Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Сегодня компания Renesas Electronics объявила о выпуске трех новых высоковольтных GaN FET 650 В — TP65H030G4PRS, TP65H030G4PWS и TP65H030G4PQS, которые подходят для использования в центрах обработки данных искусственного интеллекта (AI) и источниках питания серверов (включая новую высоковольтную архитектуру постоянного тока 800 В), зарядке электромобилей, устройствах резервного питания с бесперебойным источником питания, аккумуляторных батареях и солнечных инверторах. Эти продукты четвертого поколения (Gen IV Plus) специально разработаны для применения в многокиловаттных системах и сочетают в себе высокоэффективную технологию GaN с совместимым с кремнием входом затворного драйвера, что значительно снижает потери мощности при переключении, сохраняя при этом простоту эксплуатации кремниевых FET. Новые продукты предлагаются в трех вариантах корпусов: TOLT, TO-247 и TOLL, что дает инженерам возможность гибко настраивать тепловое управление и конструкцию печатных плат для конкретных архитектур источников питания.

Все три новых продукта созданы на основе надежной и устойчивой платформы SuperGaN®. Эта платформа использует проверенную в практическом применении архитектуру с постоянным отключением (d-mode), впервые разработанную компанией Transphorm (приобретенной Renesas в июне 2024 года). По сравнению с кремниевыми, карбид-кремниевыми (SiC) и другими GaN-продуктами, продукты на основе технологии с низкими потерями и истощением имеют более высокую эффективность. Кроме того, они минимизируют потери мощности за счет более низкого заряда затвора, выходной емкости, кросс-потерь и динамического сопротивления, а также имеют более высокое пороговое напряжение 4 В, что недостижимо для современных GaN-продуктов с усилением (e-mode).

Новые продукты Gen IV Plus на 14 % меньше по размеру, чем чипы предыдущего поколения Gen IV, что позволяет достичь более низкого сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)) в 30 мОм, что на 14 % ниже, чем у предыдущего поколения, и на 20 % улучшить показатель эффективности (FOM), который является произведением сопротивления в открытом состоянии и выходной емкости. Меньший размер кристалла способствует снижению стоимости системы, уменьшению выходной емкости, а значит, повышению эффективности и удельной мощности. Эти преимущества делают продукты Gen IV Plus идеальным выбором для приложений, чувствительных к стоимости и требующих высокой теплоотдачи, особенно в случаях, когда требуется высокая производительность, эффективность и компактность. Они полностью совместимы с существующими конструкциями, что облегчает модернизацию и защищает уже сделанные инвестиции в разработку.

Эти продукты используют компактные корпуса TOLT, TO-247 и TOLL, предлагая широкий выбор корпусов для систем питания мощностью от 1 кВт до 10 кВт, отвечающих требованиям оптимизации тепловых характеристик и компоновки, а также позволяющих параллельно подключать системы питания более высокой мощности. Новые корпуса для поверхностного монтажа включают нижний теплоотвод (TOLL) и верхний теплоотвод (TOLT), что помогает снизить температуру корпуса и облегчает параллельное соединение устройств, когда требуется более высокий ток проводимости. Кроме того, широко используемый корпус TO-247 обеспечивает клиентам более высокую теплоемкость для достижения более высокой мощности.

Примит Парих, вице-президент подразделения GaN Business Division в Renesas, сказал: «Успешный запуск продуктов Gen IV Plus GaN знаменует собой первый важный шаг Renesas в области GaN-технологий после завершения приобретения Transphorm в прошлом году. В будущем мы будем глубоко интегрировать проверенную рынком технологию SuperGaN с богатым ассортиментом драйверов и контроллеров Renesas, стремясь создать комплексные решения для источников питания. Эти продукты могут использоваться не только как отдельные FET, но и интегрироваться с контроллерами или драйверами Renesas в комплексные системные решения. Такое инновационное сочетание предоставит разработчикам возможность создавать продукты с более высокой удельной мощностью, меньшими размерами, более высокой эффективностью и более низкой общей стоимостью системы».

Уникальная конструкция с постоянным отключением и истощением обеспечивает надежность и простоту интеграции

Как и предыдущие истощающие GaN-продукты, новые GaN-продукты Renesas используют уникальную конфигурацию с интегрированным низковольтным кремниевым MOSFET, обеспечивая бесперебойную работу с постоянным отключением и в то же время в полной мере используя преимущества высоковольтного GaN в плане низких потерь и высокой эффективности переключения. Благодаря использованию кремниевого FET на входном уровне, SuperGaN FET может управляться стандартными готовыми драйверами затвора, без необходимости использования специальных драйверов, которые обычно требуются для усиливающих GaN. Такая совместимость упрощает процесс проектирования и снижает порог внедрения технологии GaN для разработчиков систем.

Для удовлетворения высоких требований в таких областях, как электромобили (EV), инверторы, серверы центров обработки данных с искусственным интеллектом, возобновляемые источники энергии и промышленные преобразователи мощности, переключающие устройства на основе GaN быстро становятся ключевой технологией следующего поколения силовых полупроводников. По сравнению с переключающими устройствами на основе SiC и кремния, они обладают более высокой эффективностью, более высокой частотой переключения и меньшими размерами.

Renesas занимает уникальное положение на рынке GaN, предлагая полный спектр решений GaN FET для высокой и низкой мощности, что контрастирует с другими производителями, которые добились успеха только в сегменте низкой мощности. Богатый ассортимент продукции позволяет Renesas удовлетворять потребности более широкого спектра приложений и клиентов. На сегодняшний день Renesas поставила более 20 миллионов GaN-устройств для приложений высокой и низкой мощности, которые в совокупности проработали более 30 миллиардов часов.

Информация о поставках

TP65H030G4PRS, TP65H030G4PWS и TP65H030G4PQS, а также 4,2-кВт тотемная колонна PFC GaN оценочная платформа (RTDTTP4200W066A-KIT) уже доступны для заказа.

Ощутите мощь Renesas

Ориентируясь на инновации, качество и надежность, Renesas лидирует в области силовой электроники, ежегодно поставляя более 4 миллиардов компонентов. Ассортимент продукции включает микросхемы управления питанием, дискретные и широкозонные GaN-продукты, вычислительные силовые устройства и т. д. Эти продукты охватывают все основные рынки, включая автомобильную промышленность, Интернет вещей, инфраструктуру и промышленные приложения. Ассортимент силовых продуктов Renesas идеально сочетается с передовыми микроконтроллерами, микропроцессорами, системными микросхемами и аналоговыми решениями компании. Благодаря сотням проверенных инженерами «успешных комбинаций» (Winning Combinations) и инновационным инструментам проектирования, таким как PowerCompass™ и PowerNavigator™, процесс проектирования для клиентов значительно упрощается и ускоряется.