потребн в эффективн растущ инвертор экономическ рост. На выставке PCIM Europe 2024 (11-13 июня, Нюрнберг, Германия).

В целях достижения декарбонизированного общества растет спрос на энергоемкие полупроводники, которые могут эффективно преобразовывать электричество, особенно на SiC-полупроводники, которые могут значительно сократить потери мощности. Большие промышленные устройства часто используют силовые полупроводниковые модули для преобразования мощности, такие как тяговые системы двигателя и источники энергии, постоянные передачи электроэнергии и т.д. Спрос на высокие мощности, высокоэффективные модули SiC, разработанные инверторами с различными объемами экспорта, особенно силен для дальнейшего повышения эффективности преобразования мощности и поддержки.

Модуль SiC-MOSFET, встроенный в 3.3kV/800A SBD, был выпущен 29 Марта 2024 года. По сравнен с существ мощност модул, Unifull ™ модул значительн сниз выключател потер, и способствова выходн мощност и эффективн способствова повышен больш промышлен устройств, применен в пропускн способн относительн небольш орбитальн транспортн средств и двигательн систем вспомогательн энергоснабжен.

Характеристика продукции

• модуль низкого тока, применяемый к различным выходной емкости

Mitsubishi СБД встраива SiC-усилител модул нов 3,3 кв / 400A и 3,3 кв / 200A низк ток верс два продукт, с существ 3,3 кв / 800A представля соб нов Unifull ™ коллекц.

Новые модули низкого тока, применимые к вспомогательным источникам энергии и сравнительно малым объемам двигателя железнодорожного транспорта, применяются к крупномасштабным промышленным устройствам с различными требованиями мощности, а также увеличивают эффективность их преобразования мощности в инверторы и расширяют область применения.

• SiC-MOSFET, встроенный в SBD, помогает достичь высоких выходов, эффективности и надежности инвертера

SBD-встроенный модуль SiC-MOSFET, оснащенный оптимизированной инкапсуляцией, уменьшает потери на переключатели приблизительно на 54% по сравнению с существующими модулями мощности mitsubishi * уменьшает на 91% по сравнению с существующими модулями СИ-СИ мощности компании ** по сравнению с существующими модулями СИ-СИ-мощности * и помогает увеличить производительность и эффективность.

Используя биполярную структуру активации (BMA) метаклеточной структуры, повышающую устойчивость к волнам тока и способствующую повышению надежности инвертера.

Что-то про mitsubishi

Mitsubishi electric была основана в 1921 году как всемирно известная комплексная компания. Mitsubishi electric enterprises обладает несколькими патентными технологиями и занимает важное место на мировых рынках электронных устройств, коммуникационных устройств, промышленной автоматизации, электронных устройств, бытовой техники и т.д.

Источник статьи: электронная инновационная сеть компонентов

Веб-адрес компании: www.hkmjd.com