Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Mingjiada Electronics Интегральная схема спроса и предложения LMG3411R150RWHR LMG3411R150 Нитрид галлия (GaN) IC

Полевые транзисторы LMG341xR150 GaN со встроенным драйвером и защитой позволяют разработчикам достигать более высоких уровней плотности мощности и эффективности в силовых электронных системах. По сравнению с кремниевыми полевыми МОП-транзисторами, неотъемлемые преимущества устройства включают сверхнизкую входную и выходную емкости, нулевое обратное восстановление для снижения коммутационных потерь до 80% и низкий уровень звона в узлах переключения для снижения электромагнитных помех. Эти преимущества позволяют создавать плотные и эффективные топологии, такие как тотемный столб PFC.

LMG341xR150 представляет собой интеллектуальную альтернативу традиционным каскодным GaN-транзисторам и автономным GaN-транзисторам за счет интеграции уникального набора функций, позволяющих упростить конструкцию, максимально повысить надежность и оптимизировать производительность любого источника питания. Встроенный привод затвора обеспечивает переключение со скоростью 100 В/нс, вызывной сигнал DS с почти нулевым значением В, время отклика на ограничение по току менее 100 нс защищает себя от случайных прострелов, отключение при перегреве предотвращает выход из строя из-за перегрева, сигнализация системного интерфейса обеспечивает возможность самоконтроля.

Модель поставки: LMG3411R150RWHR

Номер лота: последние 21+

Пакет: VQFN32

Описание: 600 В 150 мОм GaN со встроенным драйвером и поцикловой защитой от перегрузки по току

Атрибуты:

Тип переключателя: переключатель нагрузки

Количество выходов: 1

Соотношение - Вход:Выход 1:1

Выходная конфигурация: высокий уровень

Тип выхода: N-канальный

Интерфейс: Логический, ШИМ

Напряжение - нагрузка: 480 В (макс.)

Напряжение питания (Vcc/Vdd): 9,5 В ~ 18 В

Ток-выход (макс.): 6А

Сопротивление во включенном состоянии (тип): 150 мОм

Тип входа: неинвертирующий

Особенности: схема Bootstrap, регулируемый выход 5 В

Неисправность: защита от перегрузки по току, от перегрева, UVLO

Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (ТД)

Тип монтажа: Тип поверхностного монтажа

Пакет устройства поставщика: 32-VQFN (8x8)

Упаковка/кейс: 32-VQFN Exposed Pad

Базовый номер продукта: LMG3411R150

Переработка управления питанием LMG3411R150RWHR LMG3411R150 ИС на нитриде галлия (GaN), если оригинальные и аутентичные, такие как агенты, трейдеры, терминальные фабрики и т. д., новые и отремонтированные не считаются, если у вас есть вышеуказанные требования, пожалуйста, свяжитесь с нами, г-н. Чен по электронной почте sales@hkmjd.com!

Компания также приобрела электронный инвентарь: электронные компоненты, модули 5G, новые энергетические модули, чипы 5G, ИС базовых станций, ИС искусственного интеллекта, сетевые ИС, ИС Bluetooth, ИС мобильных телефонов, автомобильные ИС, ИС связи, ИС бытовой техники, блоки питания. IC, драйвер IC, IoT IC и модульные микросхемы, разъемы, радиочастотные модули, память, реле, МОП-трубки, однокристальные микрокомпьютеры, вторичные и третичные трубки и другие продукты.

Домашняя страница компании: www.hkmjd.com