Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.
sales@hkmjd.com
sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Новая информация
Первая страница
/Профессиональная информация
/
Samsung преодолела препятствие в производстве DRAM с технологией 1 нм
1 июля, согласно сообщениям корейских СМИ ETNews, AJUNEWS и fnnews, компания Samsung Electronics вчера днем по местному времени получила разрешение на подгот…
1 июля, согласно сообщениям корейских СМИ ETNews, AJUNEWS и fnnews, компания Samsung Electronics вчера днем по местному времени получила разрешение на подготовку к производству (PRA) для своей шестой поколения 10-нм DRAM-памяти 1c нм. Это означает, что Samsung завершила разработку 1c нм памяти и готова перейти к массовому производству.
Память HBM4 12Hi от Samsung Electronics будет использовать DRAM Die 1c нм, и можно сказать, что производительность этой технологии памяти в значительной степени повлияет на доходы подразделения памяти DS в течение следующих 1-2 лет.
До Samsung Electronics компании SK Hynix и Micron также завершили разработку DRAM шестого поколения с технологией 20–10 нм, и три крупнейших производителя памяти стали еще ближе к рубежу 10 нм.
![Поставка [ TI Оригинальные Чипы] ISO7220CDR Двухканальный Цифровой Изолятор](/upload/202507/01/202507011556462228.jpg)
время:2025-07-01
время:2025-07-01
![Поставка [Espressif] Беспроводные SoCs, Поставка продуктов серии ESP8266、ESP32、ESP32-S、ESP32-C6](/upload/202507/01/202507011421364529.jpg)
время:2025-07-01
![[Поставка ADI] Одночиповые CMOS-устройства: ADG1334BRSZ Четырехканальный SPDT-переключатель](/upload/202507/01/202507011415200010.png)
время:2025-07-01
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу:
