Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Поставка продуктов GaN от Infineon: двунаправленные переключатели GaN, контроллеры GaN, интеллектуальные устройства GaN, транзисторы GaN

Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., являющаяся ведущим поставщиком электронных компонентов в Китае, благодаря своей мощной сети поставок и профессиональным отраслевым услугам, предоставляет клиентам стабильные и надежные оригинальные продукты.

Основные продукты включают: 5G-чипы, IC для новых источников энергии, IC для Интернета вещей, Bluetooth-IC, IC для автомобильных сетей, IC для автомобильной промышленности, IC для связи, IC для искусственного интеллекта, IC для памяти, IC для датчиков, IC для микроконтроллеров, IC для приемопередатчиков, IC для Ethernet, WiFi-чипы, модули беспроводной связи, разъемы и другие электронные компоненты.

В области поставок компания обладает следующими основными преимуществами:

Прямые поставки от производителя и гарантия качества: все продукты закупаются через официальные каналы, что гарантирует 100% подлинность и предоставление полного номера партии от производителя.

Массовые закупки и оптимизация затрат: благодаря тесному сотрудничеству с многими известными брендами и преимуществам массовых закупок компания может значительно снизить совокупную стоимость электронных компонентов и предложить клиентам очень конкурентоспособные цены.

Гибкая и быстрая доставка: центральный склад в Шэньчжэне и таможенный склад в Гонконге работают совместно, обеспечивая доставку экспресс-почтой в течение 48 часов, а срочные заказы могут быть отправлены по стране в течение 24 часов.

Ганид (GaN)

CoolGaN™ – дискретные устройства и интегрированные решения, обеспечивающие максимальную эффективность и плотность мощности для потребительской электроники, промышленности и автомобилестроения.

Двунаправленные переключатели GaN от Infineon и их применение

Двунаправленные переключатели (BDS) из серии CoolGaN™ компании Infineon представляют собой важное направление инноваций в области преобразования энергии с использованием технологии GaN. Двунаправленные переключатели Infineon на 40 В изготовлены по передовой технологии GaN-on-Si и содержат два высокопроизводительных GaN HEMT (транзистора с высокой подвижностью электронов), что позволяет реализовать двунаправленное управление током в одном корпусе, значительно упрощая конструкцию схемы и повышая надежность системы. Эти устройства имеют чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии (типичное значение 1,1 мОм ~ 2,3 мОм) и сверхбыструю скорость переключения, поддерживают рабочую частоту до 2 МГц, что в 5-10 раз превосходит характеристики традиционных кремниевых MOSFET, и особенно подходят для приложений, требующих высокочастотной и высокоэффективной работы.

Основное технологическое преимущество двунаправленных переключателей GaN заключается в отсутствии обратного восстановления диода. В отличие от кремниевых устройств, GaN-устройства не генерируют обратный ток восстановления при обратном прохождении тока, что полностью устраняет потери при переключении и проблемы с электромагнитными помехами, связанные с обратным восстановлением диода традиционных MOSFET. Двунаправленные переключатели CoolGaN™ от Infineon также используют инновационную технологию управления затвором, которая обеспечивает стабильность и надежность устройств при высокочастотном переключении, а также упрощает конструкцию схемы управления. Эти характеристики позволяют двунаправленным переключателям GaN демонстрировать отличную производительность в приложениях, требующих двунаправленного потока энергии, таких как синхронная ректификация, H-мост привода двигателя и беспроводная зарядка.

Контроллеры GaN и интеллектуальные устройства Infineon

Линейка контроллеров GaN от Infineon включает в себя автономные драйверы затвора и высокоинтегрированные интеллектуальные силовые модули (IPM), которые оптимизированы для уникальных характеристик силовых устройств GaN и позволяют в полной мере использовать преимущества высокочастотной эффективности технологии GaN. Особого внимания заслуживают интеллектуальные силовые микросхемы с интегрированными GaN-переключателями и драйверами, такие как NV6133A, в которых используется технология GaNSense™, обеспечивающая без потерь отбор тока и комплексные функции защиты, что значительно упрощает проектирование систем и повышает их надежность.

GaNFast™ — это флагманская серия контроллеров GaN от Infineon. Например, чип NV6133A имеет встроенный высокопроизводительный GaN-переключатель и драйвер, поддерживает широкий диапазон VCC от 10 до 30 В, программируемый dV/dt при включении и обеспечивает устойчивость к помехам dV/dt 200 В/нс7. Это устройство имеет переходный уровень напряжения 800 В и непрерывный уровень напряжения 700 В, сопротивление в открытом состоянии составляет всего 330 мОм, а рабочая частота достигает 2 МГц. Интегрированная технология GaNSense™ обеспечивает такие интеллектуальные функции, как защита от короткого замыкания, защита от перегрева и автономный режим ожидания с низким током, устраняя потери мощности в резисторах отбора тока, характерные для традиционных конструкций, и еще больше повышая эффективность и надежность системы.

Серия GaN-транзисторов Infineon

Линейка GaN-транзисторов Infineon охватывает широкий спектр применений от среднего до высокого напряжения, включая полную серию GaN-транзисторов, в том числе CoolGaN™ G3 (среднее напряжение), CoolGaN™ G5 (высокое напряжение) и серию IGT для промышленного применения. Эти устройства изготовлены с использованием передовой технологии 8-дюймовых пластин, что значительно повышает плотность мощности, частоту переключения и тепловые характеристики, что делает их пригодными для передовых применений от бытовой электроники до промышленных источников питания.

Серия CoolGaN™ G3 оптимизирована для средневольтных приложений, имеет диапазон напряжений от 40 до 120 В, использует стандартные корпуса RQFN 5x6 и 3,3x3,3 и совместима с традиционными выводами кремниевых MOSFET, что упрощает переход клиентов на новую конструкцию. Устройства этой серии имеют очень низкое сопротивление в открытом состоянии (1,1 мОм ~ 2,3 мОм) и отличную стабильность при тепловых циклах, что делает их особенно подходящими для высокочастотных переключающих приложений. В конструкциях быстрой зарядки USB-C транзисторы GaN серии G3 обеспечивают эффективность более 95% при уменьшении размера источника питания более чем на 50%; в приводах двигателей и источниках питания для телекоммуникаций их высокочастотные характеристики помогают уменьшить размеры фильтрующих элементов и увеличить полосу пропускания управления.

Серия CoolGaN™ G5 — это флагманский продукт Infineon для высоковольтных приложений с напряжением до 650 В, в котором используется инновационная технология GIT (транзисторы с инжекцией затвора), обеспечивающая повышение эффективности на 3–5 % по сравнению с предыдущим поколением. Транзисторы GaN серии G5 имеют чрезвычайно низкие переключательные потери, поддерживают рабочие частоты от сотен кГц до МГц, а также обладают превосходной устойчивостью к dv/dt и короткозамкнутым нагрузкам. В фотоэлектрических инверторах устройства G5 обеспечивают эффективность преобразования более 99%, что значительно повышает энергетическую производительность системы генерации электроэнергии; в источниках питания серверов и бортовых зарядных устройствах (OBC) электромобилей их высокая удельная мощность способствует созданию более компактных систем.