Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

21 мая 2025 г. - Компания Nexperia, мировой производитель полупроводников, объявила о выпуске серии высокоэффективных и надежных МОП-транзисторов из карбида кремния (SiC) автомобильного класса с сопротивлением включения (RDS(on)) 30 мΩ, 40 мΩ и 60 мΩ, соответственно, NSF040120D7A1-Q и NSF060120D7A0-Q) обладают лучшими в отрасли коэффициентами эффективности (FoM), ранее поставлялись в спецификациях промышленного класса, а теперь сертифицированы по стандарту AEC-Q101. Это делает их идеально подходящими для автомобильных приложений, таких как бортовые зарядные устройства (БЗУ) и тяговые инверторы в электромобилях (EV), а также DC-DC-преобразователи и системы отопления, вентиляции и кондиционирования воздуха (HVAC). Переключатели выпускаются в набирающем популярность корпусе D2PAK-7 для поверхностного монтажа, который лучше подходит для автоматизированных сборочных операций, чем устройства со сквозными отверстиями.

RDS(on) является ключевым параметром производительности для SiC MOSFETs, поскольку он влияет на потери проводимости. Однако, ориентируясь только на номинальные значения, мы не учитываем тот факт, что RDS(on) может увеличиваться более чем на 100 % при повышении рабочей температуры устройства, что приводит к значительному увеличению потерь проводимости. Температурная стабильность еще более важна при использовании технологии SMD-упаковки, поскольку устройство охлаждается через печатную плату, чем при использовании технологии сквозных отверстий, и компания Nexperia признает, что это является ограничивающим фактором для производительности многих существующих SiC-устройств, и использовала свойства своей инновационной технологической технологии для обеспечения того, что ее новые SiC MOSFETs предлагают лучшую в отрасли температурную стабильность в диапазоне рабочих температур от 25°C до 175°C. при увеличении номинального RDS(on) всего на 38%. Эта особенность позволяет заказчикам достичь более высокой выходной мощности в тех приложениях, где номинальный RDS(on) при 25°C у Nexperia выше, чем у других поставщиков, без какого-либо влияния на производительность.

«Эта особенность позволяет выбранному SiC MOSFET-прибору Nexperia достичь более высокой мощности по сравнению с устройствами с аналогичным номиналом RDS(on) от других поставщиков, что приводит к значительному преимуществу в стоимости для заказчиков на уровне полупроводников. Кроме того, более мягкие требования к охлаждению, более компактные пассивные компоненты и более высокий достижимый КПД предоставляют заказчикам большую свободу проектирования и снижают общую стоимость владения. Мы особенно рады, что эти продукты теперь доступны для автомобильного рынка, а их производительность и эффективность будут иметь реальное значение для автомобильных конструкций следующего поколения». сказал Эдоардо Мерли, старший вице-президент и глава подразделения широкополосных транзисторов, IGBT и модулей (WIM).