Поставка силового MOSFET-транзистора Infineon N-канального BSC028N06LS3G OptiMOS™ (60 В)

классификация продукции

Новая информация: динамика компании; Профессиональная информация

Первая страница /динамика компании /

Поставка силового MOSFET-транзистора Infineon N-канального BSC028N06LS3G OptiMOS™ (60 В)

Источник:этот сайтвремя:2025-06-24количество просмотров:

Обзор продуктаBSC028N06LS3G — это 60-вольтовый MOSFET с N-каналом из серии OptiMOS™3 компании Infineon, выполненный в корпусе PG-TDSON-8, с ультранизким сопротив…

Обзор продукта

BSC028N06LS3G — это 60-вольтовый MOSFET с N-каналом из серии OptiMOS™3 компании Infineon, выполненный в корпусе PG-TDSON-8, с ультранизким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) 2,8 мОм и способностью выдерживать постоянный ток на выводе 100 А. Он специально разработан для высокоэффективных приложений, таких как высокочастотные импульсные источники питания, синхронная ректификация и приводы двигателей. Это устройство значительно повышает энергоэффективность системы за счет оптимизации характеристик переключения и потерь в проводимом состоянии и широко используется в источниках питания серверов, телекоммуникационном оборудовании и промышленной автоматизации.

Основные характеристики BSC028N06LS3G

Сверхнизкое сопротивление в проводимом состоянии: 2,8 мОм при VGS = 10 В, что значительно снижает потери в проводимом состоянии.

Высокий коэффициент качества (FOM): RDS(on) × Qg = 28 мОм × nC, обеспечивающий высокоэффективное переключение.

100% тестирование на лавинообразное пробивание, обеспечивающее надежность в экстремальных условиях.

Низкий заряд затвора (Qg): типичное значение 28 нКл, снижающее потери при управлении.

Высокая скорость переключения: время нарастания 17 нс, время спада 19 нс, повышение эффективности высокочастотных приложений.

Низкий обратный восстановительный заряд (Qrr), улучшение характеристик ЭМИ.

Корпус PG-TDSON-8: оптимизированное тепловое сопротивление (RthJC=0,75 К/Вт).

Максимальная температура перехода 175 °C, приспособленность к суровым условиям эксплуатации.

Соответствие стандарту RoHS, безгалогенная конструкция.

Диапазон рабочих температур: от -55 °C до +150 °C, подходит для автомобильных и промышленных применений.

Ключевые параметры BSC028N06LS3G

Напряжение исток-сток (Vdss): 60 В

Непрерывный ток стока (Id): 100 А

Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 2,8 мОм

Заряд затвора (Qg): 28 нКл

Входной емкость (Ciss): 13000 пФ

Время переключения (tr/tf): 17 нс / 19 нс

Максимальная потребляемая мощность (Pd): 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc)

Тип корпуса: PG-TDSON-8 (6,1 мм × 5,35 мм)

Применение BSC028N06LS3G

Система управления автомобильным аккумулятором (BMS)

Бытовые роботы

Передовые полупроводниковые технологии, способствующие созданию новой цифровой, сверхподключенной медицинской экосистемы

Преимущества поставок Mingjiada Electronics

Большой объем складских запасов: компания Mingjiada Electronics в Шэньчжэне располагает достаточным запасом BSC028N06LS3G, чтобы удовлетворить потребности клиентов в оптовых закупках и обеспечить своевременную доставку.

Гарантия подлинности оригинальной продукции: как профессиональный дистрибьютор электронных компонентов, Mingjiada Electronics поставляет только подлинную оригинальную продукцию BSC028N06LS3G, гарантируя качество и надежность продукции.

Гибкая модель обслуживания: Mingjiada Electronics предлагает гибкие условия закупок, предоставляя индивидуальные услуги для удовлетворения потребностей различных клиентов, будь то пробное производство небольших партий или массовое производство.