sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Infineon F4-33MR12W1M1H-B76 1200 В CoolSiC™ MOSFET Fore PACK H-Bridge Модуль
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. представляет Infineon F4-33MR12W1M1H-B76 1200 В CoolSiC™ MOSFET Fore PACK H-Bridge Module в новой оригинальной упаковкеПредставляем F4-33MR12W1M1H-B76Это п…
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. представляет Infineon F4-33MR12W1M1H-B76 1200 В CoolSiC™ MOSFET Fore PACK H-Bridge Module в новой оригинальной упаковке
Представляем F4-33MR12W1M1H-B76
Это первое поколение 1200 В, 33 мОм EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET Fore PACK H-bridge модуля с температурным датчиком NTC и технологией обжима PressFIT.
Описание характеристик
Выдающийся корпус высотой до 12 мм
Передовые полупроводниковые материалы с широкой полосой пропускания (WBG)
Очень низкая паразитная индуктивность модуля
Улучшенные МОП-транзисторы первого поколения CoolSiC™
Увеличенный диапазон напряжения управления затвором
Напряжение источника затвора: +23 В и -10 В
Рабочая температура спая (Tvjop): до 175°C в условиях перегрузки
Обжимные штырьки PressFIT
Встроенный датчик температуры NTC
Преимущества
Отличная эффективность модуля
Преимущества по стоимости системы
Повышенная эффективность системы
Снижение требований к рассеиванию тепла
Возможность использования более высоких частот
Повышенная плотность мощности
Области применения
Источники бесперебойного питания (ИБП)
Системы хранения энергии
Быстрая зарядка электромобилей
Решения для солнечных систем
Главная страница компании: www.hkmjd.com
время:2025-06-21
время:2025-06-21
время:2025-06-21
время:2025-06-21
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: