Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Русский

Русский
中文

中文

 English

English

 日本語

日本語

sales@hkmjd.com

онлайн - сервис

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
модель

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

Интегральная схема (ИС)

Ethernet Приемопередатчик CAN Процессор управления сервером переключатель шины дифференциальный усилитель Аналоговый переключатель перекрестных точек Передатчик HDMI драйвер лазера ИС аналоговых переключателей Ультразвуковой приемник Мультиплексоры и демультиплексоры Видеопроцессор Видеокодер Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС Искусственный интеллект чипы Интерфейс - Ретаймер трансимпедансный усилитель Ускоритель ближней памяти CXL и контроллер расширения памяти Аналоговый умножитель Интерфейсные микросхемы RS-422/RS-485 Изолированный CAN-трансивер Усилитель приборов Коммутаторы PCI Express Автомобильная система-на-кристалле

БТИЗ-модуль

Модуль 2G Модуль 4G Модуль 5G IoT-модуль модуль новой энергии Автомобильный модуль Умный модуль модуль памяти Модуль сотовой связи IoT Модуль спутниковой связи Модуль GNSS Модули LPWA IoT-чипы

фильтр

Полосно-задерживающие фильтры фильтр низких частот полосовой фильтр SAW Фильтр BAW Фильтр Wi-Fi Фильтр 2,4 ГГц Wi-Fi полос пропуска фильтр Активный фильтр RF-фильтр Фильтры высоких частот Полосовой фильтр Wi-Fi 5 ГГц Полосовой фильтр Wi-Fi 6 ГГц

беспроводное соединение

Wi-Fi 6 ИС Bluetooth Bluetooth 5.1 Bluetooth 5.0 Bluetooth 5.2 Микросхемы беспроводной связи Коммуникация ближнего поля (NFC) WiFi Bluetooth Wi-Fi Чип Сверхширокополосная ИС UWB GNSS-приемник Wi-Fi 4 Модули WiFi Bluetooth Низкая энергия Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 Модули беспроводной связи Микросхемы беспроводных сетевых карт Модули Bluetooth Беспроводной модуль Wi-Fi Bluetooth аудио SoC

ИИ процессорный чип

дискретный полупроводник

Транзистор - FET, MOSFET - Одиночный Карбид кремния (SiC) JFET Кремниевые диоды силовой модуль Радиочастотный транзистор Модули силовых MOSFET Модули FET из карбида кремния (SIC) Карбид кремния (SIC) FETs P-канал MOSFET Транзисторы - ВЧ-транзисторы, МОП-транзисторы Модули MOSFET Тиристор Модуль массива диодов МОП-транзистор N-канальные МОП-транзисторы Транзистор IGBT Диоды и выпрямители Диоды Шоттки и выпрямители Одиночные диоды Зенера Массивы биполярных транзисторов Модули силовых драйверов Диоды - Выпрямители - Одиночные Транзистор - FET, MOSFET - Массив Транзистор - IGBT - модуль

Управление питанием

ИС из нитрида галлия (GaN) LDO линейного стабилизатора напряжения контроллер AC - DC и стабилизатор напряжения продукты питания DC - DC эталон напряжения управление батареями Контроллер наддува Контроллер питания Ethernet (PoE)

Разъемы

Обжимной проводной разъем Коннектор Nearstack ExtremePort Swift Разъемы Multi-Trak™ Разъемы Разъемы VITA 67.3 Разъемы SpaceVPX VITA 78 Разъем ExtremePort Z-Link Разъемы Displayport Магнитные джековые разъемы Разъемы SAS/PCIe 5.0 Разъемы SAS/PCIe 4.0 Мини-разъем USB Разъемы SFP112G Разъемы MiniSAS HD Разъемы OSFP-XD Разъемы DSFP Разъемы CXP Разъемы QSFP Разъемы OSFP Разъем SFP Разъемы CFP2 Разъемы ввода-вывода Mini Cool Edge Разъемы SlimSAS™ Разъемы Mini-SAS высокой плотности

