sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы
Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N-канальные силовые MOSFET-транзисторыВ современной электронной промышленности силовые MOSFET-транзисторы используются…
Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы
В современной электронной промышленности силовые MOSFET-транзисторы используются в качестве высокоэффективных переключающих устройств в широком спектре приложений, таких как управление питанием, промышленное управление и автомобильная электроника. Серия CoolMOS™ P7 компании Infineon пользуется большим спросом на рынке благодаря своим превосходным характеристикам и надежности. Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., являясь всемирно известным дистрибьютором электронных компонентов, уже долгое время поставляет N-канальные силовые MOSFET транзисторы Infineon IPB60R045P7 CoolMOS™ P7, обеспечивая клиентов высококачественной продукцией и профессиональным обслуживанием.
Обзор продукции Infineon IPB60R045P7 CoolMOS™ P7
1,Описание продукта IPB60R045P7
IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 MOSFET с суперпереходом является преемником серии 600V CoolMOS™ P6. В ней по-прежнему соблюдается баланс между потребностью в высокой эффективности и простотой использования в процессе проектирования. Лучшие в своем классе RonxA и низкий заряд затвора (QG), присущие платформе CoolMOS™ 7-го поколения, обеспечивают его высокую эффективность.
2,IPB60R045P7 - это высокоэффективный N-канальный силовой MOSFET-транзистор серии CoolMOS™ P7 компании Infineon, в котором реализована передовая MOSFET-технология со следующими ключевыми характеристиками:
Высокая вольтамперная характеристика: IPB60R045P7 имеет высокое напряжение сток-исток (Vdss) до 650 В, что делает его пригодным для использования в высоковольтных приложениях.
Низкое сопротивление включения: Чрезвычайно низкое сопротивление включения IPB60R045P7 значительно снижает потери проводимости и повышает общую эффективность. При токе 15,9 А и напряжении питания 10 В сопротивление включения (Rds On) составляет всего 45 мОм, что эффективно снижает энергопотребление.
Высокая токовая нагрузка: IPB60R045P7 удовлетворяет высоким требованиям к мощности, обеспечивая непрерывный ток стока (Id) 48 А при 25°C.
Быстрое переключение: Благодаря технологии суперперехода на платформе CoolMOS™ P7 устройство IPB60R045P7 имеет чрезвычайно низкий заряд затвора (QG) и потери на переключение для высокочастотных приложений переключения.
Широкий температурный диапазон: IPB60R045P7 работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C в жестких условиях эксплуатации.
Встроенная защита от электростатического разряда: Встроенный диод Зенера в IPB60R045P7 обеспечивает защиту от электростатического разряда (ESD) напряжением до 2 кВ, повышая надежность устройства.
Оптимизированный дизайн корпуса: IPB60R045P7 поддерживает широкий спектр корпусов (например, D²PAK) для сквозного и поверхностного монтажа, что позволяет удовлетворить потребности различных сценариев применения.
3、Технические преимущества IPB60R045P7
Высокоэффективная конструкция: IPB60R045P7 достигает более высокого КПД за счет оптимизации коэффициента качества (FOM) RDS(on) и QG, что делает его особенно подходящим для топологий с жестким и мягким переключением, таких как PFC и LLC.
Простота использования: Встроенный резистор затвора (RG) снижает чувствительность к колебаниям и упрощает процесс проектирования. Кроме того, низкая склонность к звону и отличная стойкость диодов корпуса дополнительно снижают сложность проектирования.
Отличные тепловые характеристики: Низкие потери на переключение и проводимость позволяют устройству поддерживать стабильную работу в условиях высоких температур, что делает его пригодным для применения в конструкциях с высокой плотностью мощности.
4, Особенности и преимущества IPB60R045P7
600 В P7 обеспечивает превосходные показатели FOM RDS(on)xEoss и RDS(on)xQG
Простота использования
Стойкость к электростатическому разряду ≥ 2 кВ (HBM класс 2)
Встроенный затворный резистор RG
Диод с прочным корпусом
Широкий ассортимент в корпусах со сквозными отверстиями и для поверхностного монтажа
Доступны детали как стандартного, так и промышленного класса
Превосходные ФОМ RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss обеспечивают более высокий КПД
Простота использования
Простота использования в производственных условиях за счет предотвращения возникновения сбоев при электростатическом разряде
Встроенный RG снижает чувствительность MOSFET к колебаниям
MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC
Отличная прочность при жесткой коммутации диода корпуса, наблюдаемой в топологии LLC
Подходит для широкого спектра конечных применений и выходных мощностей
Доступны детали, подходящие для потребительских и промышленных применений
5,Применение IPB60R045P7
Промышленные источники питания: Включая источники питания для серверов, коммуникационного оборудования и промышленных SMPS, их высокая производительность и надежность отвечают требованиям жестких промышленных условий.
Бытовая электроника: Подходят для блоков питания телевизоров, адаптеров и зарядных устройств, помогая достичь целей миниатюризации и высокой производительности.
Новая энергетика: высокая производительность и низкие потери полностью продемонстрированы в солнечных инверторах и зарядных станциях для электромобилей.
время:2025-03-17
время:2025-03-17
время:2025-03-17
время:2025-03-17
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: