Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Биполярный транзистор с изолированными воротами IGW75N65H5 (IGBT) представляет собой высокоскоростное устройство с конечной эффективностью и подходит для приложений со скоростью переключения более 30 кГц. Этот высокоскоростной 5 IGBT использует технологию TRENCHSTOP ™ 5 и интегрирует быстрый гибкий обратный параллельный диод RAPID 1. IGW75N65H5 обеспечивает лучшую эффективность в своем классе в топологии жесткого переключения и вибрации и является альтернативой предыдущему поколению IGBT Plug and Play. Типичные приложения включают ИБП, сварочный преобразователь, инвертор солнечных батарей и преобразователь частоты с переключателем средней и высокой частоты.

Технический параметр

Основные технические параметры IGW75N65H5 включают:

сингла

Коллекторные — эмиттерные полюса с максимальным напряжением v.s. 650 V

Коллекторные электроды — насыщенное напряжение в 1,65 V

Максимальное напряжение сетки/эмиттер: 20 V, 20 V

Непрерывный коллекторный ток в 25 C: 120 A

Расхождение энергии: 395 W

Минимальная рабочая температура: минус 40 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Серия: Trenchstop IGBT5

Инкапсуляция/упаковка: TO-247-3

Стиль установки: Through Hole

Ток сетки-рассеивания излучения: 100 ННК

Тип продукции: IGBT Transistors

Псевдоним: igw75n665h5 sp0012127936

Единица веса: 6,100 g

Прикладная область

Igw75n66h5 применяется к прикладной сцене, которая требует эффективности и высокой надежности, например:

Бытов техник ‌ : поскольк сво высокоэффективн и надежн, мощност конверсион потребн в различн бытов техник.

Промышлен управлен ‌ : в сист индустриальн контрол, IGW75N65H5 эффективн и низк потер дела ег идеальн.

Машин электрон ‌ : в машин электрон систем, как электрическ транспортн средств и гибридн транспортн средств мощност трансформац и систем управлен.

Характеристика и превосходство

Среди особенностей igw75n66h5:

650V пробивает напряжение

Серия "HighSpeed 3", которая отличается от британской индустрии

Коэффициент Q-g снизился в 2,5 раза

Коэффициент потери при выключателе в два раза ниже

V CE (sat) уменьшился на 200 МКМ

Низкий уровень кислорода

Умеренный коэффициент положительной температуры VCE (sat)

Температурная стабильность V-f

Преимущества igw75n66h5 включают:

С высокой эффективностью, снижая умеренную температуру оболочки узлов, таким образом повышая надежность оборудования

Напряжение на материнской линии повышается до 50V и не влияет на надежность

Более высокая плотность мощности

Немедленная консультация: вы можете узнать о запасах IGW75N65H5 и ценах на продукцию, посетив официальный сайт Mingjiada Electronics (www.hkmjd.com).