Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Infineon (код FSE: IFX/OTCQX: IFNNY) представляет новое поколение технологий карбида кремния (SiC) MOSFET, открывающей новую главу в системах мощности и преобразовании энергии. По сравнен с предыдущ поколен продукт, * нов CoolSiC ™ усилител 650 V и 1200 V Generation 2 технолог в убед, что качеств и надежн предпосылк, будет усилител ключев производительн показател (так как энерг и электрическ заряд запас) подня 20%, не тольк общ эффективн, Дальнейшее продвижение процесса понижения карбонизации ускорило процесс.

CoolSiC ™ усилител Generation 2 (G2) технологическ продолж игра карбид кремн производительн преимуществ, счет снижен энергетическ подня эффективн из процесс трансформац мощност потер. Это дает огромное преимущество клиентам в таких областях, как фотовольт, накопление энергии, электромобиль для зарядки, электромеханический двигатель и промышленный источник энергии. По сравнен с предыдущ поколен продукт, использова CoolSiC ™ G2 электрическ транспортн средств постоя ток быстр зарядн станц максимальн сократ 10% потер мощност, и в не влия на форм размер случа достич бол высок заряжа мощност. Основа на CoolSiC ™ G2 устройств на вытяжк инвертор r1e дальн увеличен электромобил. В возобновля источник энергетическ сектор, CoolSiC солнечн инвертор в ™ G2 могл бы поддержива высок исходя энерг одновремен достич меньш размер, тем сам сократ затрат на кажд -.

Доктор Питер вауэр, президент Infineon infineon inуглеуглеводной промышленности, заявил: «в настоящее время большая тенденция заключается в использовании новых эффективных методов производства, передачи и потребления энергии. * выигра CoolSiC ™ усилител G2 будет карбид кремн производительн нов уровен. Новое поколение технологий карбида кремния позволило производителям быстрее разработать системы с более низкой стоимостью, более компактными структурами, более эффективными производителями и более эффективными, сокращая выбросы co2 на единицу ватт при достижении энергосберегающей энергии. Это в полной мере отражает инновации Infineon, которые неуклонно и неуклонно продвигают низкоуглеродистую и цифровую промышленность, потребление, автомобильную промышленность».

* новаторск CoolSiC ™ усилител бороздк решётк технологическ прогресс. Высокопроизводительн CoolSiC ™ G2 развит решен, сбыл бол оптимизац дизайнерск решен, по сравнен с в настоя врем SiC усилител технолог, имеют бол высок эффективн и надёжност. Союз был удостоен награды. XT инкапсуляц технолог, * чтоб бол высок теплопроводн, бол ю инкапсуляц контролирова и лучш производительн, дальн повыс основа на CoolSiC ™ G2 дизайн потенциа.

Infineon владеет всеми ключевыми технологиями мощности в области кремния, карбида кремния и нитрида Галлия (Галлия), которые могут обеспечить гибкий дизайн и ведущее применение знаний, которые удовлетворяют ожидания и потребности современного дизайна. Новаторские полупроводники, основанные на таких широких запретных зонах, как карбид кремния (SiC) и нитрид Галлия (галлий), стали ключом к эффективному использованию энергии.

Главная страница компании: www.hkmjd.com