Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик CAN Процессор управления сервером переключатель шины дифференциальный усилитель Аналоговый переключатель перекрестных точек Передатчик HDMI драйвер лазера ИС аналоговых переключателей Ультразвуковой приемник Мультиплексоры и демультиплексоры Видеопроцессор Видеокодер Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС Искусственный интеллект чипы Интерфейс - Ретаймер трансимпедансный усилитель Ускоритель ближней памяти CXL и контроллер расширения памяти Аналоговый умножитель Интерфейсные микросхемы RS-422/RS-485 Изолированный CAN-трансивер Усилитель приборов Коммутаторы PCI Express Автомобильная система-на-кристалле

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Микросхемы беспроводной связи Коммуникация ближнего поля (NFC) WiFi Bluetooth Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Модули беспроводной связи Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Карбид кремния (SiC) JFET Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер наддува Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Обжимной проводной разъем Коннектор Nearstack ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности

Датчики

акселерометр Магнитно-резистивные датчики Датчик угла наклона Переключатели на эффекте Холла Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Контроллеры SSD AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Сеть резисторов

Новая информация
динамика компании
Профессиональная информация
Первая страница /динамика компании /

Linear Amplifier, 400 МГц до 3000 МГц, 50 Ом, PMA2-33LN + RF усилитель

Linear Amplifier, 400 МГц до 3000 МГц, 50 Ом, PMA2-33LN + RF усилитель

Источник:Этот сайтвремя:2024-07-09количество просмотров:

Инструкции:Mini-Circuits PMA2-33LN+ — усилитель сверхнизких шумов, основанный на E-PHEMT* с уникальным сочетанием низких шумов и высокой IP3, который явл…

Инструкции:

Mini-Circuits PMA2-33LN+ — усилитель сверхнизких шумов, основанный на E-PHEMT* с уникальным сочетанием низких шумов и высокой IP3, который является идеальным выбором для чувствительного и динамического приложения приёмника. Конструкция была разработана с использованием +3V одностороннего питания, идеально приспособленной к 50 омега системам, маленькой тонкой упаковкой, поддерживающей интенсивную планировку плат.


функц

Коэффициент сверхнизкого шума, классическое значение 0,38 dB. 0,9 ГГЦ

Высокая интенсивность IP3, классическое значение 34 dBm. 0,9 ГГЦ-час, 3 ГГЦ-час +39 dBm

Высота — 0,9 ГГЦ в час P1dB + 17,2 dBm

Маленький размер, 2 x, 2 x, 1 мм

1A HBM ESD иерархия (250V)


прикладн

Базовая инфраструктура

Портативный wi-fi

LTE

GPS

GSM

Бортовой радиолокатор


PMA2-33LN+ (спецификация)

Рабочая частота: 400 МГЦ to 3 ГГЦ

Рабочее напряжение: 3 V

Рабочий электрический ток: 56 ма

Добавка: 9.1 dB

Коэффициент шума: 0,78 dB

тип

Стиль установки: SMD/SMT

Упаковка/упаковка: MCLP-8

Технология: Si

P1dB-точка сжатия: 17,3 dBm

OIP3 — точка интервала третьего порядка: 38,6 dBm

Минимальн рабоч температур: - 40 ° C

Максимальн рабоч температур: + 85 ° C

Серия: PMA2

риэль

снято

- музерил

Торговая марка Mini-Circuits

Введена обратная потеря: 12,3 dB

Количество каналов: 1 чаннел

Диссоциация мощности: 500 мw

Тип продукции: RF Amplifier

Количество заводов: 2000

Подкатегория: ireless & RF Integrated Circuits

Проверка частоты: 3 ГГЦ

Единица веса: 4.885 g

原理图.png

Qualcomm IoT-QCC5121 Очень маломощная высококлассная аудиосистема Bluetooth в корпусе WLCSP возвращение
список (Renesas) F2915NBGK8 Высоконадежный радиочастотный переключатель SP5T, 50 МГц до 8 ГГц

Iсправка

рекомендовать продукцию

88E1112-C2-NNC1C000

88E1112-C2-NNC1C000

 VSC7425XJG-02

VSC7425XJG-02

 VSC7552TSN-V/5CC

VSC7552TSN-V/5CC

 VSC7427XJG-02

VSC7427XJG-02

 88E6190-A0-TLA2C000

88E6190-A0-TLA2C000

 XC6VLX195T-2FFG784C

XC6VLX195T-2FFG784C
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler