Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Купить ST автомобили дискретные: Power MOSFET, автомобильный IGBT, автомобильный SiC MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. является профессиональным поставщиком услуг по переработке электронных компонентов. Благодаря сильной финансовой базе и глобальной сервисной сети мы предоставляем клиентам эффективные, безопасные и соответствующие требованиям услуги по переработке электронных компонентов.

Категории переработки: Мы перерабатываем различные микросхемы, датчики, модули Ethernet, модули IGBT, компоненты искусственного интеллекта AI, микроконтроллеры, компоненты IoT и все другие электронные компоненты.

Процесс переработки:

1. Консультация: Если у вас есть электронные компоненты, которые необходимо утилизировать, вы можете отправить электронное письмо с перечнем микросхем/модулей, которые вы хотите продать.

2. Утилизация на месте: Наша компания направит профессиональных сотрудников для сбора ваших электронных компонентов на месте и проведения предварительного тестирования и классификации компонентов.

3. Предложение: Компания предоставит соответствующую цену утилизации на основе таких факторов, как тип, количество и качество утилизируемых компонентов.

4. Расчет: После достижения соглашения обеими сторонами можно обсудить конкретные методы доставки.

Автомобильные силовые MOSFET ST

Автомобильные силовые MOSFET STMicroelectronics, известные своими превосходными характеристиками переключения и надежностью, широко используются в критически важных автомобильных электронных системах, таких как бортовые зарядные устройства (OBC), системы управления батареями (BMS) и преобразователи постоянного тока в постоянный.

Автомобильные IGBT-модули ST

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором) являются «сердцем» систем управления автомобилями на новых источниках энергии и играют незаменимую роль в таких критически важных функциях, как привод двигателя и рекуперация энергии.

Автомобильные MOSFET SiC от ST

MOSFET из карбида кремния (SiC), как представители полупроводниковых материалов третьего поколения, быстро проникают в ключевые области применения, такие как инверторы главного привода, бортовые системы зарядки и зарядные станции в автомобилях на новых источниках энергии, благодаря своим преимуществам: высокой устойчивости к напряжению, низким потерям и высокочастотным характеристикам.