sales@hkmjd.com
служебный телефон:86-755-83294757
Infineon представляет новый промышленный CoolSiC™ MOSFET 650 В G2 в корпусах Q-DPAK и TOLL
Электронная промышленность стремительно переходит на более компактные и мощные системы. Для поддержки этой тенденции и дальнейшего раз…
Электронная промышленность стремительно переходит на более компактные и мощные системы. Для поддержки этой тенденции и дальнейшего развития инноваций на системном уровне компания Infineon Technologies AG, мировой лидер в области полупроводниковых систем, автомобильной промышленности и IoT, расширяет портфель однотрубных МОП-транзисторов CoolSiC™ 650 В двумя новыми семействами продуктов в корпусах Q-DPAK и TOLL.
CoolSiC™ MOSFET 650 В G2 Q-DPAK TSC
Эти два семейства продуктов с верхним и нижним охлаждением, основанные на технологии CoolSiC™ Generation 2 (G2), обеспечивают значительное повышение производительности, надежности и простоты использования. Они специально разработаны для использования в импульсных источниках питания (SMPS) средней и высокой мощности, включая серверы искусственного интеллекта, возобновляемые источники энергии, зарядные сваи, электромобили и гуманоидные роботы, телевизоры, исполнительные механизмы и твердотельные автоматические выключатели.
Корпус TOLL обладает превосходной способностью к термоциклированию на плате (TCoB), что позволяет создавать компактные системы за счет уменьшения площади печатной платы (PCB). При использовании в SMPS он также снижает производственные затраты на уровне системы. Теперь пакет TOLL доступен для более целевых применений, что позволяет разработчикам печатных плат еще больше снизить затраты и лучше соответствовать требованиям рынка.
Выпуск пакета Q-DPAK дополняет новые разрабатываемые компанией Infineon продукты с верхним охлаждением (TSC), включая CoolMOS™ 8, CoolSiC™, CoolGaN™ и OptiMOS™. Продукты TSC позволяют заказчикам достичь превосходной надежности, более высокой плотности мощности и эффективности системы при низкой стоимости, а также увеличить прямой отвод тепла до 95 % за счет более рационального использования пространства и снижения паразитных эффектов за счет возможности использования двусторонних печатных плат.
Доступность
МОП-транзистор CoolSiC™ 650 В G2 в корпусе TOLL теперь доступен в корпусе R DS (open) от 10 до 60 мОм, а модели Q-DPAK доступны в корпусах 7, 10, 15 и 20 мОм.
время:2025-02-22
время:2025-02-22
время:2025-02-22
время:2025-02-22
контактный телефон:86-755-83294757
предприятие QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
время службы:9:00-18:00
почтовый ящик:sales@hkmjd.com
адрес компании:КНР, Шеньчжень, Футиянь, трасса Женжонг, оф. центр «New Asia Guoli», оф. 1239-1241x
CopyRight©2021 Все права защищены Mingjiada гуандунский ICP готов к 05062024-12
официальный двухмерный код
ссылки на дружбу: