sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Компания Wolfspeed представила чип Sic Mosfet четвертого поколения 1200V
12 августа компания Wolfspeed представила четвертое поколение (Gen 4) серии MOSFET с голыми кристаллами из карбида кремния (SiC) 1200 В, специально разра…
12 августа компания Wolfspeed представила четвертое поколение (Gen 4) серии MOSFET с голыми кристаллами из карбида кремния (SiC) 1200 В, специально разработанных для использования в суровых условиях автомобильной промышленности. Высокопроизводительные MOSFET четвертого поколения от Wolfspeed могут работать при температуре 185 °C, что позволяет достичь максимальной производительности силовых установок.
Эта серия продуктов имеет конструкцию без корпуса, что позволяет гибко интегрировать их в различные модули, изготовленные по индивидуальному заказу. Благодаря таким превосходным характеристикам, как высокое напряжение блокировки, низкое сопротивление проводимости, высокая скорость переключения и низкая емкость, эти устройства являются идеальным решением для автомобильных силовых установок и приводов электродвигателей.
1. Технические особенности и улучшенные характеристики
Оптимизация потерь при проводимости и переключении: MOSFET Gen4 значительно повышает эффективность за счет снижения сопротивления проводимости (RDS(on)) и потерь при переключении при высоких температурах. Например, сопротивление проводимости при высоких температурах снижено на 21%, а потери при переключении (EON/EOFF) уменьшены на 15%, что делает его пригодным для применения в условиях широкого диапазона нагрузок (например, в инверторах электромобилей, приводах промышленных двигателей).
Улучшение объемных диодов:
Производительность обратного восстановления объемных диодов повышена в 3,5 раза, что снижает электромагнитные помехи (EMI) и звон во время переключения, упрощает конструкцию фильтров и одновременно поддерживает более высокую частоту переключения.
Повышенная надежность:
Устойчивость к короткому замыканию: поддерживает время устойчивости к короткому замыканию 2 микросекунды, обеспечивая безопасность при сбоях.
Устойчивость к космическим лучам: благодаря оптимизации конструкции частота отказов из-за космических лучей снижена в 100 раз, что делает устройство пригодным для применения на больших высотах (например, в электромобилях, авиационной электронике).
Работа при высоких температурах: может работать непрерывно при 185 °C, при определенных условиях поддерживает 200 °C.
2. Сценарии применения и преимущества системы
Автомобильная промышленность: 1200-вольтовый MOSFET с открытым кристаллом автомобильного класса, специально разработанный для силовых агрегатов, продлевает запас хода за счет снижения потерь и уменьшает потребность в охлаждении, поддерживая интеграцию высокой плотности мощности.
Промышленность и энергетика: приводы промышленных двигателей: высокочастотные переключающие характеристики уменьшают размеры магнитных элементов и снижают стоимость.
Системы возобновляемой энергии: повышают эффективность преобразования и снижают потребность в обслуживании.
Новые области: такие как eVTOL (электрические вертолеты с вертикальным взлетом и посадкой) и авиационная электроника, которые зависят от высокой плотности мощности и надежности.
3. Корпус и совместимость
Гибкий дизайн корпуса: форма голых чипов поддерживает интеграцию настраиваемых модулей, а передовые технологии корпуса снижают паразитную индуктивность и оптимизируют тепловое управление (например, дизайн с прессованными выводами).
Обновление по принципу «plug and play»: совместимость с существующими технологиями управления затвором упрощает переход от третьего поколения к четвертому.
4. Производственные мощности и производство
Wolfspeed производит чипы Gen4 на основе технологии 200-мм пластин, опираясь на крупнейший в мире завод по производству карбида кремния, и планирует увеличить производственные мощности в 30 раз, чтобы еще больше укрепить свое лидерство на рынке.
Заключение
MOSFET Wolfspeed Gen4 SiC переопределил стандарты высокомощных приложений благодаря многомерной оптимизации характеристик (эффективность, надежность, простота использования) и особенно подходит для сценариев с высокими требованиями к энергоэффективности и долговечности. Технические детали и фактические данные (например, сравнение форм волн, снижение потерь) можно найти в официальном техническом документе.
время:2025-08-12
время:2025-08-12
время:2025-08-12
время:2025-08-12
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: