sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Mingjiada Поставка [ST] N- Канальные MOSFETs, STPOWER Карбид Кремния (SiC) MOSFETs
Mingjiada Поставка [ST] N- Канальные MOSFETs, STPOWER Карбид Кремния (SiC) MOSFETsMingjiada Electronics - долгосрочные поставки [ST] MOSFETs устройств, включая поставки N-кан…
Mingjiada Поставка [ST] N- Канальные MOSFETs, STPOWER Карбид Кремния (SiC) MOSFETs
Mingjiada Electronics - долгосрочные поставки [ST] MOSFETs устройств, включая поставки N-канальных MOSFETs, STPOWER Silicon Carbide MOSFETs, Mingjiada Electronics строго контролирует цепочку поставок, чтобы обеспечить стабильность и надежность поставок продукции, поддерживает мелкосерийные закупки и крупносерийные заказы, и опирается на эффективную логистическую систему для обеспечения своевременной доставки продукции. Мы поддерживаем мелкосерийные закупки и крупносерийные заказы, а также опираемся на эффективную систему логистики для обеспечения своевременной доставки продукции.
ST N-канальные MOSFET: краеугольный камень высокоэффективного управления питанием
Mingjiada Electronics поставляет полный ассортимент ST N-канальных MOSFET, покрывающих широкий спектр потребностей от низковольтных до высоковольтных:
Серии с ультранизким сопротивлением включения (например, серия STL):
Оптимизированы для высокой эффективности и плотности мощности.
Типичные модели: STL160N10F7 (100 В, 1,6 мОм макс.), STL180N6F7 (60 В, 1,8 мОм макс.)
МОП-транзисторы автомобильного класса (например, серия STripFET™ VII):
Соответствуют стандартам AEC-Q101 для обеспечения надежности в жестких условиях эксплуатации.
Типовая модель: STD85N4LF7AG (40 В, 0,85 мОм макс.), STD95N4LF7AG (40 В, 0,95 мОм макс.)
Высоковольтные МОП-транзисторы (например, серии MDmesh™ DM2/DM6/K5):
Оптимизированные потери при переключении для КРМ, Flyback/Forward преобразователей и т. д.
Типовые модели: STP16N50DM2 (500 В, 0.28Ω), STW20NM50 (500 В, 0.22Ω), STF21N60DM2 (600 В, 0.19Ω), STP18N80K5 (800 В, 0.28Ω)
Средне- и низковольтные MOSFETs (например, серия PowerFLAT™):
Типовые модели: STD5NK50ZT4 (500V, 1.5Ω), STD10N60DM2AG (600V, 0.65Ω), STP55N60M2 (600V, 0.07Ω)
МОП-транзисторы STPOWER из карбида кремния (SiC): открывая новую эру энергоэффективности
Minjiada Electronics предлагает ведущий портфель МОП-транзисторов ST SiC:
650V SiC MOSFETs: для высокоэффективных AC-DC, DC-DC преобразователей.
Типовые модели:
SCTW35N65G2V (TO-247-3L), SCTW70N65G2V (TO-247-3L), SCTH70N65G2V-4 (TO-247-4L - источник Кельвина для оптимизации характеристик переключения)
1200V SiC MOSFETs: идеально подходят для фотоэлектрических инверторов, зарядки EV, промышленных источников питания.
Типовые модели:
SCTW100N120G2V (TO-247-3L), SCTW140N120G2V (TO-247-3L), SCTH70N120G2V-4 (TO-247-4L), SCTH50N120G2V-4 (TO-247-4L)
Модели высокой мощности: SCTW160N120G2V (TO-247-3L), SCTW200N120G2V (TO-247-3L)
1700 В SiC MOSFETs: отвечают потребностям приложений с более высоким напряжением (например, крупномасштабных фотоэлектрических систем, промышленных приводов).
Типовая модель: SCTW80N170G2V (TO-247-3L)
【Mingjiada Electronics】Долгосрочные поставки ST N-канальных МОП-транзисторов, STPOWER карбидокремниевых МОП-транзисторов, для получения дополнительной информации о продукции или для консультации по цене, добро пожаловать в Mingjiada Electronics:
QQ: 1668527835
Тел: 13410018555
E-mail: chen13410018555@163.com
Главная страница URL: www. hkmjd.com
время:2025-07-05
время:2025-07-05
время:2025-07-05
время:2025-07-05
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: