Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

23 мая компания SK Hynix объявила об успешной разработке UFS 4.1, самой высокопроизводительной в мире 321-слойной 1 Тб (терабит) TLC (Triple Level Cell) 4D NAND флэш-памяти, в качестве продукта для мобильных устройств.

SK Hynix заявила: «Для достижения стабильной работы искусственного интеллекта на мобильных устройствах продукты NAND должны сочетать в себе высокую производительность и низкое энергопотребление. С помощью этого продукта UFS 4.1, оптимизированного для рабочих нагрузок искусственного интеллекта, компания еще больше укрепит свое лидерство в области технологий памяти на рынке флагманских смартфонов».

По словам компании, по мере роста спроса на конечный ИИ баланс между вычислительной производительностью и эффективностью использования аккумулятора в конечных устройствах становится все более критичным, а ультратонкие конструкции и функции с низким энергопотреблением стали отраслевыми стандартами для мобильных устройств.

В ответ на эту тенденцию компания разработала новый продукт, который на 7 % более энергоэффективен, чем его предшественник, основанный на 238-слойной флэш-памяти NAND. В то же время толщина продукта была успешно уменьшена с 1 мм до 0,85 мм, что позволяет ему помещаться в ультратонкие смартфоны.

По запросу, продукт поддерживает пиковую скорость последовательного чтения и передачи данных до 4300 МБ/с для продуктов UFS четвертого поколения, а скорости случайного чтения и записи, определяющие многозадачность мобильных устройств, увеличены на 15 % и 40 % соответственно по сравнению с продуктами предыдущего поколения, что делает его ведущим в мире продуктом UFS 4.1.

Продукт доступен в версиях емкостью 512 ГБ и 1 ТБ. Компания планирует передать образцы клиентам для проверки в этом году и начать массовое производство в первом квартале следующего года.