sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Toshiba выпускает SiC MOSFET третьего поколения для более эффективного промышленного оборудования
31 августа Toshiba Electronic Components and Storage Corporation (Toshiba) объявила о выпуске нового силового устройства — полевого МОП-транзистора с карбидом кремния…
31 августа Toshiba Electronic Components and Storage Corporation («Toshiba») объявила о выпуске нового силового устройства — полевого МОП-транзистора с карбидом кремния (SiC) третьего поколения серии TWxxNxxxC. Эта серия отличается низким сопротивлением во включенном состоянии, что значительно снижает коммутационные потери. 10 продуктов этой серии, в том числе 5 продуктов на 1200 В и 5 продуктов на 650 В, поступили в продажу сегодня.
Сопротивление во включенном состоянии на единицу площади (RDS(ON)A) нового продукта уменьшилось примерно на 43%, что привело к снижению примерно на 80% заряда затвор-сток при включенном сопротивлении сток-исток (RDS(ON)A). )Qgd)», что отражается на проводимости. Важный показатель взаимосвязи между потерями на проход и потерями на переключение. Это снижает коммутационные потери примерно на 20 %, одновременно снижая сопротивление во включенном состоянии и коммутационные потери. Поэтому новинка способствует повышению эффективности работы оборудования.
Toshiba заявила, что в будущем модель IDM «эпитаксиальное оборудование + эпитаксиальная пластина + устройство» поможет им захватить рынки железных дорог, оффшорной ветроэнергетики, центров обработки данных и транспортных средств.
время:2025-01-08
время:2025-01-08
время:2025-01-08
время:2025-01-08
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: