Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Поставка продуктов Microchip MOSFET: MOSFET из карбида кремния, MOSFET для радиочастотного диапазона, MOSFET для силовых цепей

Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., являясь ведущим мировым поставщиком электронных компонентов, опираясь на богатый опыт в отрасли и глобальную сеть поставок, придерживается принципов «качество превыше всего, разумные цены, быстрая доставка, обслуживание превыше всего» и постоянно оптимизирует управление цепочкой поставок, предоставляя клиентам комплексные услуги по поставке различных электронных компонентов.

Основные продукты включают: 5G-чипы, IC для новых источников энергии, IC для Интернета вещей, Bluetooth-IC, IC для автомобильных сетей, IC для автомобильной промышленности, IC для связи, IC для искусственного интеллекта и т. д. Кроме того, компания поставляет IC для памяти, IC для датчиков, IC для микроконтроллеров, IC для приемопередатчиков, IC для Ethernet, WiFi-чипы, модули беспроводной связи, разъемы и другие электронные компоненты.

Основные конкурентные преимущества:

Глобальная сеть поставок: компания имеет филиалы и складские центры в Шэньчжэне, Гонконге и других регионах, что позволяет ей реализовывать глобальную сеть закупок и дистрибуции. Такая структура не только обеспечивает стабильность поставок, но и значительно сокращает сроки доставки, а некоторые срочные заказы могут быть отправлены в пределах страны в течение 24 часов.

Обширная система складирования: компания имеет более 2 миллионов наименований товаров на складе, поддерживает достаточные запасы различных моделей продукции и одновременно поддерживает фьючерсные заказы.

Гарантия качества: все поставляемые продукты закупаются через официальные авторизованные каналы, что гарантирует 100% подлинность и позволяет предоставить полную информацию о серийном номере и документах о соответствии, что полностью исключает риск подделки или некачественной продукции.

Преимущества продуктов и технологий MOSFET из карбида кремния (SiC)

MOSFET из карбида кремния (SiC), как представитель третьего поколения полупроводниковых материалов, революционно меняет ситуацию в области проектирования силовой электроники. Серия продуктов MOSFET из карбида кремния Microchip, благодаря своим превосходным рабочим характеристикам и надежности, стала предпочтительным решением для высокотехнологичных приложений, таких как новые энергетические транспортные средства, фотоэлектрическая энергетика и промышленные источники питания.

Что касается диапазона напряжений, MOSFET SiC Microchip охватывают все уровни напряжения 650 В, 1200 В и 1700 В, удовлетворяя потребности различных сценариев применения в отношении напряжения блокировки. Серия 650 В особенно подходит для средне- и высоковольтных приложений, таких как источники питания серверов и бортовые зарядные устройства (OBC) для электромобилей; серия 1200 В является идеальным выбором для фотоэлектрических инверторов и приводов промышленных двигателей; а серия 1700 В в основном предназначена для приложений с очень высоким напряжением, таких как железнодорожный транспорт и интеллектуальные электросети.

Ключевые технические параметры: MOSFET Microchip SiC имеют очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и отличные характеристики переключения. Например, в серии 1200 В сопротивление проводимости может быть снижено до 80 мОм, что значительно уменьшает потери при проводимости; в то же время скорость переключения в несколько раз выше, чем у традиционных MOSFET на основе кремния, что значительно снижает потери при переключении. Эти характеристики позволяют повысить общую эффективность системы на 3-5%, что имеет большое экономическое значение для энергоемких приложений.

Разнообразие форм корпусов: MOSFET Microchip SiC предлагает различные варианты корпусов, такие как TO-247, D2PAK, DFN и другие, для различных требований к теплоотводу и пространству. Особого упоминания заслуживают продукты SiC Power Module, в которых несколько MOSFET SiC и диодов интегрированы в одном корпусе, образуя топологические структуры полумоста, полного моста и т. д., что значительно упрощает процесс проектирования и сборки для клиентов.

Тепловые характеристики являются еще одним важным преимуществом SiC-устройств. Теплопроводность карбида кремния достигает 4,9 Вт/см·К, что более чем в 3 раза превышает теплопроводность кремния, что позволяет SiC MOSFET стабильно работать при более высоких температурах (обычно до 175 °C и даже 200 °C), снижая сложность и стоимость проектирования систем охлаждения.

Что касается сертификации надежности, серия продуктов Microchip SiC MOSFET прошла строгую сертификацию AEC-Q101 для автомобильной промышленности, а некоторые модели также соответствуют промышленному стандарту JEDEC, что гарантирует их долгосрочную стабильную работу в суровых условиях.

Серия продуктов RF MOSFET и сценарии применения

В области беспроводной связи и радиочастотных приложений линейка продуктов RF MOSFET Microchip с ее превосходными высокочастотными характеристиками и стабильной выходной мощностью стала идеальным выбором для высокотехнологичных приложений, таких как базовые станции, системы вещания и военная связь. Эти устройства специально оптимизированы для усиления высокочастотных сигналов и обеспечивают высокую линейность при отличной дополнительной эффективности мощности (PAE).

