sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Toshiba представила третье поколение 650V SiC MOSFET в упаковке TOLL
Toshiba electronic компоненты и устройства хранения (Toshiba) сегодня анонсировали выпуск трёх 650V карбида кремния — "TW027U65C", "TW048U65C" и "TW083U…
Toshiba electronic компоненты и устройства хранения (Toshiba) сегодня анонсировали выпуск трёх 650V карбида кремния — "TW027U65C", "TW048U65C" и "TW083U65C". Эти три продукта оснащены чипами SiC MOSFET в третьем поколении и оснащены поверхностной упаковкой TOLL для промышленных устройств, таких как переключатели питания, фотоэлектрические генераторы и регуляторы мощности. Сегодня три устройства начали оказывать поддержку оптовой поставке.
Три новых продукта — SiC MOSFET 3 - го поколения Toshiba, которые используют универсальную обшивку TOLL, которая может резко сократить объем устройства более чем на 80% по сравнению с изощрениями через отверстия, такими как TO-247 и TO-247-4L(X).
Кроме того, у упаковки TOLL есть паразитные импедансы меньше, чем у оболочки прохода, тем самым снижая потери на переключателе. В качестве 4 - келевой упаковки поддерживает кельванское соединение с портом источника сигнала, управляемым сеткой. Это снижает влияние внутренней индукции источника инкапсуляции и реализует быстродействующие переключатели; В оболочке TW048U65C, по сравнению с существующей продукцией Toshiba, она сократила свои потери при открытии и выключении примерно на 55% и на 25% при уменьшении мощности оборудования.
В будущем Toshiba продолжит расширять свою линейку SiC-мощных устройств, чтобы внести свой вклад в повышение эффективности оборудования и увеличение мощности.
Приложение:
- переключатели в серверах, центрах данных, устройствах связи и т.д
- электромобильная зарядная станция
- фотоэлектрический инвертор
- бесперебойное питание
Характеристика:
- поверхностная упаковка TOLL, миниатюризация и автоматическая сборка оборудования, потеря переключателей
- сик мосфет третьего поколения тошиба
· положительная температурная зависимость от протекающего сопротивления путем оптимизации отношения сопротивления дрейфа к резистору канального сопротивления
· утечка электропитания через решетку с низким источником утечки
· положительное напряжение на низком диоде: VDSF = - 1,35 V (типичное значение) (VGS = - 5V)
Дополнительная информация приветствуется на www.hkmjd.com.
время:2025-08-29
время:2025-08-29
время:2025-08-29
время:2025-08-29
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: