Распродажа ST MCU STM32G484CBT3 Высокопроизводительное 32-битное RISC-ядро Arm Cortex-M4

классификация продукции

Новая информация: динамика компании; Профессиональная информация

Первая страница /динамика компании /

Распродажа ST MCU STM32G484CBT3 Высокопроизводительное 32-битное RISC-ядро Arm Cortex-M4

Источник:этот сайтвремя:2024-01-06количество просмотров:

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. распространяет микроконтроллеры ST STM32G484CBT3 на базе высокопроизводительного 32-битного RISC-ядра Arm Cortex-M4, работающего …

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. распространяет микроконтроллеры ST STM32G484CBT3 на базе высокопроизводительного 32-битного RISC-ядра Arm® Cortex®-M4, работающего на частоте 170 МГц.

Описание

STM32G484CBT3 - это высокопроизводительный 32-разрядный микроконтроллер Arm® Cortex®-M4. Ядро Cortex-M4 оснащено блоком обработки данных с плавающей точкой (FPU) одной точности, который поддерживает все инструкции обработки данных Arm одной точности и все типы данных. Микроконтроллеры STM32G483xE включают встроенную высокоскоростную память, гибкий контроллер статической памяти (FSMC) для статической памяти и контроллер четверной памяти. Контроллер памяти (FSMC) для статической памяти и четырехканальный интерфейс SPI Flash. MCU включают в себя множество расширенных входов/выходов, периферийные устройства, поддерживающие ускорение математических/алгоритмических функций, несколько встроенных механизмов защиты флэш-памяти и SRAM.

Характеристики

Ядро:

32-битный процессор Arm® Cortex®-M4 с FPU и ускорителем Adaptive Real-Time (ART).

Аппаратный ускоритель математики:

CORDIC для ускорения тригонометрии

FMAC: ускоритель математики с фильтрацией

Память:

512 КБ флэш-памяти (с поддержкой ECC), два банка одновременного чтения/записи, защита от считывания проприетарного кода (PCROP), защищенная область хранения и 1 КБ OTP

96 КБ SRAM с аппаратным контролем четности на первых 32 КБ

Обычный ускоритель: 32 КБ SRAM с аппаратным контролем четности на шинах инструкций и данных (CCM SRAM)

Интерфейс внешней памяти для статической памяти FSMC с поддержкой памяти SRAM, PSRAM, NOR и NAND

Интерфейс памяти Quad-SPI

Сброс и управление питанием:

Сброс при включении/выключении питания (POR/PDR/BOR)

Программируемый детектор напряжения (PVD)

Режимы пониженного энергопотребления: сон, остановка, режим ожидания и выключение

Питание VBAT для RTC и регистров режима ожидания

Заинтересованные стороны могут связаться с нами по телефону:

Тел: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com