Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

МЮНИХ, ГЕРМАНИЯ, 27 ФЕВРАЛЯ 2025 ГОДА - Технология нитрида галлия (GaN) играет важнейшую роль в повышении уровня производительности устройств силовой электроники. Однако до сих пор поставщики GaN использовали широкий спектр типов и размеров корпусов, что приводило к фрагментарности предложений и отсутствию доступности широкого спектра корпусов для клиентов. Для решения этой проблемы компания Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY), мировой лидер в области полупроводниковых систем, автомобильной промышленности и IoT, представила CoolGaN™ G3 100 В (IGD015S10S1) в корпусе RQFN 5x6 и CoolGaN ™ G3 80V (IGE033S08S1) высокоэффективные GaN-транзисторы в корпусах RQFN 3.3x3.3.

Транзистор CoolGaN™ G3 100V в комбинации с WRTFN-9-2

Эти два новых устройства совместимы со стандартными для отрасли корпусами кремниевых МОП-транзисторов и отвечают требованиям заказчиков к стандартизированной упаковке, упрощению обращения и ускорению вывода на рынок, - говорит д-р Антуан Жалаберт, руководитель направления средневольтных GaN-продуктов компании Infineon Technologies.

Транзисторы CoolGaN™ G3 100 В будут выпускаться в корпусе RQFN 5x6 с типичным сопротивлением включения 1,1 мОм, а CoolGaN™ G3 80 В - в корпусе RQFN 3,3x3,3 с типичным сопротивлением 2,3 мОм. Впервые корпуса для двух транзисторов позволят легко использовать несколько источников питания и дополнять кремниевые конструкции, а новые корпуса и комбинации GaN дают возможность предложить клиентам более стандартизированную упаковку для их продукции. Низкое сопротивление соединения и низкие паразитные эффекты новых корпусов и комбинаций GaN позволяют выпускать транзисторы с высокой производительностью в обычных корпусах.

Кроме того, комбинация чипа и корпуса имеет большую площадь открытой поверхности и более высокую плотность меди для лучшего распределения и отвода тепла, что приводит не только к улучшению теплопроводности, но и к высокой стабильности теплового цикла. 

Доступность

Образцы GaN-транзисторов IGE033S08S1 и IGD015S10S1 в корпусах RQFN будут доступны с апреля 2025 года.