sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Поставка чипов TI GaN: начало новой эры высокой эффективности и высокой плотности мощности
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. в качестве профессионального поставщика электронных компонентов, в настоящее время поставляет чипы на основе гал…
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. в качестве профессионального поставщика электронных компонентов, в настоящее время поставляет чипы на основе галидной кремния (GaN) и сопутствующие продукты компании Texas Instruments. Технология GaN от TI, благодаря своим превосходным характеристикам и надежности, способствует инновациям и изменениям в области управления питанием.
1. Типы чипов на основе галидной кремния (GaN) от TI
Mingjiada поставляет несколько типов высокопроизводительных чипов на основе галидной кремния (GaN), которые используются в различных областях, включая промышленность, автомобилестроение, центры обработки данных, возобновляемые источники энергии и т. д. Ниже представлены основные серии продуктов:
✅ Серия LMG34xx (600 В/650 В GaN FET)
LMG3410R050: 600 В/50 мОм GaN FET, интегрированные функции управления и защиты, подходит для высокочастотных импульсных источников питания, источников питания серверов и т. д.
LMG3410R070: 600 В/70 мОм GaN FET, поддерживает частоту переключения 1 МГц, подходит для приводов промышленных двигателей, фотоэлектрических инверторов.
LMG3411R070: 600 В/70 мОм GaN FET, оптимизированный дизайн с высокой плотностью мощности, подходит для приложений класса 10 кВт.
LMG3425R030: 600 В/30 мОм GaN FET (промышленный класс), встроенный драйвер 2,2 МГц, повышенная плотность мощности.
LMG3525R030-Q1: 650 В/30 мОм GaN FET (автомобильный класс), подходит для OBC (бортового зарядного устройства) электромобилей.
✅ Серия LMG2100 (100 В GaN FET)
LMG2100R026: 100 В/2,6 мОм GaN FET, специально разработанный для привода суставов роботов, размер уменьшен на 50 % по сравнению с кремниевым MOSFET.
LMG2100R044: 100 В/4,4 мОм GaN FET, подходит для 48 В гибридных систем и аудиоусилителей класса D.
✅ Интегрированные GaN-модули мощности
LMG5200: 80 В/10 А GaN-модуль полумоста, подходит для высокочастотного преобразования постоянного тока.
LMG1210: GaN FET в сверхмалом корпусе, подходит для портативных устройств и бытовой электроники.
2. Преимущества Mingjida Electronics
🔹 Оригинальные продукты: 100% оригинальные продукты, гарантия качества.
🔹 Наличие на складе: популярные модели всегда в наличии на складах в Шэньчжэне и Гонконге, поддержка закупок небольших партий.
🔹 Глобальная логистика: поддержка авиаперевозок DHL/FedEx, обеспечение быстрой доставки на мировой рынок.
3. Типичные области применения
Промышленные источники питания: фотоэлектрические инверторы, модули питания серверов, приводы промышленных двигателей.
Автомобильная электроника: зарядка электромобилей (OBC), 48-вольтовые системы мягкого гибридного привода, автомобильные преобразователи постоянного тока.
Центры обработки данных: высокоэффективные источники питания титанового уровня (эффективность 96%+), снижение эксплуатационных расходов.
Потребительская электроника: быстрая зарядка на основе галидных нанокристаллов (65 Вт-140 Вт), аудиоусилители класса D.
Для получения конкретной цены на модель или консультации по закупкам, пожалуйста, свяжитесь с г-ном Чэном по телефону +86 13410018555 или по электронной почте sales@hkmjd.com. Mingjiada Electronics стремится предоставлять своим клиентам эффективные, надежные и экономичные решения на основе галидных нанокристаллов TI!
время:2025-07-12
время:2025-07-12
время:2025-07-12
время:2025-07-12
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: