Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Infineon IKW25N120H3 Высокоскоростной IGBT-транзистор 1200 В 25 А с антипараллельным диодом

Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., известный независимый дистрибьютор электронных компонентов в отрасли, предлагает высокоскоростной IGBT-транзистор Infineon IKW25N120H3 1200 В 25 А со склада. В нем используется передовая технология TRENCHSTOP™ и интегрирован обратно-параллельный диод.

Устройство IKW25N120H3 обеспечивает отличное соотношение между потерями при переключении и потерями при проводимости, что делает его особенно подходящим для высокочастотных приложений с жестким переключением. Это идеальный выбор для таких приложений, как промышленные приводы двигателей, источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование и солнечные инверторы.

【Обзор продукта IKW25N120H3】

IKW25N120H3 — это представительный продукт четвертого поколения высокоскоростной технологии TRENCHSTOP™ IGBT от Infineon. Он выполнен в корпусе TO-247-3 и объединяет IGBT 1200 В, 25 А и высокоскоростной антипараллельный диод.

Такая конструкция снижает потребность во внешних компонентах, повышая интеграцию и надежность системы.

Наиболее заметной технической особенностью устройства IKW25N120H3 являются его оптимизированные характеристики переключения. В нем используется технология полевого стопа, которая не только обеспечивает низкое падение напряжения насыщения (Vce(sat)), но и значительно снижает потери при переключении, обеспечивая эффективную работу на частотах до 70 кГц.

【Анализ ключевых рабочих параметров IKW25N120H3】

IKW25N120H3 обладает несколькими впечатляющими электрическими характеристиками, которые напрямую определяют его производительность в приложениях:

Характеристики напряжения и тока: напряжение коллектор-эмиттер (Vces) до 1200 В, непрерывный ток коллектора (Ic) до 50 А при 25 °C и 25 А при 100 °C, с импульсной токовой способностью до 100 А.

Характеристики проводимости: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) имеет типичное значение 2,05 В (протестировано при напряжении затвора 15 В и токе коллектора 25 А). Такое низкое падение напряжения проводимости помогает снизить потери мощности в состоянии проводимости.

Характеристики переключения: время задержки включения (td(on)) составляет всего 26 нс, а время задержки выключения (td(off)) — 277 нс. Такая высокая скорость переключения делает его пригодным для высокочастотных приложений, но при проектировании схемы драйвера необходимо учитывать перерегулирование напряжения и электромагнитные помехи.

Потери при переключении: энергия включения (Eon) составляет 1,8 мДж, а энергия выключения (Eoff) — 0,85 мДж (в условиях жесткого переключения). Меньшие потери при переключении напрямую приводят к более высокой эффективности системы и снижению требований к тепловому управлению.

Характеристики встроенного диода: время обратного восстановления (trr) встроенного антипараллельного диода составляет 290 нс, а прямое напряжение (VF) — 2,4 В. Это обеспечивает способность пропускать ток в приложениях с индуктивной нагрузкой.

Тепловые характеристики: максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) устройства составляет 326 Вт, а рабочий диапазон температур перехода составляет от -40 °C до +175 °C. Широкий диапазон температур позволяет устройству выдерживать суровые условия эксплуатации.

【Конструкция и особенности корпуса IKW25N120H3】

IKW25N120H3 использует стандартный корпус TO-247-3 с отверстиями для монтажа (также известный как PG-TO247-3), который обеспечивает отличную механическую прочность и тепловые характеристики.

Размеры корпуса IKW25N120H3: длина 16,13 мм, ширина 5,21 мм, высота 21,1 мм². Этот широко используемый формат корпуса облегчает установку и отвод тепла и совместим с большинством стандартных радиаторов.

Устройство IKW25N120H3 весит примерно 5,42 грамма, а материалы корпуса соответствуют стандартам RoHS и бессвинцовым стандартам, отвечая экологическим требованиям. Внутренняя часть корпуса имеет медную подложку и оптимизированную конструкцию внутренних соединительных проводов, что обеспечивает отличную способность пропускать ток и эффективную теплопроводность.

【Технические характеристики и преимущества IKW25N120H3】

Транзистор IGBT IKW25N120H3 сочетает в себе несколько технических преимуществ:

Высокая напряжение: пробойное напряжение коллектора 1200 В, подходит для высоковольтных сред применения

Высокая токопередача: максимальный непрерывный ток коллектора до 50 А, импульсный ток до 100 А

Низкие потери: сочетание низких потерь при переключении и низких потерь при проводимости для повышения эффективности системы.

Отличные тепловые характеристики: рабочий диапазон температур перехода от -40 °C до 175 °C, максимальная номинальная мощность 326 Вт.

Характеристики быстрого переключения: подходит для высокочастотных топологий переключения выше 20 кГц.

Эти характеристики делают IKW25N120H3 идеальным выбором для широкого спектра применений в силовой электронике.

【Области применения IKW25N120H3】

IKW25N120H3 подходит для широкого спектра применений в силовой электронике, особенно для тех, которые требуют высоких частот переключения и высокой эффективности:

Промышленные приводы двигателей: используется в качестве компонентов переключения мощности в приводах с переменной частотой и сервоприводах, его высокая частота переключения поддерживает высокоточный контроль двигателя.

Источник бесперебойного питания (ИБП): особенно подходит для инверторных и выпрямительных секций онлайн-систем ИБП, повышая эффективность преобразования энергии.

Сварочное оборудование: используется в секции преобразования мощности инверторных сварочных аппаратов, где высокие частоты позволяют использовать трансформаторы меньшего размера.

Солнечные инверторы: подходит для этапа преобразования постоянного тока в переменный в строчных фотоэлектрических инверторах, с высоким напряжением, отвечающим требованиям фотоэлектрических строк.

Импульсные источники питания (SMPS): особенно подходит для высокочастотных этапов преобразования мощности в источниках питания высокой мощности для связи и серверов.