Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Поставка силовых модулей: модули IGBT, модули MOSFET, модули Smart Power, модули SiC

Shenzhen Mingjiaoda Electronics Co, Ltd. является профессиональным поставщиком электронных компонентов, придерживаясь цели «обслуживать клиентов, приносить пользу клиентам», путем постоянной оптимизации управления цепочкой поставок и расширения ассортимента продукции, превратилась в глобальное эталонное предприятие в области распространения электронных компонентов.

Основная продукция 5G чипы, новые энергетические ИС, IoT ИС, Bluetooth ИС, телематические ИС, автомобильные ИС, коммуникационные ИС, ИС искусственного интеллекта, ИС памяти, сенсорные ИС, микроконтроллерные ИС, приемопередающие ИС, Ethernet ИС, WiFi чипы, модули беспроводной связи, разъемы и другие электронные компоненты Преимущество поставок

Преимущество поставок

Огромная система инвентаризации: компания имеет более 2 миллионов типов инвентаризации выгодных моделей, охватывающих военный класс, промышленный класс, связь и все виды холодных и горячих высокотехнологичных компонентов, может быстро реагировать на срочные потребности клиентов, значительно сократить R & D и производственный цикл клиента.

Строгий контроль качества: все поставляемые компоненты - от оригинальных производителей или авторизованных каналов, что обеспечивает полную отслеживаемость партии и гарантийное обслуживание. Компания строго внедряет систему управления качеством ISO9001:2014 для обеспечения надежности и стабильности каждого продукта.

Эффективная логистическая сеть: Имея филиалы и логистических партнеров по всему миру, мы можем обеспечить быструю доставку в течение 1-3 дней и поддерживать гибкую модель поиска поставщиков размером от 1 штуки. Такая эффективная логистическая цепочка особенно удобна при работе с небольшими партиями на этапе НИОКР и при срочной обработке заказов.

Модули IGBT: идеальное сочетание высокой плотности мощности и надежности

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) доминируют в приложениях средней и высокой мощности, являясь основными устройствами современных силовых электронных систем. IGBT-модули ON известны своими низкими потерями, высокой частотой переключения и высокой надежностью, и широко используются в таком важном оборудовании, как приводы двигателей, фотоэлектрические инверторы, источники бесперебойного питания (ИБП) и промышленные преобразователи частоты. В этих модулях используется передовая технология Trench Field Stop, позволяющая достичь оптимального баланса между потерями на проводимость и переключение, что значительно повышает общую эффективность системы.

Технические преимущества IGBT-модуля ON проявляются в основном в трех аспектах: во-первых, в нем используется усовершенствованная структура траншейного затвора, что значительно снижает падение напряжения во включенном состоянии (VCE(sat)) и уменьшает потери мощности во включенном состоянии; во-вторых, оптимизированная конструкция слоя заделки поля позволяет модулю иметь более высокую скорость переключения и меньшие потери при переключении, что подходит для высокочастотных сценариев применения; и, наконец, в модуль встроен внутренний датчик температуры и функция определения тока, что облегчает реализацию общей эффективности системы. IGBT-модули выпускаются на напряжение от 600 до 1700 В и на ток от 30 А до сотен ампер, чтобы удовлетворить потребности приложений с различными уровнями мощности.

MOSFET-модули: идеальны для высокоскоростной коммутации и высокоэффективного преобразования

Модули на основе металлооксид-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) демонстрируют уникальные преимущества в приложениях с высокочастотной коммутацией. Модули MOSFET компании ON широко используются в системах преобразования энергии, автомобильной электронике и промышленных системах управления благодаря своим превосходным характеристикам переключения и низкому сопротивлению включения. По сравнению с дискретными МОП-приборами модульный корпус обеспечивает более высокую плотность мощности, лучшие тепловые характеристики и упрощенную конструкцию системы, что особенно подходит для сценариев применения в системах средней и высокой мощности.

Технологические особенности модуля ON MOSFET в основном отражены в четырех аспектах: во-первых, использование технологии суперперехода (Super Junction) MOSFET модуля в высоковольтных приложениях позволяет достичь очень низкого сопротивления включения (RDS (on)), значительно снижая потери проводимости; во-вторых, оптимизированная конструкция затвора делает скорость переключения более высокой, снижая процесс переключения потери энергии; в-третьих. Модуль объединяет несколько MOSFET чипов внутри модуля, которые могут поддерживать различные топологии, такие как полный мост, полумост и шесть групп; наконец, передовая технология упаковки обеспечивает хорошую теплопроводность, что позволяет модулю стабильно работать в условиях высоких температур. Уровень напряжения MOSFET модуля варьируется от 40 В до 900 В, что удовлетворяет разнообразные потребности от низковольтного DC-DC преобразователя до высоковольтной системы питания.

Интеллектуальные силовые модули (IPM): идеальное воплощение интеграции и высокой надежности

Интеллектуальные силовые модули (IPM) представляют собой наивысший уровень интеграции силовой электроники. Продукты IPM компании ON объединяют высоковольтные силовые устройства, схемы привода затворов и функции защиты в одном корпусе, что значительно упрощает проектирование системы и повышает ее надежность. Эти модули, особенно подходящие для сценариев моторных приводов в бытовой электронике, промышленных системах управления и автомобильных приложениях, имеют широкий диапазон мощностей от 50 Вт до 10 кВт и поддерживают различные топологии, такие как трехфазные инверторы, PFC (коррекция коэффициента мощности) и входные мостовые выпрямители.

Основные преимущества ON IPM в основном отражены в четырех аспектах: во-первых, высокоинтегрированная конструкция уменьшает количество внешних компонентов и площадь печатной платы, снижая сложность и стоимость системы; во-вторых, встроенная схема драйвера оптимизирует характеристики переключения силовых устройств и уменьшает электромагнитные помехи (EMI); в-третьих, комплексные функции защиты (включая защиту от перегрузки по току, перегрева, пониженного напряжения и т. д.) повышают надежность системы. Линейка продуктов IPM охватывает низко- и средневольтные приложения до 600 В, с токовыми возможностями от нескольких ампер до десятков ампер для удовлетворения потребностей различных уровней мощности.

Модули из карбида кремния (SiC): технологический ориентир для силовых устройств следующего поколения

Силовые модули на основе карбида кремния (SiC) представляют собой передовое направление развития силовых полупроводниковых технологий. В модулях SiC компании ON в качестве базового устройства используется полупроводниковый материал третьего поколения - карбид кремния (SiC), который обладает такими значительными преимуществами, как устойчивость к высоким температурам, высокочастотные характеристики и низкие потери проводимости, и способствует модернизации таких технологических областей, как электромобили, солнечные инверторы и источники питания для центров обработки данных. По сравнению с традиционными силовыми устройствами на основе кремния, SiC-модули могут повысить эффективность системы на 3-5% и снизить энергопотребление более чем на 30%, при этом значительно уменьшив размер и вес системы, что делает их идеальным решением для решения задач энергоэффективности и плотности мощности.

Технические преимущества SiC-модулей ON в основном выражаются в пяти аспектах: во-первых, высокая критическая напряженность электрического поля пробоя материала SiC позволяет устройству работать при более высоких напряжениях, при этом уменьшается толщина дрейфовой области и снижается сопротивление включения; во-вторых, широкополосная запрещенная характеристика SiC (3,26eV) позволяет устройству работать при более высоких температурах (выше 200°C) и снижает сложность системы теплоотвода; в-третьих. SiC-устройства практически не имеют обратного тока восстановления, что значительно снижает потери на переключение и позволяет работать на более высоких частотах; в-четвертых, отличная теплопроводность (примерно в три раза выше, чем у кремния) повышает плотность мощности и позволяет создавать более компактные системы; и, наконец, повышение общей эффективности системы снижает потребление энергии и требования к теплоотводу, что приводит к созданию добродетельного цикла.SiC-модули включают два типа модулей, чисто SiC-модули и Si/SiC гибридные модули, с уровнями напряжения 1200В и 1200В. Уровни напряжения в основном составляют 1200 В и 1700 В для удовлетворения потребностей высоковольтных приложений.