Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

Интерфейс - последовательный цифровой интерфейс (SDI) ИС

Первая страница /динамика компании /

Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы

Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы

Источник:этот сайтвремя:2025-03-17количество просмотров:

Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N-канальные силовые MOSFET-транзисторыВ современной электронной промышленности силовые MOSFET-транзисторы используются…

Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы


В современной электронной промышленности силовые MOSFET-транзисторы используются в качестве высокоэффективных переключающих устройств в широком спектре приложений, таких как управление питанием, промышленное управление и автомобильная электроника. Серия CoolMOS™ P7 компании Infineon пользуется большим спросом на рынке благодаря своим превосходным характеристикам и надежности. Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., являясь всемирно известным дистрибьютором электронных компонентов, уже долгое время поставляет N-канальные силовые MOSFET транзисторы Infineon IPB60R045P7 CoolMOS™ P7, обеспечивая клиентов высококачественной продукцией и профессиональным обслуживанием.


Обзор продукции Infineon IPB60R045P7 CoolMOS™ P7


1,Описание продукта IPB60R045P7

IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 MOSFET с суперпереходом является преемником серии 600V CoolMOS™ P6. В ней по-прежнему соблюдается баланс между потребностью в высокой эффективности и простотой использования в процессе проектирования. Лучшие в своем классе RonxA и низкий заряд затвора (QG), присущие платформе CoolMOS™ 7-го поколения, обеспечивают его высокую эффективность.


2,IPB60R045P7 - это высокоэффективный N-канальный силовой MOSFET-транзистор серии CoolMOS™ P7 компании Infineon, в котором реализована передовая MOSFET-технология со следующими ключевыми характеристиками:


Высокая вольтамперная характеристика: IPB60R045P7 имеет высокое напряжение сток-исток (Vdss) до 650 В, что делает его пригодным для использования в высоковольтных приложениях.


Низкое сопротивление включения: Чрезвычайно низкое сопротивление включения IPB60R045P7 значительно снижает потери проводимости и повышает общую эффективность. При токе 15,9 А и напряжении питания 10 В сопротивление включения (Rds On) составляет всего 45 мОм, что эффективно снижает энергопотребление.


Высокая токовая нагрузка: IPB60R045P7 удовлетворяет высоким требованиям к мощности, обеспечивая непрерывный ток стока (Id) 48 А при 25°C.


Быстрое переключение: Благодаря технологии суперперехода на платформе CoolMOS™ P7 устройство IPB60R045P7 имеет чрезвычайно низкий заряд затвора (QG) и потери на переключение для высокочастотных приложений переключения.


Широкий температурный диапазон: IPB60R045P7 работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C в жестких условиях эксплуатации.


Встроенная защита от электростатического разряда: Встроенный диод Зенера в IPB60R045P7 обеспечивает защиту от электростатического разряда (ESD) напряжением до 2 кВ, повышая надежность устройства.


Оптимизированный дизайн корпуса: IPB60R045P7 поддерживает широкий спектр корпусов (например, D²PAK) для сквозного и поверхностного монтажа, что позволяет удовлетворить потребности различных сценариев применения.


3、Технические преимущества IPB60R045P7

Высокоэффективная конструкция: IPB60R045P7 достигает более высокого КПД за счет оптимизации коэффициента качества (FOM) RDS(on) и QG, что делает его особенно подходящим для топологий с жестким и мягким переключением, таких как PFC и LLC.


Простота использования: Встроенный резистор затвора (RG) снижает чувствительность к колебаниям и упрощает процесс проектирования. Кроме того, низкая склонность к звону и отличная стойкость диодов корпуса дополнительно снижают сложность проектирования.


Отличные тепловые характеристики: Низкие потери на переключение и проводимость позволяют устройству поддерживать стабильную работу в условиях высоких температур, что делает его пригодным для применения в конструкциях с высокой плотностью мощности.


4, Особенности и преимущества IPB60R045P7

600 В P7 обеспечивает превосходные показатели FOM RDS(on)xEoss и RDS(on)xQG

Простота использования

Стойкость к электростатическому разряду ≥ 2 кВ (HBM класс 2)

Встроенный затворный резистор RG

Диод с прочным корпусом

Широкий ассортимент в корпусах со сквозными отверстиями и для поверхностного монтажа

Доступны детали как стандартного, так и промышленного класса

Превосходные ФОМ RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss обеспечивают более высокий КПД

Простота использования

Простота использования в производственных условиях за счет предотвращения возникновения сбоев при электростатическом разряде

Встроенный RG снижает чувствительность MOSFET к колебаниям

MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC

Отличная прочность при жесткой коммутации диода корпуса, наблюдаемой в топологии LLC

Подходит для широкого спектра конечных применений и выходных мощностей

Доступны детали, подходящие для потребительских и промышленных применений


5,Применение IPB60R045P7

Промышленные источники питания: Включая источники питания для серверов, коммуникационного оборудования и промышленных SMPS, их высокая производительность и надежность отвечают требованиям жестких промышленных условий.


Бытовая электроника: Подходят для блоков питания телевизоров, адаптеров и зарядных устройств, помогая достичь целей миниатюризации и высокой производительности.


Новая энергетика: высокая производительность и низкие потери полностью продемонстрированы в солнечных инверторах и зарядных станциях для электромобилей.


компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler