Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Шэньчжэнь Минджиада Электроникс Лтд. [Поставка, утилизация] S29GL01GT10TFI010 (Infineon) FLASH - NOR Memory IC, 56-TSOP

Описание продукта

S29GL01GT10TFI010 - это флэш-память MIRRORBIT™, изготовленная по 45-нм технологическому процессу. Эти устройства обеспечивают быстрое время страничного доступа - 15 нс, и соответствующее время произвольного доступа - 100 нс. Буфер записи позволяет запрограммировать за одну операцию не более 256 слов/512 байт, что позволяет увеличить эффективное время программирования по сравнению со стандартными алгоритмами программирования.

Атрибуты изделия

Тип памяти: Энергонезависимая

Формат памяти: FLASH

Технология: FLASH - NOR

Размер памяти: 1 Гбит

Организация памяти: 128M x 8

Интерфейс памяти: Параллельный

Время цикла записи - слово, страница: 60 нс

Время доступа: 100 нс

Напряжение - питание: 2,7 В ~ 3,6 В

Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)

Тип монтажа: Поверхностный монтаж

Упаковка / корпус: 56-TFSOP (0,724", ширина 18,40 мм)

Комплект поставки: 56-TSOP

Особенности продукта

45-нм технология MIRRORBIT™

Единое питание (VCC) для чтения / программирования / стирания (от 2,7 до 3,6 В)

Универсальная функция ввода/вывода

- Широкий диапазон напряжений ввода/вывода (VIO): 1,65 В - VCC

Шина данных ×8/×16

Асинхронное чтение 32-байтных страниц

Буфер программирования 512 байт

- Программирование кратных страниц, максимум 512 байт

Возможность программирования одного слова и нескольких слов в одном слове

Автоматическая проверка и коррекция ошибок (ECC) - внутренняя аппаратная ECC с однобитовой коррекцией ошибок

Секторное стирание - равномерное стирание секторов размером 128 КБ

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, позвоните г-ну Чену по адресу

Тел: +86 13410018555

E-mail: sales@hkmjd.com

Домашний URL: www.hkmjd.com