Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы

В современной электронной промышленности силовые MOSFET-транзисторы используются в качестве высокоэффективных переключающих устройств в широком спектре приложений, таких как управление питанием, промышленное управление и автомобильная электроника. Серия CoolMOS™ P7 компании Infineon пользуется большим спросом на рынке благодаря своим превосходным характеристикам и надежности. Компания Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., являясь всемирно известным дистрибьютором электронных компонентов, уже долгое время поставляет N-канальные силовые MOSFET транзисторы Infineon IPB60R045P7 CoolMOS™ P7, обеспечивая клиентов высококачественной продукцией и профессиональным обслуживанием.

Обзор продукции Infineon IPB60R045P7 CoolMOS™ P7

1，Описание продукта IPB60R045P7

IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 MOSFET с суперпереходом является преемником серии 600V CoolMOS™ P6. В ней по-прежнему соблюдается баланс между потребностью в высокой эффективности и простотой использования в процессе проектирования. Лучшие в своем классе RonxA и низкий заряд затвора (QG), присущие платформе CoolMOS™ 7-го поколения, обеспечивают его высокую эффективность.

2，IPB60R045P7 - это высокоэффективный N-канальный силовой MOSFET-транзистор серии CoolMOS™ P7 компании Infineon, в котором реализована передовая MOSFET-технология со следующими ключевыми характеристиками:

Высокая вольтамперная характеристика: IPB60R045P7 имеет высокое напряжение сток-исток (Vdss) до 650 В, что делает его пригодным для использования в высоковольтных приложениях.

Низкое сопротивление включения: Чрезвычайно низкое сопротивление включения IPB60R045P7 значительно снижает потери проводимости и повышает общую эффективность. При токе 15,9 А и напряжении питания 10 В сопротивление включения (Rds On) составляет всего 45 мОм, что эффективно снижает энергопотребление.

Высокая токовая нагрузка: IPB60R045P7 удовлетворяет высоким требованиям к мощности, обеспечивая непрерывный ток стока (Id) 48 А при 25°C.

Быстрое переключение: Благодаря технологии суперперехода на платформе CoolMOS™ P7 устройство IPB60R045P7 имеет чрезвычайно низкий заряд затвора (QG) и потери на переключение для высокочастотных приложений переключения.

Широкий температурный диапазон: IPB60R045P7 работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C в жестких условиях эксплуатации.

Встроенная защита от электростатического разряда: Встроенный диод Зенера в IPB60R045P7 обеспечивает защиту от электростатического разряда (ESD) напряжением до 2 кВ, повышая надежность устройства.

Оптимизированный дизайн корпуса: IPB60R045P7 поддерживает широкий спектр корпусов (например, D²PAK) для сквозного и поверхностного монтажа, что позволяет удовлетворить потребности различных сценариев применения.

3、Технические преимущества IPB60R045P7

Высокоэффективная конструкция: IPB60R045P7 достигает более высокого КПД за счет оптимизации коэффициента качества (FOM) RDS(on) и QG, что делает его особенно подходящим для топологий с жестким и мягким переключением, таких как PFC и LLC.

Простота использования: Встроенный резистор затвора (RG) снижает чувствительность к колебаниям и упрощает процесс проектирования. Кроме того, низкая склонность к звону и отличная стойкость диодов корпуса дополнительно снижают сложность проектирования.

Отличные тепловые характеристики: Низкие потери на переключение и проводимость позволяют устройству поддерживать стабильную работу в условиях высоких температур, что делает его пригодным для применения в конструкциях с высокой плотностью мощности.

4, Особенности и преимущества IPB60R045P7

600 В P7 обеспечивает превосходные показатели FOM RDS(on)xEoss и RDS(on)xQG

Простота использования

Стойкость к электростатическому разряду ≥ 2 кВ (HBM класс 2)

Встроенный затворный резистор RG

Диод с прочным корпусом

Широкий ассортимент в корпусах со сквозными отверстиями и для поверхностного монтажа

Доступны детали как стандартного, так и промышленного класса

Превосходные ФОМ RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss обеспечивают более высокий КПД

Простота использования

Простота использования в производственных условиях за счет предотвращения возникновения сбоев при электростатическом разряде

Встроенный RG снижает чувствительность MOSFET к колебаниям

MOSFET подходит как для жестких, так и для резонансных топологий переключения, таких как PFC и LLC

Отличная прочность при жесткой коммутации диода корпуса, наблюдаемой в топологии LLC

Подходит для широкого спектра конечных применений и выходных мощностей

Доступны детали, подходящие для потребительских и промышленных применений

5，Применение IPB60R045P7

Промышленные источники питания: Включая источники питания для серверов, коммуникационного оборудования и промышленных SMPS, их высокая производительность и надежность отвечают требованиям жестких промышленных условий.

Бытовая электроника: Подходят для блоков питания телевизоров, адаптеров и зарядных устройств, помогая достичь целей миниатюризации и высокой производительности.

Новая энергетика: высокая производительность и низкие потери полностью продемонстрированы в солнечных инверторах и зарядных станциях для электромобилей.