Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Поставка продукции Infineon CoolSiC™: карбид кремния MOSFET Discretes, карбид кремния MOSFET Modules

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. является всемирно известным переработчиком электронных компонентов. Обладая сильной экономической мощью и хорошей деловой репутацией, компания быстро завоевала доверие многих клиентов фабрики и установила долгосрочные отношения сотрудничества. Компания предоставляет высококачественные услуги клиентам, стремясь иметь дело с вещами, честностью, профессиональными технологиями и богатым опытом.

Основные: IC IC, 5G чип, новая энергия IC, IoT чип, Bluetooth чип, чип автомобиля, искусственный интеллект IC, Ethernet IC, чип памяти, датчик, IGBT модуль и т.д..

Детали дискретного устройства MOSFET из карбида кремния

Дискретные МОП-транзисторы CoolSiC™ компании Infineon представляют собой большой прорыв в области силовых полупроводниковых технологий. В этих дискретных приборах используется передовая технология траншейного затвора, обеспечивающая более низкое сопротивление включения и более высокую эффективность переключения по сравнению с обычными МОП-транзисторами SiC с планарным затвором. Конструктивно МОП-транзисторы CoolSiC™ достигают превосходного управления затвором и подвижности носителей благодаря формированию высококачественного оксида затвора и траншейных областей на подложке из карбида кремния. Эта инновационная конструкция позволяет еще больше улучшить характеристики переключения и надежность устройства, сохраняя при этом преимущества, присущие материалу SiC.

С точки зрения электрических характеристик дискретные МОП-транзисторы Infineon CoolSiC™ демонстрируют превосходные рабочие параметры. Их широкий диапазон сопротивления включения (RDS(on)), от 52,9 мОм до 1,44 мОм, удовлетворяет требованиям приложений с различными уровнями мощности. По сравнению с обычными кремниевыми МОП-транзисторами, приборы CoolSiC™ обладают значительно меньшим сопротивлением включения при той же площади кристалла, что означает снижение потерь проводимости и повышение эффективности работы. Что касается коммутационных характеристик, то эти приборы поддерживают скорость переключения на уровне МГц, что значительно уменьшает размер и стоимость пассивных компонентов в системе, таких как индукторы и конденсаторы. Кроме того, МОП-транзисторы CoolSiC™ отличаются чрезвычайно низким зарядом обратного восстановления (Qrr), что значительно снижает потери на переключение и электромагнитные помехи (EMI) в приложениях с мостовой топологией.

Тепловые характеристики - еще одно важное преимущество дискретных МОП-транзисторов CoolSiC™. Благодаря высокой теплопроводности материала SiC (примерно в три раза выше, чем у кремния) и оптимизированной конструкции корпуса, эти приборы могут поддерживать температуру спая до 175°C, что значительно выше типичного предела в 125°C для обычных кремниевых приборов. Эта особенность позволяет разработчикам систем уменьшить размер и стоимость теплоотвода или увеличить плотность мощности системы при тех же условиях теплоотвода. На практике это может означать более компактную конструкцию источника питания или более высокую выходную мощность. Подробные параметры теплового сопротивления и кривые снижения температуры включены в технические данные, предоставленные Minjata Electronics, чтобы помочь заказчикам точно оценить тепловые характеристики устройств в реальных условиях эксплуатации.

Что касается надежности, то дискретные МОП-транзисторы Infineon CoolSiC™ проходят строгую сертификацию качества и испытания на надежность. Продукция соответствует промышленным и автомобильным стандартам (AEC-Q101), обеспечивая стабильную длительную работу в различных жестких условиях. Особо стоит отметить, что компания Infineon решила проблему нестабильности порогового напряжения, характерную для ранних SiC MOSFET, оптимизировав процесс оксидирования затвора, что значительно увеличивает срок службы устройств.

Технический анализ модулей МОП-транзисторов на основе карбида кремния

Модули МОП-транзисторов Infineon CoolSiC™ представляют собой решения системного уровня для мощных приложений. Эти модули объединяют несколько чипов CoolSiC™ MOSFET с оптимально спроектированными драйверами затвора, температурными датчиками и схемами защиты в одном корпусе, что значительно упрощает проектирование систем силовой электроники большой мощности. По сравнению с дискретными устройствами модульная конструкция обеспечивает более высокую плотность мощности, лучшие тепловые характеристики и более надежную системную интеграцию, что делает ее особенно подходящей для таких требовательных сценариев применения, как промышленные электроприводы, солнечные инверторы, системы электропривода электромобилей и быстрозарядные сваи.

С точки зрения технической архитектуры модули Infineon CoolSiC™ MOSFET отличаются инновационным дизайном корпуса и низкой индуктивностью. Внутри модуля в качестве изоляционной и теплопроводящей среды используется высокоэффективная керамическая подложка (DCB или AMB), на которой располагаются чип SiC MOSFET, чип диода непрерывности и необходимые пассивные компоненты. Силовые клеммы модуля обжимаются или припаиваются для обеспечения низкого контактного сопротивления и высокой механической надежности. Особого внимания заслуживает тщательная оптимизация проводки внутри модуля для минимизации паразитной индуктивности, что необходимо для использования преимуществ высоких частот SiC-устройств.

С точки зрения электрических характеристик модули CoolSiC™ MOSFET демонстрируют превосходную эффективность системы. Измеренные данные показывают, что эффективность системы с модулями CoolSiC™ может быть повышена на 3-5 % по сравнению с обычными IGBT-модулями на основе кремния, что означает значительную экономию энергии в приложениях мегаваттной мощности. Чрезвычайно низкие потери при переключении модуля позволяют системе работать на более высоких частотах (обычно до 50-100 кГц), что значительно уменьшает размер и вес фильтров и трансформаторов. Кроме того, встроенный в модуль SiC-диод Шоттки имеет нулевую характеристику обратного восстановления, что еще больше снижает потери и шум при переключении.

С точки зрения терморегулирования модули CoolSiC™ MOSFET обладают превосходными тепловыми характеристиками. Модули разработаны с низким тепловым сопротивлением, причем тепловое сопротивление (Rth(j-c)) обычно более чем на 30 % ниже, чем у эквивалентных модулей на основе кремния. В сочетании с высокой теплопроводностью самого материала SiC модули могут надежно работать при более высоких температурах окружающей среды или достигать тех же пределов повышения температуры при меньшем теплоотводе. Некоторые модули высокого класса также оснащены встроенными температурными датчиками (NTC или PTC), которые обеспечивают мониторинг температуры спая в режиме реального времени, что облегчает защиту системы от перегрева и прогнозирование срока службы.