Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

sales@hkmjd.com

俄banner
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

служебный телефон:86-755-83294757

классификация продукции

ИИ процессорный чип

AI Ускоритель

Первая страница /динамика компании /

Спрос и предложение Силовой GaN чип NV6152-RA одиночный, 650 В, 450 мОм, PQFN 5x6

Спрос и предложение Силовой GaN чип NV6152-RA одиночный, 650 В, 450 мОм, PQFN 5x6

Источник:этот сайтвремя:2023-11-27количество просмотров:

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. для GaN Power Chip NV6152-RA Gate Driver GaNFast with GaNSense, Single, 650V, 450mOhms, PQFN 5x6ОПИСАНИЕGaN микросхема питания NV6152 представляет собой новое п…

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. для GaN Power Chip NV6152-RA Gate Driver GaNFast with GaNSense, Single, 650V, 450mOhms, PQFN 5x6


ОПИСАНИЕ

GaN микросхема питания NV6152 представляет собой новое поколение микросхем питания, внутренняя интегрированная схема обнаружения тока без потерь GaNSense, исключающая внешний резистор обнаружения тока, исключающая потребление мощности резистора обнаружения тока, повышающая эффективность преобразования зарядного устройства, и встроенная схема обнаружения тока без потерь, но также обеспечивающая более быструю защиту от перегрузки по току, с интеллектуальным режимом ожидания, для дальнейшего повышения производительности и надежности, и снижения потребления энергии в режиме ожидания. энергопотребление в режиме ожидания.


NV6152 имеет встроенный драйвер, высокоточную схему выборки тока без потерь и схему защиты. Он имеет сопротивление включения 450 мОм, выдерживаемое напряжение 650 В, переходное выдерживаемое напряжение 800 В, поддерживает частоту переключения 2 МГц и выпускается в корпусе QFN размером 5*6 мм для экономии площади.


Номер модели: NV6152-RA

Продукт: Драйверы затворов MOSFET

Тип: полумост

Стиль монтажа: SMD/SMT

Упаковка/корпус: PQFN-5x6-8

Количество драйверов: 1 драйвер

Количество выходов: 1 выход

Напряжение питания - мин: 10 В

Напряжение питания - макс: 24 В

Конфигурация: инвертирующая

Время нарастания: 6 нс

Время спада: 3 нс

Минимальная рабочая температура: - 40 C

Максимальная рабочая температура: + 125 C

Серия: GaNFast с технологией GaNSense

Чувствительность к влажности: Да

Тип изделия: драйверы затвора

Задержка распространения - макс: 11 нс

Количество в заводской упаковке: 1000

Подкатегория: PMIC - ИС управления питанием

Технология: GaN

Торговое название: GaNFast


Долгосрочная переработка нитрида галлия чип NV6152-RA GanFast ™ ИС питания с GaNSense ™ технологии, только принять регулярные источники канала, такие как агенты, торговцы, конечных заводов и так далее.


Компания в соответствии с: честный и надежный, профессиональный и удобный, и клиентов для достижения беспроигрышного сотрудничества цель приветствуем купцов позвонить, чтобы обсудить, например, у вас есть избыточные запасы должны быть рассмотрены, добро пожаловать, чтобы отправить список инвентаризации по адресу: sales@hkmjd.com или позвонить, чтобы обсудить.

 

Контактное лицо: г-н Чен / Группа оценки

Номер мобильного телефона: +8613410018555

Веб-сайт компании: www.hkmjd.com

компания
о нас
информация
Почетные качества
Инвентаризационный запрос
сортировочный запрос
запрос поставщика
Центр помощи
онлайновый запрос
Общие вопросы
карта сайта
связаться с нами

контактный телефон:86-755-83294757

предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/  2850151585

время службы:9:00-18:00

почтовый ящик:sales@hkmjd.com

адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x

CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada   гуандунский ICP готов к 05062024-12

официальный двухмерный код

индекс бренда:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ссылки на дружбу:

skype:mjdsaler