sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Shenzhen Mingjiada Electronic Electronics Co., Ltd. представляет новый оригинальный силовой MOSFET Infineon MOSFET_IPB029N15NM6_OptiMOS™ 6, нормальный уровень 150 В, в 3-контактном ко…
Shenzhen Mingjiada Electronic Electronics Co., Ltd. представляет новый оригинальный силовой MOSFET Infineon MOSFET_IPB029N15NM6_OptiMOS™ 6, нормальный уровень 150 В, в 3-контактном корпусе D²PAK.
Обзор устройства IPB029N15NM6
IPB029N15NM6 - это высокопроизводительный силовой МОП-транзистор семейства OptiMOS™ 6 от Infineon, рассчитанный на напряжение 150 В. Он идеально подходит для промышленных источников питания, электроинструментов и автомобильной электроники, в том числе благодаря отличной плотности мощности, низкому сопротивлению включения и высокой эффективности переключения. IPB029N15NM6 Разработанный для оптимизации энергоэффективности при снижении стоимости системы, IPB029N15NM6 отвечает высокопроизводительным требованиям современных приложений силовой электроники.
Особенности продукции IPB029N15NM6
Низкое сопротивление включения: IPB029N15NM6 имеет чрезвычайно низкое сопротивление включения (RDS(on)), что значительно снижает потери мощности и повышает общую энергоэффективность.
Высокая эффективность переключения: Благодаря оптимизации характеристик диода и переключения корпуса, IPB029N15NM6 превосходно работает в высокочастотных приложениях, снижая электромагнитные помехи (EMI) и потери на переключение.
Превосходная плотность мощности: В IPB029N15NM6 используется передовая технология упаковки для достижения более высокой плотности мощности для приложений с ограниченным пространством.
Широкая безопасная рабочая зона: IPB029N15NM6 имеет широкую безопасную рабочую зону (SOA), обеспечивающую стабильную работу при больших токах и высоких напряжениях, что делает его пригодным для использования в жестких промышленных условиях.
Экологически чистый дизайн: Соответствует требованиям RoHS и не содержит свинца, отвечая экологическим требованиям6.
Технические характеристики IPB029N15NM6
Номинальное напряжение: 150 В
Сопротивление включения (RDS(on)): 2,9 мОм (типовое)
Максимальный ток утечки (ID): 120 A
Тип корпуса: TO-263 (D2PAK)
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C
Соответствие требованиям: RoHS, AEC-Q101 (одобрение автомобильного класса)
Области применения IPB029N15NM6
IPB029N15NM6 широко используется в следующих областях:
Промышленные источники питания: используются в импульсных источниках питания (SMPS), приводах двигателей и инверторах для повышения энергоэффективности и надежности.
Электроинструменты: поддержка конструкции с высокой плотностью мощности для продления срока службы батарей и повышения производительности инструментов.
Автомобильная электроника: для бортовых зарядных устройств, DC-DC-преобразователей и систем управления батареями, отвечающих специфическим требованиям автомобилей.
Возобновляемая энергетика: солнечные инверторы и системы хранения энергии для оптимизации эффективности преобразования энергии.
Для получения дополнительной информации о IPB029N15NM6 посетите наш сайт или свяжитесь с нашим отделом продаж.
Контактная информация:
Тел: +86 13410018555
Электронная почта: sales@hkmjd.com
Официальный сайт: www.hkmjd.com
время:2025-03-18
время:2025-03-18
время:2025-03-18
время:2025-03-18
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: