Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Спрос и предложение на новый оригинальный Infineon IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200 В карбидокремниевый МОП-транзистор в корпусе TO247-4, Mingjiada производит только оригинал, гарантия качества, ценовое преимущество, фактический заказ имеет приемную цену для получения подробной информации, пожалуйста, свяжитесь с E-mail: sales@hkmjd .com! ! !

Модель поставки: IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1

Год: последние 21+

Описание: сквозной канал N 1200 В 55A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247-4-8

Описание: SiC MOSFET транзисторы Infineon в 4-контактном корпусе TO247 снижают влияние паразитной индуктивности источника на схему затвора, что приводит к более быстрому переключению и повышению эффективности.

Технические характеристики

N-канальный полевой транзистор

Технология SiCFET (карбид кремния)

Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 В

Ток при 25°C — непрерывный сток (Id) 55A (Tc)

Рабочее напряжение (макс. Rds On, Min Rds On) 15 В, 18 В

Сопротивление во включенном состоянии (макс.) при различных Id, Вгс 54,4 мОм при 19,3А, 18В

Vgs(th) (макс.) при разных Id 5,2 В при 8,3 мА

Заряд затвора (Qg) (макс.) при различных значениях Vgs 39 нКл при 18 В

Vgs (макс.) +20В, -5В

Входная емкость (Ciss) при Vds (максимум) 1620 нФ при 25 В

Функция полевого транзистора -

Рассеиваемая мощность (макс.) 227 Вт (Tc)

Рабочая температура -55°C ~ 175°C (ТДж)

Тип крепления Сквозное отверстие

Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-8

Пакет/корпус ТО-247-4

выгода

высочайшая эффективность

Сокращение работы по охлаждению

работа на более высокой частоте

Увеличьте удельную мощность

Уменьшить сложность системы

заявление

формирование батареи

Быстрая зарядка электромобиля

Управление двигателем и привод

Управление питанием (SMPS) — эталонный проект

Решения для фотоэлектрических систем

Компания также приобрела карбидокремниевый полевой МОП-транзистор Infineon IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200 В и в течение длительного времени восстанавливала различные электронные отходы по высоким ценам: электронные компоненты, модули 5G, новые энергетические модули, микросхемы 5G, ИС базовых станций, ИС искусственного интеллекта, сетевые ИС. , ИС Bluetooth, ИС мобильного телефона, автомобильная ИС, ИС связи, ИС бытовой техники, ИС источника питания, ИС драйвера, ИС IoT и модульных микросхем, разъемы, радиочастотные модули, память, реле, МОП-трубки, микроконтроллеры, вторичные и третичные трубки и другие продукты.

Конкретный процесс переработки:

1. Вы можете просто классифицировать невыполненные запасы микросхем/модулей и определить модель, марку, дату производства, количество и т. д.;

2. Пожалуйста, отправьте инвентарный список нашей команде по оценке по факсу или электронной почте;

3. Дождитесь коммерческого предложения от специалистов компании, и после достижения соглашения обе стороны договариваются о конкретном способе доставки;

4. Перерабатываются только обычные источники товаров, такие как агенты, торговцы, терминальные фабрики и т. д., а источники, не являющиеся обычными источниками, не принимаются.

Домашняя страница компании: www.hkmjd.com