Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. выпустила новый ST IGBT транзистор STGW25M120DF3 IGBT траншейного типа с отсечкой поля 1200 В 50 А 375 Вт со сквозным отверстием TO-247-3

ОПИСАНИЕ

Этот прибор представляет собой IGBT, разработанный с использованием передовой запатентованной структуры с отсечкой поля типа "траншея-затвор". Прибор входит в серию M-образных IGBT, представляющую собой оптимальный баланс между производительностью и эффективностью инверторных систем, для которых критичны низкие потери и способность к короткому замыканию. Кроме того, положительный температурный коэффициент VCE (насыщения) и жесткое распределение параметров делают параллельную работу более безопасной.

Все характеристики

Максимальная температура спая: TJ = 175 °C

Время выдерживания короткого замыкания 10 мкс

Низкое значение VCE (насыщение) = 1,85 В (типичное) при IC = 25 A

Жесткое распределение параметров

Положительный температурный коэффициент VCE (насыщение)

Низкое термическое сопротивление

Антипараллельные диоды с плавным и быстрым восстановлением

Свойства изделия

Производитель: STMicroelectronics

Категория продукта: IGBT-транзисторы

Технология: Si

Упаковка / корпус: TO-247-3

Стиль монтажа: сквозное отверстие

Конфигурация: одиночный

Максимальное коллекторно-эмиттерное напряжение VCEO: 1,2 кВ

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1,85 В

Максимальное напряжение затвор/эмиттер: - 20 В, 20 В

Непрерывный ток коллектора при 25 C: 50 A

Рассеиваемая мощность: 326 Вт

Минимальная рабочая температура: - 55 C

Максимальная рабочая температура: + 175 C

Серия: M

Ток утечки затвор-эмиттер: 250 нА

Тип изделия: IGBT-транзисторы

Количество в заводской упаковке: 600

Подкатегория: IGBT-транзисторы

Вес устройства: 38 г

Совершенно новые и оригинальные, гарантия качества, добро пожаловать на звонок г-ну Чену:

Тел: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Веб-сайт компании: www.hkmjd.com