sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
MRAM-накопители заменяют флеш-память, Lattice FPGA обновляет новые технологии
Недавно компания Lattice объявила о своем перспективном направлении в проектировании ПЛИС, что позволило ей внедрить технологию MRAM в ряд ин…
Недавно компания Lattice объявила о своем перспективном направлении в проектировании ПЛИС, что позволило ей внедрить технологию MRAM в ряд инновационных продуктов, включая Certus-NX, CertusPro-NX и Avant. Эти FPGA-устройства имеют оптимизированный архитектурный дизайн и проверенные технологические процессы со встроенными механизмами жесткого стирания, обнаружения и исправления ошибок, обеспечивая пользователям надежную среду разработки. С помощью новейших инструментов Radiant пользователи могут напрямую реализовать интерфейсы программирования MRAM для поддержки широкого диапазона объемов памяти и скоростей передачи данных. При использовании этих устройств ПЛИС пользователи могут воспользоваться преимуществами архитектуры ПЛИС с низким энергопотреблением и быстрой и безопасной конфигурацией/реконфигурацией битовых потоков.
Проектирование схемы или приложения для ПЛИС требует использования языка описания аппаратуры (HDL), чтобы описать, как должны быть подключены функции внутри ПЛИС. Код HDL компилируется в файл конфигурации ПЛИС, известный как битовый поток, с помощью программного обеспечения для разработки ПЛИС. Битовый поток содержит двоичные данные, которые указывают каждому логическому элементу (флип-флопу, гейту и т. д.) внутри ПЛИС, как подключаться и выполнять цифровые функции. После создания битовый поток сохраняется в энергонезависимом запоминающем устройстве. Бит-поток конфигурации загружается в ПЛИС в процессе включения питания. После конфигурирования битового потока ПЛИС начинает выполнять любую из множества программных задач, таких как обработка данных или сигналов, функции управления и сопряжение протоколов.
По словам представителей Lattice, ранее ПЛИС в значительной степени полагались на флэш-память для хранения битовых потоков конфигурации. Такой подход подходил для многих основных задач конфигурирования ПЛИС, однако по мере развития технологий и повышения надежности и производительности возникает потребность в более разнообразных вариантах хранения конфигурации. Катализатором этого сдвига являются разнообразные потребности приложений и отраслей, которые в настоящее время расширяют границы применения ПЛИС с точки зрения целостности данных, долговечности системы и эффективности работы.
Например, в приложениях на границе сети, требующих высокой долговечности или производительности, MRAM может обрабатывать большое количество высокоскоростных циклов чтения/записи через OTA для поддержки непрерывного обновления данных без необходимости проходить через циклы стирания и без необходимости использования флэш-файловой системы или специального контроллера. Флэш-память, хотя и надежна в определенных условиях, имеет ограничения по долговечности.
В автомобильных приложениях MRAM может эффективно работать в широком диапазоне температур и в суровых условиях. В критически важных транспортных системах и авионике MRAM важна для хранения записей о настройке системы и оперативных данных. В космических приложениях, где надежность данных имеет решающее значение, MRAM устойчивы к сильному излучению, что упрощает перепрограммирование на орбите и ограничивает ошибки, вызванные излучением.
В средах, критичных ко времени, таких как обработка данных датчиков в реальном времени или высоконадежные средства связи, необходимость в быстрой настройке является критически важной. Обычная флэш-память приводит к задержкам во времени загрузки.
Магнитная память с произвольным доступом (MRAM) - это новая технология энергонезависимой памяти, которая использует магнитные свойства материалов для хранения данных. В отличие от традиционной флэш-памяти, основанной на хранении заряда, магнитная память с произвольным доступом использует магнитные туннельные переходы для представления двоичных данных в виде направления магнитных состояний. Такой подход дает ряд преимуществ, включая более низкое энергопотребление, большую долговечность и высокую скорость чтения и записи. Кроме того, нестабильность MRAM обеспечивает сохранность данных даже при отсутствии источника питания, что делает ее надежной и эффективной альтернативой флэш-памяти.
По мнению Lattice, использование MRAM для хранения битовых потоков конфигурации ПЛИС - это не просто обновление технологии, а стратегический шаг к созданию высоконадежных систем будущего. Поскольку промышленность продолжает требовать от своих электронных компонентов все больше и больше, системы FPGA с поддержкой MRAM стали оптимальным решением для приложений с нулевой отказоустойчивостью.
В эпоху искусственного интеллекта характеристики MRAM позволяют удовлетворить потребности пограничных вычислений и являются одним из идеальных видов памяти для интеграции хранения и вычислений. MRAM сочетается с чипами искусственного интеллекта для достижения архитектуры интеграции хранения и вычислений и повышения эффективности работы алгоритмов искусственного интеллекта. Например, в области распознавания изображений и речи чипы ИИ с интегрированной памятью-вычислителем могут достичь более высокой производительности и низкого энергопотребления.
MRAM основана на управлении электронным «спином», может достичь теоретического нулевого статического энергопотребления, в то же время обладает высокой скоростью и энергонезависимостью и практически неограниченным количеством записей, MRAM в скорости, долговечности, энергопотреблении по этим аспектам имеет неоспоримое превосходство.
MRAM также интегрируется с другими технологиями хранения данных, например, сочетая MRAM с DRAM и флэш-памятью и т.д. В мобильных устройствах MRAM может использоваться в качестве кэша, а DRAM и флэш-память образуют гибридную систему хранения данных для повышения производительности и выносливости устройства. Использование преимуществ различных технологий хранения данных для достижения оптимального баланса производительности, емкости и стоимости.
время:2025-04-03
время:2025-04-03
время:2025-04-03
время:2025-04-03
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: