Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Поставка микрочипов IGBT Серия модулей: IGBT Trench 3, IGBT Trench 4, IGBT Trench 5, IGBT Trench 7

Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., являющаяся ведущим дистрибьютором электронных компонентов в Китае, придерживается принципа «обслуживать клиентов и приносить им пользу», предоставляя своим клиентам высококачественные и разнообразные электронные компоненты.

Основные продукты включают: чипы 5G, микросхемы для новых источников энергии, микросхемы для Интернета вещей, микросхемы Bluetooth, микросхемы для автомобильных сетей, микросхемы автомобильного класса, микросхемы для связи, микросхемы для искусственного интеллекта и т. д. Кроме того, компания поставляет микросхемы памяти, микросхемы датчиков, микросхемы микроконтроллеров, микросхемы приемопередатчиков, микросхемы Ethernet, чипы WiFi, модули беспроводной связи, разъемы и другие электронные компоненты.

Преимущества поставок

1. Гарантия подлинности

Все продукты поставляются по официальным каналам, сопровождаются полными отчетами о прослеживаемости качества и оригинальными сертификатами производителя, что гарантирует клиентам 100% подлинность продуктов.

2. Обширный ассортимент

Компания поддерживает более 2 миллионов моделей в ассортименте, обеспечивая достаточные запасы для удовлетворения потребностей клиентов от пилотного производства до массового производства.

3. Конкурентоспособные цены

Используя преимущества крупномасштабных закупок, мы предлагаем цены ниже рыночных и применяем многоуровневую ценовую политику в зависимости от объема закупок. Долгосрочные партнеры также могут воспользоваться услугами фиксации цен, чтобы эффективно контролировать затраты на закупки.

4. Услуги быстрой доставки

24-часовая доставка: быстрая обработка стандартных заказов

4-часовое экстренное реагирование: специальная ускоренная услуга

Доставка на следующий день: быстрая доставка в ключевые регионы

5. Гибкие модели закупок

Закупки небольшими партиями: минимальный заказ от 1 штуки для удовлетворения потребностей НИОКР

Оптовые заказы: поддержка VMI (управление запасами поставщиком) и других моделей сотрудничества

Долгосрочные соглашения: предоставление гарантий стабильных поставок

Модуль IGBT Trench 3

Модуль IGBT Trench 3 представляет собой зрелые результаты ранней технологии траншейных затворов.

С точки зрения технической архитектуры, модуль IGBT Trench 3 использует базовую конструкцию траншейного затвора, достигая превосходных характеристик проводимости по сравнению с IGBT с плоским затвором за счет вертикальной структуры затвора. Его типичные параметры включают: напряжение проводимости (Vce(sat)) в диапазоне от 1,8 до 2,2 В, частоту переключения до 20 кГц и максимальную рабочую температуру 150 °C. Хотя эти показатели производительности могут не выделяться по современным стандартам, они остаются вполне адекватными для большинства промышленных приложений с переменной частотой.

Модули IGBT Trench 4 и Trench 5

Модули IGBT Trench 4 и Trench 5 представляют собой значительную эволюцию технологии траншейных затворов, предлагая заметные улучшения в параметрах производительности и области применения по сравнению с модулем Trench 3.

Модуль IGBT Trench 4 использует технологию Field Stop, инновационную структуру, которая значительно уменьшает толщину чипа, что приводит к нескольким улучшениям характеристик: напряжение в включенном состоянии (Vce(sat)) уменьшается до диапазона 1,5–1,8 В, что примерно на 15 % ниже, чем у продуктов Trench 3; частота переключения увеличена до 30–40 кГц, что расширяет возможности для высокочастотных приложений; при этом сохраняется отличная стойкость к короткому замыканию, что обеспечивает надежность системы.

Являясь еще одним важным этапом в технологической эволюции, модуль IGBT Trench 5 дополнительно оптимизирует технологию управления носителями на основе Trench 4, достигая оптимального баланса между потерями проводимости и потерями переключения. Его основные технические характеристики включают: использование тонкой траншейной структуры для увеличения плотности ячеек; оптимизацию конструкции буферного слоя для улучшения характеристик переключения; и использование передовых процессов контроля срока службы для точного регулирования концентрации меньшинственных носителей. Эти технологические усовершенствования позволили снизить общие потери модуля Trench 5 еще на 10-15% по сравнению с модулем Trench 4, достигнув эффективности более 98%, что делает его идеальным выбором для высокоэффективных приложений.

Модуль IGBT Trench 7

Модуль IGBT Trench 7 представляет собой современную технологию траншейных затворов, объединяющую в себе несколько передовых концепций дизайна и производственных процессов.

С технической точки зрения, инновации модуля IGBT Trench 7 в основном отражены в трех аспектах: во-первых, применение микро-траншейной конструкции еще больше уменьшает размер ячейки, значительно увеличивая плотность траншей и заметно снижая сопротивление проводимости; во-вторых, внедрение передовой технологии слоя хранения носителей оптимизирует распределение носителей в состоянии «включено», достигая более низких потерь проводимости; в-третьих, улучшенная структура затвора и процессы пассивации снижают потери при переключении на 15 % по сравнению с предыдущими поколениями, одновременно повышая стабильность при высоких температурах. Эти технологические достижения подняли общую производительность модуля Trench 7 на новый уровень: напряжение в включенном состоянии может быть всего 1,2–1,5 В, частота переключения легко превышает 50 кГц, а максимальная рабочая температура была увеличена до 175 °C.