Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Сеть резисторов

Первая страница /Профессиональная информация /

Samsung планирует разработать память LPDDR6 на основе технологии 1c во второй половине этого года

Samsung планирует разработать память LPDDR6 на основе технологии 1c во второй половине этого года

Источник:этот сайтвремя:2025-06-07количество просмотров:

7 июня BusinessPost сообщил, что компания Changxin Memory Technologies приблизилась к уровню Южной Кореи в области LPDDR-технологий, применяемых в смартфонах, I…

7 июня BusinessPost сообщил, что компания Changxin Memory Technologies приблизилась к уровню Южной Кореи в области LPDDR-технологий, применяемых в смартфонах, IT-оборудовании, робототехнике, беспилотных автомобилях и других областях, и приступила к разработке технологии LPDDR6 следующего поколения.


Чтобы не дать себя легко обогнать, вице-председатель подразделения DS компании Samsung Electronics Чон Ён Хён планирует во второй половине этого года разработать и запустить в серийное производство память следующего поколения «LPDDR6» с помощью технологии «1c DRAM» и поставлять ее таким технологическим гигантам, как Qualcomm. 

QQ图片20250607111439.png

В полупроводниковой отрасли считают, что, учитывая текущие темпы разработки, Changxin Memory может начать серийное производство LPDDR6 не раньше 2026 года (коммерческое производство LPDDR5 начнется в конце 2023 года), что менее чем на год позже, чем Samsung Electronics.


В соответствии с последовательностью развития технологии DRAM: 1x (первое поколение), 1y (второе поколение), 1z (третье поколение), 1a (четвертое поколение), 1b (пятое поколение), 1c (шестое поколение). С каждым новым поколением ширина линии становится все тоньше, что повышает производительность и энергоэффективность.


SamMobile ранее сообщал, что Qualcomm планирует использовать память LPDDR6 в своем новом поколении SoC для ноутбуков «Snapdragon X Elite 2», который, как ожидается, будет впервые представлен 23 сентября на Snapdragon Summit. Будем следить за развитием событий.


BusinessPost сообщает, что Changxin Memory объявила о постепенном прекращении производства DDR4 DRAM и переходе на DDR5 к 2026 году, поставив цель увеличить месячный объем производства до 300 000 пластин (что составляет примерно 45% от месячного объема производства Samsung Electronics в 2024 году) к концу этого года.


DigiTimes прогнозирует, что к концу 2025 года DDR5, LPDDR5X и LPDDR5 будут составлять около 60% от общего объема производства DRAM Changxin Memory.

компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler