Добро пожаловать в Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Mingjiada Electronics предлагает N-канальный силовой MOSFET Infineon (IPW60R120P7) 600V CoolMOS™ P7 Super Junction (SJ) MOSFET. Лучший в своем классе R onxA и изначально низкий заряд затвора (Q G) платформы CoolMOS™ 7-го поколения обеспечивают высокую эффективность.

Обзор функций

Особенности

-Высокая коммутационная способность для жесткого и мягкого переключения (PFC и LLC)

-Значительно снижены потери на переключение и проводимость

-Стабильность напряжения питания лучше 2 кВ (HBM) для всех изделий

-Низкий RDS(on)*A (менее 1 Ом*мм²) делает RDS(on)/капсулированные продукты лучше, чем конкурирующие продукты

-Сертифицированы JEDEC для промышленного применения

Преимущества

Простота использования и быстрое проектирование за счет снижения частоты обмоток и использования между каскадами преобразователя полной мощности и модулятора полной мощности

-Упрощенное тепловое управление для снижения потерь на переключение и проводимость

-Обеспечивает решения с более высокой плотностью мощности за счет использования изделий с меньшими и большими размерами.

 Обеспечивает решения с более высокой плотностью мощности за счет использования изделий с меньшими размерами и более высоким качеством сборки для защиты от электростатического разряда >2 кВ.

-Подходит для различных приложений и диапазонов мощности.

Возможные применения

Каскады КРМ, каскады ШИМ с жестким переключением и резонансные каскады, такие как PCSilverbox, адаптеры, LCD и PDPTV, освещение, серверы, телекоммуникации и ИБП.

Параметры: IPW60R120P7

ID (@25°C) макс: 29 A

ID макс: 29 A

IDpuls Max: 78 A

Монтаж: THT

Рабочая температура Минимальная Максимальная: -55 °C 150 °C

Максимальная мощность: 95 Вт

Упаковка: TO247

Количество выводов: 3 вывода

Полярность: N

QG (типовое @10 В): 36 нК

QG: 36 нК

Qgd: 11 nC

RDS (вкл.) (@10В) макс: 120 мОм

RDS (вкл.) макс: 120 мОм

Rth: 1.31 K/W

RthJA макс: 62 К/Вт

RthJC макс: 1.31 К/Вт

VDS макс: 600 В

VGS(th) минимум максимум: 3,5 В 3 В 4 В