Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Toshiba представляет новые 650-вольтовые SiC МОП-транзисторы третьего поколения в корпусе DFN8×8

-Четыре новых устройства помогут повысить эффективность и плотность мощности в промышленном оборудовании.

20 мая 2025 г. - Корпорация Toshiba Electronic Components and Storage Devices («Toshiba») объявила о выпуске четырех новых 650-вольтовых МОП-транзисторов на основе карбида кремния (SiC). -TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C и TW123V65C. «TW123V65C». Оснащенные новейшей технологией SiC MOSFET 3-го поколения и выпускаемые в компактном корпусе DFN8×8, эти устройства подходят для промышленного оборудования, такого как импульсные источники питания и кондиционеры питания фотоэлектрических генераторов. Сегодня началась поддержка серийных поставок этих четырех устройств.

Четыре новых устройства - это первые SiC MOSFETы поколения 3 в компактном корпусе DFN8×8 для поверхностного монтажа, который позволяет уменьшить размеры более чем на 90 % и увеличить плотность мощности устройства по сравнению с корпусами со сквозными отверстиями, такими как TO-247 и TO-247-4L(X). Корпуса поверхностного монтажа также позволяют использовать компоненты с меньшим паразитным сопротивлением[2], чем в корпусах со сквозными отверстиями, что приводит к снижению потерь на переключение. DFN8×8 - это 4-контактный корпус[3], который поддерживает кельвиновые соединения с выводами источника сигнала, управляемого затвором. Это уменьшает влияние индуктивности линии источника внутри корпуса и обеспечивает высокую скорость переключения; например, TW054V65C имеет примерно на 55 % меньшие потери при включении и на 25 % меньшие потери при выключении[4] по сравнению с существующими продуктами Toshiba[5], что помогает снизить потери мощности в устройствах.

В будущем Toshiba продолжит расширять модельный ряд силовых SiC-устройств, способствуя повышению эффективности устройств и увеличению их мощности.

Области применения:

Коммутируемые источники питания для серверов, центров обработки данных, коммуникационного оборудования и т. д.

Станции зарядки электромобилей

Фотоэлектрические инверторы

Источники бесперебойного питания

Особенности:

Корпус DFN 8×8 для поверхностного монтажа для миниатюризации оборудования и автоматизированной сборки, низкие потери на переключение

SiC МОП-транзисторы Toshiba 3-го поколения

Хорошая температурная зависимость сопротивления стока-источника при включении благодаря оптимизации соотношения сопротивления дрейфа и сопротивления канала

Низкое сопротивление включения стока-источника × заряд утечки затвора

Низкое прямое напряжение диода: типичное значение VDSF = -1,35 В (VGS = -5 В)