Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

7 июня BusinessPost сообщил, что компания Changxin Memory Technologies приблизилась к уровню Южной Кореи в области LPDDR-технологий, применяемых в смартфонах, IT-оборудовании, робототехнике, беспилотных автомобилях и других областях, и приступила к разработке технологии LPDDR6 следующего поколения.

Чтобы не дать себя легко обогнать, вице-председатель подразделения DS компании Samsung Electronics Чон Ён Хён планирует во второй половине этого года разработать и запустить в серийное производство память следующего поколения «LPDDR6» с помощью технологии «1c DRAM» и поставлять ее таким технологическим гигантам, как Qualcomm. 

В полупроводниковой отрасли считают, что, учитывая текущие темпы разработки, Changxin Memory может начать серийное производство LPDDR6 не раньше 2026 года (коммерческое производство LPDDR5 начнется в конце 2023 года), что менее чем на год позже, чем Samsung Electronics.

В соответствии с последовательностью развития технологии DRAM: 1x (первое поколение), 1y (второе поколение), 1z (третье поколение), 1a (четвертое поколение), 1b (пятое поколение), 1c (шестое поколение). С каждым новым поколением ширина линии становится все тоньше, что повышает производительность и энергоэффективность.

SamMobile ранее сообщал, что Qualcomm планирует использовать память LPDDR6 в своем новом поколении SoC для ноутбуков «Snapdragon X Elite 2», который, как ожидается, будет впервые представлен 23 сентября на Snapdragon Summit. Будем следить за развитием событий.

BusinessPost сообщает, что Changxin Memory объявила о постепенном прекращении производства DDR4 DRAM и переходе на DDR5 к 2026 году, поставив цель увеличить месячный объем производства до 300 000 пластин (что составляет примерно 45% от месячного объема производства Samsung Electronics в 2024 году) к концу этого года.

DigiTimes прогнозирует, что к концу 2025 года DDR5, LPDDR5X и LPDDR5 будут составлять около 60% от общего объема производства DRAM Changxin Memory.