Датчики

акселерометр Магнитно-резистивные датчики Датчик угла наклона Переключатели на эффекте Холла Индуктивный датчик Замки и переключатели с эффектом Холла Биосенсор Датчики времени пролета Кондиционеры сигналов датчиков оптический датчик Датчики расхода Датчик влажности на плате Биометрические датчики Датчик скорости Датчик влажности Датчик тока эффекта Холла Ультразвуковой датчик Оптические датчики, фотодиоды Датчик влажности, чувствительный к влажности Оптические детекторы и датчики - инфракрасные детекторы Датчик температуры на плате Газовые датчики Датчики положения Промышленные радиолокационные датчики миллиметровых волн

Память

NOR флеш оперативная память память с произвольным доступом статический случайный доступ к памяти SRAM синхронный динамический случайный доступ к памяти SDRAM Контроллеры SSD AI Память F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM Твердотельные накопители - SSD Стандартная последовательная память EEPROM Последовательная память EEPROM автомобильного класса eMMC Псевдостатическая случайная память (PSRAM) Стираемое программируемое ПЗУ Флэш-память NAND Универсальное флэш-хранилище - UFS Динамическая память с произвольным доступом DRAM Память - модуль

Сеть резисторов

Новая информация
динамика компании
Профессиональная информация
Первая страница /динамика компании /

Infineon представляет карбидокремниевый MOSFET-модуль FS13MR12W2M1H-C55_FS13MR12W2M1H

Infineon представляет карбидокремниевый MOSFET-модуль FS13MR12W2M1H-C55_FS13MR12W2M1H

Источник:этот сайтвремя:2024-06-08количество просмотров:

【Mingjiada Electronics】Infineon представляет карбидокремниевый MOSFET модуль FS13MR12W2M1H-C55_FS13MR12W2M1H CoolSiC™ MOSFET Six Pack Module 1200 VПредставляемEasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 1200 V, 13

【Mingjiada Electronics】Infineon представляет карбидокремниевый MOSFET модуль FS13MR12W2M1H-C55_FS13MR12W2M1H CoolSiC™ MOSFET Six Pack Module 1200 V

image.png

Представляем

EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 1200 V, 13 mΩ 6-pack модули с CoolSiC™ MOSFET Enhancement Generation 1, встроенным датчиком температуры NTC и технологией контактов PressFIT, керамика из нитрида алюминия.


Карбидкремниевый MOSFET-модуль FS13MR12W2M1H-C55_FS13MR12W2M1H Ключевые особенности:

Лучший в своем классе корпус высотой 12 мм

Передовой материал WBG

Чрезвычайно низкая паразитная индуктивность модуля

Улучшенные МОП-транзисторы первого поколения CoolSiC™

Более широкое окно напряжения управления затвором

Напряжения затвор-исток +23 В и -10 В

Tvjop до 175°C в условиях перегрузки

Вывод PressFIT

Встроенный датчик температуры NTC


Области применения

Системы хранения энергии

Зарядка электромобилей

Повышающие DC/DC-преобразователи для топливных элементов

Фотоэлектрические системы

Серводвигатели и системы управления


О компании Infineon

Infineon Technologies AG - мировой лидер в области полупроводников для систем электропитания и Интернета вещей. Своими продуктами и решениями Infineon способствует декарбонизации и цифровизации. В компании работает около 58 600 сотрудников по всему миру, а ее выручка в 2023 финансовом году (закончившемся 30 сентября) составила около 16,3 миллиарда евро. Акции Infineon котируются на Франкфуртской фондовой бирже (тикерный символ: IFX) и на международном внебиржевом рынке OTCQX в США (тикерный символ: IFNNY).


Веб-сайт компании: www.hkmjd.com

Питание PMIC MP8030GQJ-Z Питание по Ethernet - PoE, 802.3af/at/bt совместимое возвращение
список Infineon Силовые MOSFET: SIC MOSFET, монотрубки IGBT, транзистор из нитрида галлия

Iсправка

рекомендовать продукцию

88E1112-C2-NNC1C000

88E1112-C2-NNC1C000

 VSC7425XJG-02

VSC7425XJG-02

 VSC7552TSN-V/5CC

VSC7552TSN-V/5CC

 VSC7427XJG-02

VSC7427XJG-02

 88E6190-A0-TLA2C000

88E6190-A0-TLA2C000

 XC6VLX195T-2FFG784C

XC6VLX195T-2FFG784C
компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler