Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

28 июля 2025 года компания Kioxia, мировой лидер в области решений для хранения данных, объявила о начале поставок образцов 512-гигабитной TLC-памяти, в которой используется технология 3D-флэш-памяти BiCS FLASH™ девятого поколения (1). Продукт планируется запустить в серийное производство в 2025 году. Он призван стать решением, сочетающим в себе превосходную производительность и энергоэффективность, для рынка устройств хранения данных средней и малой емкости. Кроме того, этот продукт будет интегрирован в твердотельные накопители Kioxia корпоративного уровня, в частности, в приложения, требующие повышения производительности графического процессора системы искусственного интеллекта.

Чтобы удовлетворить разнообразные потребности рынка передовых приложений и одновременно предлагать инвестиционно-эффективные и конкурентоспособные продукты, Kioxia продолжит реализацию «двойной стратегии», а именно:

Продукты BiCS FLASH™ девятого поколения: использование технологии CBA (CMOS directly Bonded to Array, прямое соединение периферийных цепей с массивом памяти) (2), сочетание существующей технологии ячеек памяти (3) с новейшей технологией CMOS, что позволяет снизить производственные затраты и одновременно обеспечить превосходную производительность.

 Продукты BiCS FLASH™ десятого поколения: увеличение количества слоев ячеек памяти для удовлетворения будущего спроса рынка на решения с большей емкостью и более высокой производительностью.

Новое BiCS FLASH™ 512Gb TLC девятого поколения разработано на основе 120-слойного процесса, использующего технологию BiCS FLASH™ пятого поколения, и передовой технологии CMOS. По сравнению с существующими продуктами BiCS FLASH™ (4) той же емкости (512 Гб) от Kioxia, его производительность значительно повышена, в том числе:

Производительность записи: повышена на 61%

Производительность чтения: повышение на 12%

Энергоэффективность: повышение энергоэффективности операций записи на 36% и операций чтения на 27%

Скорость передачи данных: поддержка интерфейса Toggle DDR6.0, позволяющего достичь скорости передачи данных по интерфейсу NAND до 3,6 Гбит/с

Плотность битов: повышение плотности битов на 8% за счет передовой технологии горизонтального масштабирования

Кроме того, Kioxia подтвердила, что в демонстрационных условиях скорость интерфейса NAND 512Gb TLC может достигать 4,8 Гбит/с. Продуктовая линейка будет определяться в зависимости от рыночного спроса.

Kioxia стремится углублять глобальные партнерские отношения и постоянно продвигать технологические инновации, чтобы предоставлять клиентам оптимальные решения для хранения данных, отвечающие их разнообразным потребностям.

(1) Эти образцы предназначены только для проверки функциональности, их характеристики могут отличаться от характеристик серийных компонентов.

(2) Технология CBA (CMOS directly Bonded to Array, прямое соединение периферийных цепей с массивом памяти) означает, что CMOS-пластины и пластины массива ячеек памяти изготавливаются отдельно в более оптимальных условиях, а затем соединяются между собой.

(3) Технология BiCS FLASH™ пятого поколения с 112 слоями и технология BiCS FLASH™ восьмого поколения с 218 слоями. Новые продукты BiCS FLASH™ девятого поколения будут интегрировать одну из этих двух технологий в зависимости от модели.

(4) BiCS FLASH™ шестого поколения будет использоваться в этом продукте TLC 512 Гб.

(5) 1 Гбит/с рассчитывается как 1 000 000 000 бит/с. Это значение получено в специальной тестовой среде компании Kioxia Corporation и может изменяться в зависимости от условий использования.