Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Сеть резисторов

Первая страница /Профессиональная информация /

Toshiba представила третье поколение 650V SiC MOSFET в упаковке TOLL

Toshiba представила третье поколение 650V SiC MOSFET в упаковке TOLL

Источник:Этот сайтвремя:2025-08-29количество просмотров:

Toshiba electronic компоненты и устройства хранения (Toshiba) сегодня анонсировали выпуск трёх 650V карбида кремния — "TW027U65C", "TW048U65C" и "TW083U…

Toshiba electronic компоненты и устройства хранения (Toshiba) сегодня анонсировали выпуск трёх 650V карбида кремния — "TW027U65C", "TW048U65C" и "TW083U65C". Эти три продукта оснащены чипами SiC MOSFET в третьем поколении и оснащены поверхностной упаковкой TOLL для промышленных устройств, таких как переключатели питания, фотоэлектрические генераторы и регуляторы мощности. Сегодня три устройства начали оказывать поддержку оптовой поставке.

产品.png

Три новых продукта — SiC MOSFET 3 - го поколения Toshiba, которые используют универсальную обшивку TOLL, которая может резко сократить объем устройства более чем на 80% по сравнению с изощрениями через отверстия, такими как TO-247 и TO-247-4L(X).


Кроме того, у упаковки TOLL есть паразитные импедансы меньше, чем у оболочки прохода, тем самым снижая потери на переключателе. В качестве 4 - келевой упаковки поддерживает кельванское соединение с портом источника сигнала, управляемым сеткой. Это снижает влияние внутренней индукции источника инкапсуляции и реализует быстродействующие переключатели; В оболочке TW048U65C, по сравнению с существующей продукцией Toshiba, она сократила свои потери при открытии и выключении примерно на 55% и на 25% при уменьшении мощности оборудования.


В будущем Toshiba продолжит расширять свою линейку SiC-мощных устройств, чтобы внести свой вклад в повышение эффективности оборудования и увеличение мощности.


Приложение:

- переключатели в серверах, центрах данных, устройствах связи и т.д

- электромобильная зарядная станция

- фотоэлектрический инвертор

- бесперебойное питание


Характеристика:

- поверхностная упаковка TOLL, миниатюризация и автоматическая сборка оборудования, потеря переключателей

- сик мосфет третьего поколения тошиба

· положительная температурная зависимость от протекающего сопротивления путем оптимизации отношения сопротивления дрейфа к резистору канального сопротивления

· утечка электропитания через решетку с низким источником утечки

· положительное напряжение на низком диоде: VDSF = - 1,35 V (типичное значение) (VGS = - 5V)


Дополнительная информация приветствуется на www.hkmjd.com.


компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler