Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

Первая страница /динамика компании /

Поставка A2T21H410-24SR6 RF MOSFET транзистора

Поставка A2T21H410-24SR6 RF MOSFET транзистора

Источник:этот сайтвремя:2025-04-18количество просмотров:

Mingjiada Electronics Co., Ltd. в настоящее время поставляет A2T21H410-24SR6 RF металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор (RF MOSFET).Описание продукта: A2T2…

Mingjiada Electronics Co., Ltd. в настоящее время поставляет A2T21H410-24SR6 RF металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор (RF MOSFET).


Описание продукта: A2T21H410-24SR6

A2T21H410-24SR6 - это 72-ваттный асимметричный РЧ LDMOS-транзистор Doherty с диапазоном рабочих частот 2110-2170 МГц, предназначенный для базовых станций сотовой связи. Он отличается передовой, высокопроизводительной технологией Doherty с внутренним корпусом, увеличенным диапазоном отрицательного напряжения затвор-исток, улучшенным режимом работы усилителя класса C и соответствием требованиям RoHS.


Особенности ядра

1. отличные высокочастотные характеристики

Диапазон рабочих частот: 1 МГц-2500 МГц

Выходная мощность: 21 Вт (типовая @ 28 В, 175 МГц)

Коэффициент усиления мощности: 19 дБ (типовой)

Эффективность: 70% (типичная)


2. Отличные электрические характеристики

Напряжение сток-исток (VDS): 65 В

Напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В

Непрерывный ток стока (ID): 4A

Импульсный ток стока (IDM): 16A


3. надежные тепловые характеристики

Тепловое сопротивление корпуса: 2,4°C/Вт

Диапазон рабочих температур спая: от -55°C до +150°C

Корпус TO-247, отличные тепловые характеристики


4. сильная адаптация к применению

Легкое согласование входного/выходного импеданса

Встроенный диод защиты от электростатического разряда

Отличная линейность для систем цифровой модуляции


Спецификация

Номер модели: A2T21H410-24SR6

Тип: N-канальные улучшенные радиочастотные МОП-транзисторы

Напряжение пробоя сток-исток (BVDSS): 65 В

Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2,0-4,0 В

Сопротивление включения (RDS(on)): 0.24Ω (макс. @VGS=10V)

Входная емкость (Ciss): 180pF (типовая)

Выходная емкость (Coss): 45пФ (типовая)

Емкость обратной передачи (Crss): 5пФ (типовая)

Упаковка: TO-247

Стандарт соответствия: RoHS, REACH


Сценарий применения

A2T21H410-24SR6 в основном используется в базовых станциях сотовой связи для систем сотовой связи в диапазоне частот от 2110 до 2170 МГц, которые могут обеспечить высокую мощность и высокую эффективность усиления радиочастотного сигнала для базовых станций, чтобы удовлетворить растущий спрос на мобильную связь.

компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler