sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Поставка карбида кремния MOSFET транзистор IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET
Новый оригинальный SiC MOSFET-транзистор Mingjiada IMBG65R039M1H 650 В SiC MOSFET в компактном 7-контактном корпусе для поверхностного монтажа, основанный на п…
Новый оригинальный SiC MOSFET-транзистор Mingjiada IMBG65R039M1H 650 В SiC MOSFET в компактном 7-контактном корпусе для поверхностного монтажа, основанный на передовой траншейной технологии Infineon SiC, подходит для приложений с высокой мощностью.
Модель продукта: IMBG65R039M1H/IMBG65R039M1HXTMA1
Торговая марка: INFINEON
Год: последние 21+
Пакет: ТО-263-7
параметр
Категория продукта: МОП-транзистор
Технология: карбид кремния
Стиль установки: СМД/СМТ
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Напряжение пробоя Vds-сток-исток: 650 В
Id-непрерывный ток утечки: 54 А
Rds On-Drain Source On Сопротивление: 51 мОм
Vgs - Напряжение затвор-исток: - 5 В, + 23 В
Vgs пороговое напряжение затвор-исток: 5,7 В
Заряд Qg-затвора: 41 нКл
Минимальная рабочая температура: - 55 С
Максимальная рабочая температура: +175 С
Рассеиваемая мощность Pd: 211 Вт
Преимущество
Высокая производительность, высокая надежность и простота использования
Высокая эффективность системы и высокая удельная мощность
Снижение стоимости и сложности системы
Создавайте более дешевые, простые и компактные системы
Топология непрерывной жесткой коммутации
Подходит для высоких температур и суровых условий работы
Реализовать двунаправленную топологию
заявление
сервер
телекоммуникации
Импульсные источники питания (SMPS)
Солнечная система
Системы хранения энергии и батареи
Источник бесперебойного питания (ИБП)
Зарядка электромобиля
машинист
Та же серия:
ИГИ60Ф100А1Л/ИГИ60Ф100А1ЛАУМА1
ИГИ60Ф1414А1Л/ИГИ60Ф1414А1ЛАУМА1
IMBG120R220M1H/IMBG120R220M1HXTMA1
ИМЗА120Р014М1Х/ИМЗА120Р014М1ХХКСА1
IMBG65R039M1H/IMBG65R039M1HXTMA1
IMBG120R090M1H/IMBG120R090M1HXTMA1
IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1
IMW120R007M1H/IMW120R007M1HXKSA1
ИМЗ120Р140М1Х/ИМЗ120Р140М1ХХКСА1
ИМЗА120Р040М1Х/ИМЗА120Р040М1ХХКСА1
IMW65R107M1H/IMW65R107M1HXKSA1
IMBF170R1K0M1/IMBF170R1K0M1XTMA1
Добро пожаловать в контакт
Электронная почта: sales@hkmjd.com
Скайп: mjdccm
Сайт компании: www.hkmjd.com
время:2025-01-08
время:2025-01-07
время:2025-01-07
время:2025-01-07
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: