Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Компания Micron Technology, Inc. (NASDAQ: MU) сегодня объявила о том, что она первой отгрузила образцы памяти DDR5 шестого поколения (10-нанометровый масштаб) DRAM-узла 1-gamma, предназначенного для процессоров следующего поколения, партнерам по экосистеме и избранным клиентам. Опираясь на предыдущее лидерство «Микрона» в узлах DRAM 1-альфа и 1-бета, этот новый рубеж для узлов DRAM 1-гамма будет способствовать инновациям для будущих вычислительных платформ - от облачных, промышленных и потребительских приложений до конечных устройств с искусственным интеллектом, таких как ПК с искусственным интеллектом, смартфоны и автомобили. Узел DRAM Микрон 1γ будет первоначально доступен в продуктах DDR5 DRAM объемом 16 Гб и планируется постепенно интегрировать его в портфель памяти Микрон, чтобы удовлетворить растущий спрос индустрии ИИ на высокопроизводительные и энергоэффективные решения памяти. Этот продукт 16Gb DDR5 обеспечивает скорость передачи данных до 9200 МТ/с, что на 15 % больше1 и более чем на 20 % меньше2 по сравнению с его предшественником.

Важность узлов DRAM размером 1γ

С распространением искусственного интеллекта в центрах обработки данных и конечных устройствах потребность пользователей в памяти становится все более высокой. Переход «Микрона» на узлы 1γ DRAM поможет заказчикам решить их основные проблемы:

Повышение производительности - DRAM на базе узлов 1γ обеспечивает превосходную производительность, позволяя масштабировать вычисления в широком спектре продуктов памяти, от центров обработки данных до конечных устройств, чтобы удовлетворить требования будущих рабочих нагрузок ИИ.

Снижение энергопотребления - в узлах Micron 1γ используется КМОП-технология нового поколения с металлическим затвором High-K, что в сочетании с оптимизацией конструкции позволяет снизить энергопотребление более чем на 20 % и улучшить отвод тепла.

Повышенный выход плотности емкости - в узле 1γ компании «Микрон» используется литография EUV, что позволяет повысить выход плотности емкости на одной пластине более чем на 30 % по сравнению с предыдущим поколением за счет оптимизации конструкции и инноваций в технологическом процессе3 , обеспечивая более эффективное масштабирование поставок памяти.

Опыт «Микрона» в разработке собственной технологии DRAM в сочетании со стратегическим использованием литографии EUV привели к созданию передового портфеля памяти на базе узлов 1γ, который поможет развитию экосистемы искусственного интеллекта», - сказал Скотт ДеБоер, исполнительный вице-президент „Микрона“, директор по технологиям и продукции. Узлы 1γ DRAM обеспечивают более высокий выход плотности памяти, демонстрируя превосходство „Микрона“. Это подчеркивает превосходную производственную мощь и эффективность «Микрона» и позволяет нам масштабировать поставки памяти, чтобы удовлетворить растущий спрос в отрасли».

Успех «Микрона» в создании оптимизированных узлов 1γ основан на нескольких поколениях проверенных технологий DRAM и производственных стратегий. Инновации в узлах 1γ DRAM стали возможны благодаря достижениям в технологии КМОП, включая технологию нового поколения с металлическим затвором с высоким коэффициентом К, которая улучшает производительность транзисторов, обеспечивая более высокие скорости, более оптимизированные конструкции и меньшие размеры элементов, что обеспечивает преимущества как снижения энергопотребления, так и масштабирования производительности. В результате снижается энергопотребление и масштабируется производительность. Кроме того, благодаря использованию EUV-литографии в узлах 1γ применяются чрезвычайно короткие длины волн для вытравливания более тонких элементов на кремниевых пластинах, что обеспечивает лучшие в отрасли преимущества плотности размещения. В то же время, разрабатывая узлы 1γ на производственных площадках по всему миру, «Микрон» может предоставить отрасли более передовые технологии и повысить устойчивость поставок.

Микрон» снова лидирует в отрасли с ведущей в мире технологией памяти, - говорит Сумит Садана, исполнительный вице-президент и главный коммерческий директор „Микрона“. 1γ DRAM - это прорывное достижение благодаря превосходной энергоэффективности и выдающейся производительности. Продукты 1γ DRAM компании «Микрон» обеспечат масштабируемые решения в области памяти по всему спектру - от центра обработки данных до конечных устройств, что позволит создать экосистемы искусственного интеллекта и обеспечит нашим клиентам возможность реагировать на постоянно меняющиеся потребности отрасли».

Движущая сила изменений в продуктах от облака до конечных устройств

Узлы 1γ, краеугольный камень будущих продуктов, будут полностью интегрированы в портфель памяти «Микрон»:

Центры обработки данных - решения DDR5 на базе 1γ-памяти обеспечивают центрам обработки данных прирост производительности до 15 %, повышают энергоэффективность и поддерживают постоянное масштабирование производительности серверов, позволяя центрам обработки данных оптимизировать энергопотребление и тепловой режим на уровне стоек в будущем.

End-side AI - 1γ решение DRAM с низким энергопотреблением обеспечивает повышенную энергоэффективность и пропускную способность для улучшения пользовательского опыта в решениях End-side AI.

AI PC - 1γ DDR5 SODIMM повышают производительность и снижают энергопотребление на 20 %4 для увеличения времени автономной работы и оптимизации пользовательского опыта в ноутбуках.

Мобильные устройства - 1γ LPDDR5X обеспечивает превосходные возможности ИИ, расширяя лидерство Микрон в области мобильных устройств.

Автомобили - память LPDDR5X на базе 1γ обеспечивает повышенную емкость, выносливость и производительность при скорости до 9600 МТ/с.

Котировки отрасли:

Мы довольны прогрессом, достигнутым компанией Micron в создании узлов 1γ DRAM, и уже ведущейся работой по проверке памяти 1γ DDR5 от Micron, - говорит Амит Гоэл, корпоративный вице-президент по инженерным вопросам подразделения решений для серверных платформ AMD. Наше тесное сотрудничество с Micron имеет решающее значение, поскольку мы стремимся продолжать развивать вычислительную экосистему с помощью наших продуктов для ЦОД нового поколения AMD EPYC (Rolls-Royce), а также всего спектра потребительских процессоров».

Д-р Димитриос Зиакас, вице-президент и генеральный менеджер Intel по памяти и технологиям ввода-вывода, сказал: «Усовершенствования „Микрона“ в области 1γ-узлов значительно оптимизируют мощность и емкость серверов Intel и ПК с искусственным интеллектом. Мы рады постоянным инновациям Micron в технологии DRAM и надеемся использовать эти преимущества для дальнейшего повышения производительности серверных систем и выносливости ПК». Intel проверяет образцы памяти 1γ DDR5 от Micron в рамках своего строгого процесса проверки серверов, чтобы предоставить высококачественные, лучшие в своем классе серверные системы для наших клиентов».

Соответствующие заказчики и партнеры могут присоединиться к программе технической поддержки DDR5 компании «Микрон» (TEP) для получения раннего доступа к технической информации, электрическому и тепловому моделированию, а также поддержки при проектировании, разработке и запуске вычислительных платформ следующего поколения.

1. повышение скорости передачи данных основано на оценке ожидаемой скорости передачи данных в продуктах памяти 1γ DDR5. 2.

2. снижение энергопотребления основано на сравнении энергопотребления (ватт) памяти 1γ DDR5 с памятью 1β DDR5. 3. увеличение емкости на одной пластине.

Процентное увеличение емкости на пластину основано на сравнении общей плотности емкости пластин, изготовленных по технологиям 1β и 1γ.

4. снижение энергопотребления основано на сравнении энергопотребления (в ваттах) памяти 1γ DDR5 SODIMM и памяти 1β DDR5 SODIMM.