Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Купить ST GaN Питание IC:Встроенный Smart GaN,GaN Драйверы,Напряжение GaN Конвертеры

Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., являясь лидером в области переработки электронных компонентов, предоставляет клиентам комплексные решения по переработке электронных компонентов, помогая им сократить запасы, минимизировать пространство для хранения, снизить затраты на хранение и управлять операционными расходами.

Переработка включает в себя: интегральные схемы (IC), 5G чипы, новые энергетические IC, IoT чипы, Bluetooth чипы, автомобильные чипы, AI IC, Ethernet IC, чипы памяти, датчики, IGBT модули и другие различные электронные компоненты.

Конкретный процесс переработки:

1. Вы можете классифицировать ваш IC/модуль инвентарь и маркировать его с номерами моделей, брендами, датами производства, количествами и другой соответствующей информацией.

2. Отправьте список инвентаря нашей команде оценщиков по факсу или электронной почте.

3. После получения предложения о покупке от наших специалистов вы можете обсудить и согласовать конкретные условия сделки и детали доставки.

4. Мы покупаем продукцию только из официальных каналов (таких как агенты, трейдеры и заводы) и не принимаем продукцию из неофициальных источников.

Интегрированные интеллектуальные GaN

Нитрид галлия (GaN) революционизирует мир энергетики, обеспечивая высокую скорость, повышенную эффективность и более высокую плотность мощности, которые ранее были недостижимы с кремниевыми MOSFET. Интегрируя GaN-транзисторы и драйверы затвора, наши передовые системы MasterGaN в корпусе обеспечивают высокую эффективность благодаря оптимизированной компоновке драйвера затвора, высокой плотности мощности и повышенной частоте переключения за счет минимальных паразитных эффектов.

Драйверы GaN

Драйверы GaN представляют собой полумостовые драйверы затвора для GaN-FET с режимом усиления или N-канальных силовых MOSFET.

Высоковольтные преобразователи GaN

Высоковольтные преобразователи питания обогащены благодаря внедрению технологии GaN HEMT (транзисторы с высокой подвижностью электронов). Использование транзисторов GaN приводит к более высокой удельной мощности, более высокой эффективности, более высокой частоте переключения с последующим уменьшением размера и веса печатной платы, упрощением конструкции SMPS и улучшением общих характеристик.