Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Mingjiada Electronics импортирует оригинальные поставки Memory IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz Serial NOR Flash Memory, с высокой гарантией качества и конкурентоспособной ценой, добро пожаловать к нам!

Обзор устройства

Флэш-память NOR S25FL128SAGMFI000 - это энергонезависимая память с напряжением питания 2,7-3,6 В / 1,65-3,6 В VIO на основе 65-нм технологии MIRRORBIT™. 128-Мб S25FL128S FL-S NOR разработана на базе архитектуры Eclipse с буферами постраничного программирования, что позволяет пользователям программировать до 128 слов за одну операцию. 128-Мб S25FL128S FL-S NOR разработан на архитектуре Eclipse с буфером постраничного программирования, который позволяет пользователю программировать до 128 слов (256 байт) за одну операцию, что делает программирование и стирание быстрее, чем алгоритмы программирования и стирания SPI предыдущего поколения. Устройство подключается к хост-системе через последовательный периферийный интерфейс (SPI) и поддерживает традиционные последовательные входы и выходы блока SPI (Single I/O или SIO), а также дополнительные двухбитные (Dual I/O или DIO) и четырехбитные (Quad I/O или QIO) последовательные команды.

Как часть семейства FL-S, S25FL128S FL-S NOR поддерживает команды чтения с двойной скоростью передачи данных (DDR) для SIO, DIO и QIO, которые передают адреса и считывают данные по обоим фронтам тактового импульса. При использовании устройства FL-S на более высоких тактовых частотах, поддерживаемых командами QIO или DDR-QIO, скорость передачи команд чтения сравнима или выше, чем у традиционной асинхронной NOR-флэш-памяти с параллельным интерфейсом, при этом значительно сокращается количество сигналов. S25FL128S FL-S NOR обеспечивает не только высокую плотность, но также гибкость и скорость, необходимые для широкого спектра встраиваемых приложений.

Характеристики продукта

3,0-вольтовое КМОП-ядро с многофункциональными входами/выходами

Многочисленные входы/выходы последовательного периферийного интерфейса (SPI)

Режимы полярности и фазы тактового генератора SPI 0 и 3

Возможность использования двойной скорости передачи данных (DDR)

24-битная или 32-битная расширенная адресация

Набор последовательных команд и площадь, совместимые с семействами S25FL-A, S25FL-K и S25FL-P SPI

Набор команд и площадь, совместимые с серией S25FL-P SPI

Команды считывания

Обычное, быстрое, двухканальное, четырехканальное, быстрое DDR, двухканальное DDR, четырехканальное DDR

Автостарт - при включении питания или сбросе автоматически выполняются команды обычного или четырехканального чтения по заранее выбранному адресу

Данные Common Flash Interface (CFI) для получения информации о конфигурации

Программирование (1,5 Мбайт/с)

Возможность использования 256- или 512-байтового буфера постраничного программирования

Программирование страниц с четырьмя входами (QPP) для систем с медленным тактовым генератором

Автоматическая ECC - внутренняя аппаратная генерация кода коррекции ошибок и коррекция ошибок в единицах измерения

Стирание (от 0,5 до 0,65 Мбайт/с)

Возможность смешанного размера сектора: 32 физических 4-байтовых сектора в верхней или нижней части адресного пространства, все остальные сектора по 64 байта, совместимы с устройствами S25FL предыдущего поколения

Опция унифицированного сектора - всегда стирать 256-килобайтные блоки для программной совместимости с устройствами повышенной плотности и будущими устройствами.

Заинтересованные лица, пожалуйста, свяжитесь с г-ном Ченом:

Тел: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Веб-сайт компании: www.hkmjd.com