РЧ-MOSFET Microchip в основном делятся на две технологические линейки:

РЧ-силовые транзисторы LDMOS: используют технологию поперечно-диффузионных металлооксидных полупроводников (LDMOS), рабочая частота составляет от 30 МГц до 3,5 ГГц, особенно подходят для применения в усилителях мощности базовых станций. Типичным примером таких устройств является серия MRF от Microchip, которая обеспечивает насыщенную выходную мощность 120 Вт в диапазоне частот 2,6 ГГц и коэффициент усиления мощности 17 дБ, что делает ее основным компонентом усилителей мощности для макробазовых станций 4G/5G.

VHF/UHF-радиочастотные MOSFET: специально разработаны для диапазонов очень высоких частот (VHF) и ультравысоких частот (UHF), с частотным диапазоном от 30 МГц до 1 ГГц, широко используются в военной связи, авиационной навигации и системах теле- и радиовещания. Такие устройства обеспечивают выходную мощность 50 Вт в диапазоне частот 400 МГц, а третий порядок перекрестных искажений (OIP3) достигает 50 дБм, что гарантирует высокую точность передачи сигнала.

С точки зрения формы корпуса, радиочастотные MOSFET Microchip в основном используют керамические корпуса (такие как SOT-89, SOT-539) и пластиковые корпуса (такие как TO-220, TO-270), что учитывает как требования к высокочастотным характеристикам, так и потребности в теплоотводе и факторы стоимости.

Применение в базовых станциях 5G является важным фактором роста для радиочастотных MOSFET. С расширением строительства сетей 5G в средне- и высокочастотных диапазонах (3,5–6 ГГц) предъявляются более высокие требования к линейности и эффективности силовых устройств. Новые радиочастотные MOSFET Microchip благодаря улучшенному согласованию нагрузки и теплоусиливающему корпусу достигают 45 % дополнительной эффективности мощности в диапазоне 3,5 ГГц, что примерно на 8 % выше, чем у продуктов предыдущего поколения, что значительно снижает затраты на энергопотребление при эксплуатации базовых станций.

В плане надежности конструкции в радиочастотных MOSFET Microchip использованы несколько инновационных технологий:

оптимизированная компоновка соединений истока снижает паразитную индуктивность

улучшенная структура пассивирующего слоя повышает стабильность в условиях повышенной влажности

улучшенный теплопроводящий материал снижает тепловое сопротивление (RthJC) на 15%

Эти усовершенствования позволяют устройству стабильно работать в условиях высокого коэффициента стоячей волны (VSWR) и адаптироваться к сложной импедансной среде на антенном конце базовой станции.

Линейка продуктов и технические характеристики силовых MOSFET

Силовые MOSFET являются основными переключающими устройствами в электронных системах электропитания, и их характеристики напрямую влияют на эффективность и надежность всей системы электропитания. Линейка силовых MOSFET Microchip охватывает полный спектр решений от низкого до высокого напряжения, от стандартных продуктов до продуктов автомобильного класса, удовлетворяя разнообразные потребности промышленных источников питания, приводов двигателей, бытовой электроники и других приложений.

Одной из отличительных черт силовых MOSFET Microchip является полный охват диапазона напряжений, который можно разделить на три основные категории:

Низковольтные MOSFET (30 В-100 В): используют передовую технологию транзисторов с канальным затвором, сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) может достигать менее 1 мОм, что особенно подходит для синхронного выпрямления и преобразования постоянного тока в постоянный. Типичные модели, такие как серия MCP от Microchip, имеют сопротивление в открытом состоянии всего 0,77 мОм при 40 В/100 А, что значительно снижает потери в открытом состоянии.

MOSFET среднего и высокого напряжения (150 В-800 В): на основе технологии Super Junction достигается превосходный коэффициент качества (FOM=RDS(on)×Qg), что обеспечивает отличную работу в импульсных источниках питания и фотоэлектрических инверторах. Например, устройства серии MCH 600 В от Microchip используют инновационную структуру балансировки заряда, что позволяет снизить потери при переключении примерно на 30 % по сравнению с традиционными MOSFET.

MOSFET автомобильного класса: сертифицирован по стандарту AEC-Q101, обладает более высокой устойчивостью к лавинообразным процессам и надежностью при температурных циклах, подходит для использования в ключевых узлах электроприводных систем новых энергетических транспортных средств, бортовых зарядных устройств (OBC) и т. д.

Разнообразие технологий упаковки удовлетворяет потребности различных сценариев применения. Мощные MOSFET Microchip предлагаются в различных корпусах, от традиционных TO-220, TO-247 до передовых PQFN, DirectFET и т. д. В частности, технология медных зажимов (например, TOLL-8) заменяет традиционные соединительные провода на медные пластины, что снижает сопротивление корпуса на 50% и тепловое сопротивление на 30%, значительно улучшая характеристики при применении с большими токами.

Что касается характеристик переключения, MOSFET Microchip для силовых приложений благодаря оптимизации структуры затвора и расположения чипа обеспечивают:

крайне низкий заряд затвора (Qg), у некоторых моделей менее 30 нКл, что снижает потери при управлении

оптимизированный заряд обратного восстановления (Qrr), особенно подходящий для высокочастотных переключающих приложений

время переключения до 1 нс, что повышает точность управления PWM

Эти характеристики дают силовым MOSFET Microchip явное преимущество в высокочастотных высокоэффективных приложениях, таких как источники питания серверов и промышленные преобразователи частоты.