Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Infineon Technologies AG объявляет о выпуске нового IGBT EDT2 в корпусе TO247PLUS. Устройство оптимизировано для дискретных автомобильных тяговых инверторов, что еще больше обогащает линейку автомобильных дискретных высоковольтных устройств Infineon. Благодаря своему выдающемуся качеству IGBT EDT2 соответствуют и превосходят AECQ101, стандарт стресс-тестирования автомобильных полупроводниковых дискретных устройств, что значительно повышает производительность и надежность инверторных систем. БТИЗ разработан с микротраншейным запорным элементом автомобильного класса, а используемая технология успешно используется в различных инверторных модулях, таких как EasyPACK® 2B EDT2 и HybridPACK®.

Чтобы соответствовать требованиям целевого приложения, новое семейство продуктов EDT2 IGBT от Infineon обладает превосходной устойчивостью к короткому замыканию. Кроме того, корпус TO247PLUS имеет большую длину пути утечки, что более удобно при проектировании системы. Между тем, технология EDT2 оптимизирована для тяговых инверторов с напряжением пробоя 750 В, которые могут поддерживать напряжение аккумуляторной батареи до 470 В постоянного тока и значительно снижают коммутационные потери и потери проводимости.

Дискретные IGBT EDT2 обычно рассчитаны на 120 А или 200 А при работе при 100°C, обе модели имеют чрезвычайно низкое прямое напряжение и сниженные потери проводимости по сравнению с предыдущим поколением на 13%. Среди них выделяется AIKQ200N75CP2 с номинальным током 200 А среди дискретных IGBT-продуктов в корпусе TO247Plus. В результате для достижения заданного целевого уровня мощности требуется лишь небольшое количество параллельных устройств, при этом увеличивается удельная мощность и снижается стоимость системы.

Кроме того, распределение параметров IGBT EDT2 очень узкое. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) обычно находится в пределах 200 мВ от максимального значения, а пороговое напряжение затвора (VGEth) находится в пределах 750 мВ. А напряжение насыщения имеет положительный температурный коэффициент. В совокупности эти функции упрощают параллельную работу, повышая гибкость системы и масштабируемость мощности конечного проекта. В дополнение к этому, этот IGBT-транзистор обладает такими преимуществами, как характеристики плавного переключения, низкий заряд затвора (QG) и максимальная температура перехода (Tvjop) 175°C.