Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Сеть резисторов

Первая страница /динамика компании /

IXYS IXFX230N20T N-канальные усилительные силовые MOSFET-транзисторы

IXYS IXFX230N20T N-канальные усилительные силовые MOSFET-транзисторы

Источник:этот сайтвремя:2025-06-20количество просмотров:

IXYS IXFX230N20T N-канальные усилительные силовые MOSFET-транзисторыКомпания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., являющаяся ведущим поставщиком в отрасли элек…

IXYS IXFX230N20T N-канальные усилительные силовые MOSFET-транзисторы


Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., являющаяся ведущим поставщиком в отрасли электронных компонентов, предлагает своим клиентам N-канальные усилительные силовые MOSFET-транзисторы IXYS IXFX230N20T. IXFX230N20T, благодаря своим выдающимся рабочим параметрам и широкому спектру применений, стал важным компонентом в системах управления питанием и преобразования энергии.


Обзор продукта IXFX230N20T:

IXFX230N20T — это высокопроизводительный силовой MOSFET с N-канальной структурой с обогащенным режимом, оптимизированный для применения в системах с высоким током и высоким напряжением. Устройство IXFX230N20T объединяет в себе высокую мощность и надежность в корпусе TO-247-3, что делает его идеальным выбором для промышленных источников питания, приводов двигателей и систем преобразования энергии.


Технические характеристики IXFX230N20T:

Полярность транзистора: N-канальный

Количество каналов: 1 канал

Vds — напряжение пробоя сток-исток: 200 В

Id — постоянный ток стока: 230 А

Rds On — сопротивление сток-исток: 7,5 мОм

Vgs — напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В

Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 3 В

Qg — заряд затвора: 358 нКл

Минимальная рабочая температура: -55 °C

Максимальная рабочая температура: +175 °C

Pd — рассеиваемая мощность: 1,67 кВт

Режим канала: режим обогащения

Вес единицы: 6 г


Особенности IXFX230N20T:

Упаковка по международному стандарту

Высокая токопроводимость

Быстрый внутренний диод

Аваланшевая мощность

Низкий RDS(on)


Ключевые технические характеристики IXFX230N20T:

Сверхвысокая токопроводимость: непрерывный ток стока (Id) до 230 А (при температуре корпуса Tc), что позволяет IXFX230N20T удовлетворять требованиям высокомощных приложений

Превосходные характеристики в включенном состоянии: сопротивление сток-исток (Rds(on)) всего 7,5 мОм, что значительно снижает потери в включенном состоянии и повышает эффективность системы

Надежные характеристики напряжения: напряжение пробоя сток-исток (Vds) 200 В и диапазон напряжения затвор-исток (Vgs) ±20 В обеспечивают широкую зону безопасной работы

Превосходные тепловые характеристики: рассеиваемая мощность (Pd) до 1,67 кВт (при условиях Tc), поддерживающая широкий диапазон рабочих температур от -55 °C до +175 °C


В IXFX230N20T используется запатентованная технологическая платформа HiPerFET компании IXYS, которая оптимизирует структуру устройства и свойства материалов для достижения оптимального баланса между скоростью переключения, сопротивлением в открытом состоянии и тепловой стабильностью. Заряд затвора (Qg) 358 нК обеспечивает быстрые переключения, а пороговое напряжение затвор-исток (Vgs th) 3 В обеспечивает отличную чувствительность управления.


Применение IXFX230N20T:

Мощный MOSFET IXFX230N20T с его выдающимися электрическими характеристиками демонстрирует широкий потенциал применения в различных отраслях промышленности:


Промышленные энергетические системы:

Конструкции высокомощных импульсных источников питания (SMPS), в частности для серверных источников питания и источников питания базовых станций телекоммуникаций

Инверторы и выпрямительные модули в системах бесперебойного питания (UPS)

Промышленные контроллеры привода двигателя, поддерживающие приложения с высоким крутящим моментом

Выходные каскады мощности для сварочного оборудования и плазменных резаков


Новые источники энергии и преобразование энергии:

Схемы преобразования постоянного тока в переменный в солнечных инверторах

Блоки регулирования мощности в системах ветровой энергетики

Модули управления энергией в системах аккумулирования энергии в батареях (BESS)

Каскады преобразования энергии в зарядных станциях для электромобилей


Другие высокопроизводительные приложения:

Выходные каскады в аудиоусилителях, особенно в профессиональных усилителях высокой мощности

Резонансные цепи в оборудовании для индукционного нагрева

Приложения с быстрым переключением в импульсных системах питания

Высокоточные нагрузочные переключатели в испытательном и измерительном оборудовании


Преимущества конструкции IXFX230N20T:

Высокая эффективность: низкое сопротивление в открытом состоянии и оптимизированные характеристики переключения снижают потери энергии, повышая общую эффективность системы

Высокая надежность: корпус TO-247-3 обеспечивает отличные тепловые характеристики в сочетании с широким диапазоном рабочих температур, гарантируя стабильную работу в суровых условиях

Гибкость конструкции: широкий диапазон напряжения управления затвором ±20 В упрощает конструкцию схемы драйвера и совместим с различными выходами контроллера


компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler