Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

IPG20N04S4L-11 - Двойной N-канальный MOSFET автомобильного класса от Infineon Описание продукта:

IPG20N04S4L-11 — это двойной N-канальный усилительный силовой MOSFET автомобильного класса от Infineon, относящийся к серии OptiMOS™-T2, выполненный в корпусе PG-TDSON-8-4 (5×6 мм) имеет сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии (11,6 мОм) и напряжение исток-сток 40 В, подходит для применения в автомобильной электронике, промышленном управлении и переключателях с малой нагрузкой.

Ключевые характеристики:

Двойная конструкция N-канала: интегрированы два независимых MOSFET, что позволяет сэкономить место на печатной плате и повысить степень интеграции системы.

Сверхнизкое сопротивление проводимости: 11,6 мОм (типичное значение) при 10 В, 17 А, что значительно снижает потери мощности.

Высокая токовая способность: непрерывный ток стока до 20 А, подходит для применения в высокомощных переключателях.

Сертификация автомобильного класса:

соответствует стандарту AEC-Q101, поддерживает широкий диапазон рабочих температур от -55 °C до +175 °C.

MSL1 пиковая температура пайки рефлюксной печью до 260 °C, соответствует требованиям автомобильного производства.

Низкий заряд затвора (26 нКл при 10 В), оптимизирует эффективность высокочастотного PWM-управления.

100% аварийное тестирование, повышает надежность устройства при переходных высоких напряжениях.

Соответствует стандарту RoHS, экологически чистый бессвинцовый дизайн.

Преимущества продукта:

Двойной Super S08 может заменить несколько DPAK, что позволяет значительно сэкономить площадь печатной платы и снизить системные затраты.

Диаметр соединительного провода составляет 200 микрон, поддерживает ток до 20 ампер.

Более крупный вывод истока подходит для соединения соединительным проводом.

Корпус: PG-TDSON-8-4

Имеет те же тепловые и электрические характеристики, что и DPAK с таким же размером чипа.

Открытая паяльная площадка обеспечивает превосходную теплопроводность (в зависимости от размера чипа).

Два N-канальных MOSFET интегрированы в одном корпусе и оснащены двумя независимыми выводными рамками.

Технические характеристики:

Тип продукта: MOSFET

Корпус / коробка: TDSON-8

Полярность транзистора: N-канал

Количество каналов: 2 канала

Vds - напряжение пробоя сток-эмиттер: 40 В

Id — непрерывный ток стока: 20 A

Rds On — сопротивление сток-сток: 11,6 мОм

Vgs — напряжение затвор-сток: -16 В, +16 В

Vgs th — пороговое напряжение затвор-сток: 1,7 В

Qg — заряд затвора: 26 нКл

Минимальная рабочая температура: - 55 C

Максимальная рабочая температура: + 175 C

Pd-Рассеиваемая мощность: 41 Вт

Информация о поставках Mingjiada Electronics

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. поставляет IPG20N04S4L-11 автомобильные MOSFET из наличия. Компания стремится предоставлять своим клиентам оригинальные электронные компоненты, гарантируя качество и надежность продукции. Благодаря совершенной системе управления запасами и логистики, Mingjiada Electronics может быстро реагировать на потребности клиентов и предоставлять своевременные услуги по поставке. Приглашаем заинтересованных клиентов связаться с Mingjiada Electronics для получения подробной информации о продуктах и ценовых предложений.

Контактная информация:

Телефон: +86 13410018555 (г-н Чен)

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Официальный сайт: www.hkmjd.com