Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. ведущий поставщик в отрасли электронных компонентов, на постоянной основе поставляет полный ассортимент силовых устройств из карбида кремния (SiC) компании Infineon, предлагая клиентам по всему миру эффективные и надежные решения в области силовых полупроводников. Infineon, лидер в области технологий карбида кремния, занимает ведущее положение в отрасли по эффективности, плотности мощности и надежности систем благодаря своей линейке продуктов CoolSiC™.

Ниже приведены типы устройств на основе карбида кремния Infineon, поставляемых компанией Mingjiada Electronics:

1. Дискретные устройства CoolSiC™ MOSFET

Дискретные устройства CoolSiC™ MOSFET от Infineon обладают высокой эффективностью и энергосбережением, а также оптимальной надежностью. Они выпускаются в дискретных корпусах и доступны с напряжением 650 В, 1200 В и 1700 В. Эти устройства идеально подходят для топологий с жестким переключением и гармоническим переключением, таких как LLC и ZVS, и позволяют значительно повысить эффективность системы.

400 В CoolSiC™ MOSFET: особенно подходит для фазы преобразования переменного тока в постоянный ток в блоках питания (PSU) серверов искусственного интеллекта, а также для таких применений, как солнечные и энергохранительные системы.

650 В CoolSiC™ MOSFET: обладает оптимизированным поведением при переключении при высоком токе и низкой емкости, подходит для различных промышленных применений, включая серверы, телекоммуникации, приводы двигателей и т. д.

750 В и 1200 В CoolSiC™ MOSFET: подходят для промышленных и автомобильных приложений, таких как автомобильные зарядные устройства/PFC, вспомогательные инверторы и источники бесперебойного питания (UPS).

1700 В CoolSiC™ MOSFET: подходят для топологии с обратной связью, например, в системах хранения энергии, быстрой зарядке электромобилей, управлении питанием (SMPS) и решениях для солнечных систем.

2000 В CoolSiC™ MOSFET: обеспечивают более высокую плотность мощности и запас по напряжению, подходят для высоковольтных приложений, таких как быстрая зарядка электромобилей, а также для решений для солнечных систем.

2. Модули мощности CoolSiC™ MOSFET

Модули мощности CoolSiC™ MOSFET от Infineon доступны в различных конфигурациях, включая трехступенчатые, fourpack, полумостовые, sixpack и с расширением тока, и подходят для различных высокопроизводительных приложений. 

3. Диоды Шотки CoolSiC™

Диоды Шотки CoolSiC™ от Infineon покрывают диапазон напряжений от 600 В и 650 В до 1200 В, имеют низкое сопротивление в открытом состоянии и быстрые характеристики переключения, что делает их пригодными для различных высокочастотных приложений.

Диоды Шотки CoolSiC™ 600 В и 650 В: подходят для низковольтных высокочастотных приложений.

Шотки-диоды CoolSiC™ 1200 В: подходят для высоковольтных приложений, таких как промышленные источники питания и зарядные станции для электромобилей.

Преимущества поставок

Mingjiada Electronics предоставляет следующие гарантии поставок:

100% оригинальные продукты: все устройства Infineon из карбида кремния поставляются из официальных каналов или заводских складов

Огромные складские запасы: на складах в Шэньчжэне и Гонконге всегда имеются в наличии различные серии устройств на основе карбида кремния

Гибкие условия закупки: поддержка закупок небольших партий образцов и крупных заказов

Глобальная логистическая сеть: благодаря штаб-квартире в Шэньчжэне и международным логистическим партнерам мы гарантируем быструю доставку

Контактная информация

Для получения дополнительной информации об устройствах Infineon на основе карбида кремния или для их закупки обращайтесь в Mingjiada Electronics:

Телефон: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Веб-сайт: http://www.hkmjd.com

Адрес: комната 1239-1241, здание New Asia Guoli, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen, Guangdong Province