Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Утилизация DRAM Память, NAND Флеш, NOR Флеш, SRAM Память, Mingjiada Утилизация Памяти ИС

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.——долгосрочная переработка Infineon (Инфинеон), Micron (Микрон), SAMSUNG (Самсунг) и других брендов полного спектра памяти, включая: DRAM (Dynamic Random Access Memory), NAND Flash (Flash) память, NOR Flash (Flash) память, SRAM память, ферроэлектрическая память (F-RAM) и другие продукты. DRAM (Dynamic Random Access Memory), NAND Flash (Flash) память, NOR Flash (Flash) память, SRAM память, ферроэлектрическая память (F-RAM) и другие продукты.

Классификация и типичные модели памяти (Infineon, Micron, SAMSUNG), которые Mingjiada специализируется на переработке: 

I. DRAM (Dynamic Random Access Memory) 

1. SAMSUNG: 

DDR4: K4A8G165WC-BCTD, K4AAG165WA-BCTD, K4A4G165WF-BCTD, M393A4K40BB M393A4K40BB1-CRC 

DDR3: K4B4G1646E-BCMA, K4B2G1646Q-BCK0 

LPDDR4/LPDDR4X: K4U6E3S4AA-MGCL, K3LKBKB0BM-MGCP, K3UH7H7HMMDGLPD 

GDDR6: K4ZAF325BM -HC14 (память)

2. Микрон: 

DDR4: MT40A1G8SA-062E:R, MT40A2G8VA-062E:R, MT40A512M16LY-062E:R 

DDR3: MT41K512M8DA-107:AUT, MT41J256M16HA-125:E 

LPDDR4/ LPDDR4X: MT53E1G32D4DT-046:AAT, MT53D512M32D4DT-046:AAT

3. Infineon: 

DRAM: CY7C10612DV33-10ZSXI (совместимая асинхронная SRAM), CY62167EV30LL-45ZXI

II. NAND Flash 

1. SAMSUNG: 

eMMC: KLMAG2JETD-B041, KLMCG8JETD-B041, KLMAG1JETD-B041 

UFS: KLUDG4U1EA-B0C1, KLUEG8UHDB-C2D1, KLUFG8RHDA-B2D1 NAND: KY7C10612DV33-10ZSXI (асинхронная SRAM совместимая), CY62167EV30LL-45ZXI B2D1 

NAND: K9F1G08U0D (SLC), K9F4G08U0D (MLC), K9GBGD8U0A (TLC)

2. Микрон: 

eMMC: MTFC64GAPALBH-IT, MTFDDAK064MAM-1K12 

UFS: MT128GAKAECN-IT, MT256GAKAEECN-IT 

NAND: MT29F1G08ABAEAWP (SLC), MT29F256G08C08C08EWP (SLC), K9F4G08U0D (MLC), K9GBGD8U0A (TLC). MT29F256G08CUCAB (MLC), MT29F1T08EMHAF (TLC)

3. Infineon: 

SLC NAND: S34ML01G100TFI000, S34ML02G100TFI000, S34ML04G100TFI000 (промышленный класс/высокая надежность)

III. NOR Flash 

Infineon: 

Последовательный (SPI) NOR: S25FL128SAGNFI000, S25FL256SAGNFI000, S25FL512SAGBHIFI0 

Параллельный NOR: S29GL01GP10TFI010, S29GL512P11TFI010, S29GL512P11TFI010 (промышленный класс/высокая надежность). S29GL512P11FFI010, S29GL01GS10TFI010 

Автомобильные NOR: серия S25FL-A (например, S25FL256LAGNFI000), серия S26KS (HyperFlash)

IV. SRAM и другая специализированная память 

Infineon: 

Асинхронная SRAM: CY62167EV30LL-45ZXI, CY62148ELL-45ZSXI 

Синхронная SRAM (QDR II+/IV, DDR II/III): CY7C15632KV18-550BZI (QDR IV), CY7C1515KV18-550BZC (DDR III) Энергонезависимая SRAM (nvSRAM): CY14B101PA-SFXI, CY14E101LA-SFXI (DDR III) CY7C1515KV18-550BZC (DDR III) 

Энергонезависимая SRAM (nvSRAM): CY14B101PA-SFXI, CY14E101LA-SFXI 

Ферроэлектрическая память (FRAM): FM25V20A-G, FM28V020-SG.

Официальные источники канала: Mingjiada Electronics перерабатывает только официальные источники канала, такие как агенты, торговцы, терминальные фабрики и т.д. Мы не принимаем неофициальные источники канала.

Особенности обслуживания: Mingjiada Electronics предоставляет различные услуги, такие как продажа, консигнация, оформление и т.д. У нас есть богатый опыт в переработке, сильная сила, богатые средства и разумные цены на переработку.

Если у вас есть память или другие электронные компоненты инвентаризации необходимо иметь дело с, добро пожаловать на контакт Mingjiada электронной утилизации команды: 

QQ: 1668527835 

Тел: 13410018555 

E-mail: chen13410018555@163.com 

Главная URL: www.hkmjd.com